三体关联与次近邻两体关联下的渗流

本文用实空间重正群(RSRG)方法对二维三角格子的淬火体系,处理其在三体关联及最近邻与次近邻关联下的渗流问题。对于格点多体关联函数采用叠加近似,对于格点-空位多体关联是由几率守恒求出的。结果表明,引入三体关联或次近邻关联后,都并不改变临界现象的普适律。 关键词：     

杜仲韧皮部离体培养的研究

本文证明杜仲剥下的树皮,其里面的部分具有未成熟的次生韧皮部.这一部分在人工培养下,可以由射线细胞和韧皮部中其他生活的细胞发生愈伤组织,从中分化出不连续的分生组织带或直接形成一些管胞状分子,后来并可出现成群的管胞状分子团.雄株韧皮部产生的愈伤组织中并可分化出不定芽和不定根原基.离休韧皮部经过人工培养所发生的愈伤组织内,没有分化出筛胞状分子。     

大气中颮线形成的非线性过程与KDV方程

本文从两层f平面的原始方程出发,在基本气流存在切变的情况下,得到了描写孤重力内波的KDV方程.文中指出大气低空急流上出现的飑线,是这种孤重力内波非线性演变所形成.在一定的基本气流分布情况下,计算了稳定孤波的相互作用和不稳定孤波发展,所得结果与大气低空急流上观测到事实是相当一致的.这样,飑线形成的非线性过程,低空急流中非地转现象和暴雨的发生诸方面,都能得到了内在的统一解释.     

论三能级变频器

本文计算了三能级(E₃>E₂>E₁)量子变频器输出的相干部分与非相干部分的线型。分别对光频波之间、光频波与微波间以及微波间的变频作了讨论。三能级量子变频器有两类工作方式。在方式Ⅰ中,泵频率～1/?(E₂—E₁),输入讯号频率～1/?(E₃—E₂),输出讯号频率～1/?(E₃—E₁)。在方式Ⅱ中,泵频率～1/?(E₃—E₂),输入讯号频率～1/?(E₂—E₁),输出讯号频率～1/?(E₃—E₁)。本文计算表明对于光频波段的变频,工作方式Ⅱ是比较优越的。     

内外电路中电压关系的演示实驗

高中物理电学部分全电路欧姆定律一节的讲法,是以內外电路电压关系的实驗为基础的。我們过去的演示只能定性地做出这一关系,以致同学們得到的感性知識不够。本学期我們做了一些改进,得到比較准确的結果。現将我們的初步經驗介紹如下: 一、实驗中的关鍵問題实驗装置如图1所示,V_1,V_2和A为伏特計和安培計(均为国营南京仪器厂出品的两量程的)R为100欧姆的滑动变阻器,MN为木板,其上安装四个接綫柱,該板大小根据容器的大小来选定。1.安装探針两个极板(銅板和鋅板)寬約5厘米、厚約0.5毫米,两板相距約6厘米,探針     

根据压力恢复曲线求地层参数的几个简便方法

本文提出了几种利用压力恢复曲线求油层参数的理论公式.在供给油流时,使用这些公式整理压力恢复曲线要简便得多,且可以直接用于解决油矿生产实际问题.     

镇的新同位素

加利福尼亚大学娄林司放射性实验室发现了镄的新同位素质量为257或258。同位素的半周期为11天,新的同位素是用中子轰击锔     

磁性离子Fe和Ni替代YBCO体系的结构特征和载流子局域化

为阐明磁性离子在不同替代位置对YBCO体系超导电性的影响机制，利用正电子湮没及相关实验手段结合数值模拟，系统研究了Fe和Ni掺杂的YBa₂Cu₃O_7-δ体系. 结果表明，Fe和Ni离子在替代过程中均以离子团簇的形式进入晶格. 当离子进入CuO₂面时，由于团簇改变了周围的电子结构，造成电子的局域化，并直接影响了电子对的配对和输运，因而强烈抑制了体系的超导电性.而当掺杂离子进入Cu-O链区时，它们同样通过团簇的形式改变周围 关键词： YBCO超导体 磁性离子替代 正电子湮没 数值模拟     

TiN/SiC纳米多层膜的生长结构与力学性能

研究了TiN/SiC纳米多层膜中立方SiC（B1cubic SiC）的形成及其对TiN/SiC多层膜力学性能的影响.结果表明：在TiN/SiC多层膜中，非晶态的SiC层在厚度小于0.6nm时形成立方结构并与TiN形成共格外延生长的超晶格柱状晶，使多层膜产生硬度和弹性模量显著升高的超硬效应，最高硬度超过60GPa.SiC随着层厚的增加转变为非晶相，从而阻止了多层膜的共格外延生长，使薄膜呈现TiN纳米晶和SiC非晶组成的层状结构特征，同时多层膜的硬度和弹性模量下降.TiN/SiC纳米多层膜产生的超硬效应与立方 关键词： 立方碳化硅 TiN/SiC纳米多层膜 外延生长 超硬效应