超急免疫排斥反应抑制相关寡糖二聚物的合成研究

首次报道了3,6-二氧代辛基-1,8-二-O-{4-O-[(3-O-a-D-吡喃半乳糖基)-β-D-吡喃半乳糖基]-2-脱氧-2-乙酰氨基-β-D-吡喃葡萄糖苷}(1)的合成，运用三氯乙酰亚胺酯法，通过控制反应条件，成功地实现了选择性、高收率地合成三糖PEG二聚物或其单苷化合物，并对成苷条件进行了深入的研究。     

VAC与甲基丙烯酰氧乙基三甲基氯化铵无皂乳液共聚合动力学研究

研究了醋酸乙烯酯 (VAC)与甲基丙烯酰氧乙基三甲基氯化铵 (DMC)无皂乳液共聚合动力学 ,考察了引发剂偶氮二异丁基脒盐酸盐 (AIBI)浓度、单体浓度、温度等因素对聚合反应速率的影响 ,得到单体总浓度和引发剂浓度影响反应速率的动力学方程为 :Rp=k1 [M]0 6 3[AIBA]1 0 ;各单体浓度影响反应速率的动力学方程为 :Rp=k2 [VAC]0 1 6 [DMC]0 89.聚合表观活化能为 4 4 0 1kJ·mol- 1 ,初步探讨了聚合反应机理 .     

最小二乘支持向量机方法用于提高低水平量子化学方法计算吸收能的精度

运用B3LYP/STO-3G和ZINDO两种低水平的量子化学方法计算了160个有机分子的UV-Vis吸收光谱, 然后提取合适的物理参数, 并以实验值为基础, 引入最小二乘支持向量机方法以提高吸收能的计算值精度. 结果表明, 最小二乘支持向量机方法可有效提高量子化学计算精度, 体系的吸收能误差均方根分别从0.95和0.46 eV降低到0.16和0.15 eV. 最小二乘支持向量机校正方法的引入可在较少的机时和计算资源下得到比单一的量子化学计算方法更为稳定和精确的计算结果, 且可在现有计算条件下预测现有计算能力达不到的精度. 因此, 将最小二乘支持向量机方法用于量子化学数据分析, 为化学研究准确、 快捷地预测分子性质提供了一种新的研究手段.     

激光打靶同步系统电磁兼容性能研究

用电学理论分析了高速数字同步系统电磁兼容的实施处理方法及晃动补偿法原理.对电场f干扰的屏蔽,采用电导率高的金属Cu或Al材料,其屏蔽反射损耗R理想;对磁场的屏蔽,采用高导磁率的坡莫合金材料,其屏蔽反射损耗R理想;采用EMI滤波器,电容温度系数小、精度高,电感材料呈现的等效电阻R与吸收的干扰频段吻合,达到最大抑制电磁干扰的效率.实验证明这些方法是有效的.     

高效液相色谱-串联质谱法同时测定饲料中9种霉菌毒素及其代谢物

应用高效液相色谱-串联质谱(HPLC-MS/MS)技术,建立了同时检测饲料中9种霉菌毒素及其代谢物的分析方法。样品加入NaCl经乙腈-水(85∶15)振荡提取后,用TC-M160多功能净化柱净化,氮气吹干,用1mL乙腈-水(1∶1)定容,Agilen C18色谱柱(150×2.1mm,3.5μm)分离,采用正负离子同时扫描的多反应监测模式进行检测,外标法定量。方法检出限为0.11~0.60μg/L,在2.0~100.0μg/L基质添加浓度范围内呈现良好的线性关系,相关系数r0.998。5.0~50.0μg/L加标范围内回收率为67.0%~103.5%,相对标准偏差15%。该法简便、快速、灵敏度高,符合对饲料中霉菌毒素的检测要求,可为相关检测提供技术支持。     

基于错流过滤原理的微流控细胞分离芯片的研制

首次提出并制备了一种错流过滤式细胞分离微流控芯片.     

FAST望远镜馈源支撑中的力学问题及其研究进展

500 m口径球面射电望远镜FAST拥有多项创新和关键技术,并涉及多个工程学科领域,其中力学在望远镜设备的研制、建设和维护中扮演了非常重要的角色,包括望远镜台址的开挖与支护、反射面系统和馈源支撑系统等的设计均离不开对有关力学问题的分析.本文对十多年来FAST望远镜的馈源支撑系统中与力学方面相关的研究进展进行了全面回顾,重点介绍了当前的研究难点及其有待深入解决的问题.与传统望远镜的刚性馈源支撑相比FAST馈源支撑是一个完全创新的柔性机构,几乎在每一项子系统和机构单元的设计中均存在多种可能的方案设想,需要从中进行优化选择. 从力学角度对每一种方案进行性能评估,为最终的方案优化设计提供合理依据也是当前研究工作的一项紧迫任务.      

世贸大厦坍塌的原因——————简要分析

对2001年9月11日纽约世贸中心大厦整体坍塌的原因作了简化的 近似分析.分析表明：如果大厦某一层大部分支柱在持续高温作用下失去 了承载能力，则整个大厦就会彻底坍塌.尽管采用了一些对承载能力有利 的简化假设，但仍发现其结构抗力比实际所需的承载能力低一个数量级.     

重掺Te的GaSb中缺陷的正电子寿命研究

用正电子寿命谱技术研究了重掺Te的GaSb原生样品、电子辐照样品和质子辐照样品.室温正电子寿命测量揭示出原生重掺Te的GaSb样品中存在VGa相关缺陷,其寿命大小约为298 ps.电子辐照会使该缺陷发生变化,导致平均寿命值减小,VGa相关缺陷从-3价变为-2价.质子辐照后,产生了寿命值较大的缺陷.在10-300K变温实验中,观测到3种样品都存在浅捕获缺陷,该浅捕获缺陷是GaSb反位缺陷.     

磁旋转弧等离子体中的弧电压突变现象

利用光学成像系统观察到了磁旋转弧等离子体实验中的电弧电压突变现象,电弧电压突变的范围约在40～100V之间。实验结果表明,电弧电压的变化与电弧弧长的变化密切相关。