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72.
使用Na盐和K盐通过常压水解-离子交换法合成了"海藻球"状锐钛矿型TiO2.材料表面包裹着超细的纳米TiO2晶须,交错形成三维、相互连接的纳米孔锐钛矿结构.用X射线衍射和扫描电镜对其晶体结构和形貌进行了表征,并对其进行储锂电化学性能测试.材料表现出优异的电化学性能,在100 mA·g-1的电流密度下,首次放电比容量达347 mAh·g-1和242 mAh·g-1,Na盐法制备的TiO2具有较好的倍率性能,在2000 mA·g-1的电流密度下,首次放电比容量分别达168 mAh·g-1,且循环性能良好,循环20圈后仍然保持在153 mAh·g-1. 相似文献
73.
在线弹性理论中,三维 V 形切口/裂纹结构尖端区域存在多重应力奇异性,常规数值方法不易求解. 本文提出和建立了三维扩展边界元法 (XBEM),用于分析三维线弹性 V 形切口/裂纹结构完整的位移和应力场. 先将三维线弹性 V 形切口/裂纹结构分为尖端小扇形柱和挖去小扇形柱后的外围结构. 尖端小扇形柱内的位移函数采用自尖端径向距离 $r$ 的渐近级数展开式表达,其中尖端区域的应力奇异指数、位移和应力特征角函数通过插值矩阵法获得. 而级数展开式各项的幅值系数作为基本未知量. 挖去扇形域后的外围结构采用常规边界元法分析. 两者方程联立求解可获得三维 V 形切口/裂纹结构完整的位移和应力场,包括切口/裂纹尖端区域精细的应力场. 扩展边界元法具有半解析法特征,适用于一般三维 V 形切口/裂纹结构完整位移场和应力场的分析,其解可精细描述从尖端区域到整体结构区域的完整应力场. 作者研制了三维扩展边界元法程序,文中给出了两个算例,通过计算结果分析,表明了扩展边界元法求解三维 V 形切口/裂纹结构完整应力场的准确性和有效性. 相似文献
74.
迷迭香单体的抗氧化活性 总被引:3,自引:0,他引:3
采用柱层析方法对迷迭香抗氧化剂(Rao)进行分离,分离出8个含量较高的单体.用光度法、ESR法、滴定法测定了迷迭香的8个单体、单体组合及Rao的抗氧化活性,并分析了抗氧化活性与其结构的关系.结果表明,在单体中,对超氧阴离子自由基及羟基自由基清除率最高的是槲皮素,分别为82.6%和87.1%.对香烟烟气自由基平均清除率最高的是迷迭香二酚,清除率为48.17%.单体活性最强的槲皮素和迷迭香二酚组合后,其抗氧化活性高于单体.活性强的抗氧化剂对油脂过氧化的抑制效果好,但作用时间较短. 相似文献
75.
薄层强散射介质的散射系统只会引起入射光波的振幅和相位分布变化,但不会导致总能量的衰减.这一过程可以看成光波被散射系统编码的过程,与双随机加密系统极为相似.本文首先证明了载有目标信息的光波在通过薄层强散射介质的散射系统时所产生散斑的分布特性,与双随机加密系统加密同一明文目标所得到的密文分布特性具有高度的相似性.然后,本文将该散射系统视为一个双随机加密系统,并利用相位恢复算法精确地计算出该散射系统所对应的两块随机相位密钥,同时证明了这两块密钥板还可以成功地从该散射系统所得到的其他任何散斑中恢复出对应的原始图像.最后,为了进一步证明二者的等价性,本文使用一种适用于双随机加密系统的唯密文攻击方法,成功地破解了薄层强散射介质的散射系统,得到了较好结果. 相似文献
76.
77.
A Ge/Si heterojunction L-shaped tunnel field-effect transistor combined with hetero-gate-dielectric(GHL-TFET) is proposed and investigated by TCAD simulation. Current–voltage characteristics, energy-band diagrams, and the distribution of the band-to-band tunneling(BTBT) generation rate of GHL-TFET are analyzed. In addition, the effect of the vertical channel width on the ON-current is studied and the thickness of the gate dielectric is optimized for better suppression of ambipolar current. Moreover, analog/RF figure-of-merits of GHL-TFET are also investigated in terms of the cut-off frequency and gain bandwidth production. Simulation results indicate that the ON-current of GHL-TFET is increased by about three orders of magnitude compared with that of the conventional L-shaped TFET. Besides, the introduction of the hetero-gate-dielectric not only suppresses the ambipolar current effectively but also improves the analog/RF performance drastically. It is demonstrated that the maximum cut-off frequency of GHL-TFET is about 160 GHz, which is 20 times higher than that of the conventional L-shaped TFET. 相似文献
78.
79.
痂囊腔菌素A的生物合成和光化学反应研究 总被引:2,自引:0,他引:2
报道了从中国云南西部山区筛选到一株丝状真菌Ascomyceters Hypocreaceae Hypomyces (Fr.) Ful SP.,并在实验室成功地进行培养. 这株真菌代谢产物的化学组分是痂囊腔菌A(EA),并经紫外光谱、元素分析、MS、1H NMR、13C NMR和X-衍射鉴定. 在适当的条件下将痂囊腔菌素A(EA)氯仿溶液和二苄胺(DBA)氯仿溶液混合. 用可见光照射混合液,在Varian E-115ESR仪上可以得到强吸收. 得到的数据表明,EA可以诱导DBA转变成氧氮自由基. 相似文献
80.
激光诱导击穿光谱技术目前已用于国内大科学装置EAST托卡马克壁诊断。在真空环境下,如何提升LIBS定量分析准确性是其进一步发展的瓶颈问题之一。在真空中,激光诱导等离子体具有高度时空非均匀性,对等离子体时空演化行为的研究,理解各个物种的演化规律,是进一步改进LIBS定量分析准确性的重要内容。针对托卡马克第一壁和偏滤器的材料相关的不同元素,该工作在真空环境下利用波长为1 064 nm、脉宽5 ns、功率密度6.3 GW·cm-2的脉冲激光对三元合金-碳化钨铜((WC)70Cu30)进行烧蚀产生多组分等离子体,使用线性阵列光纤实现了对发射光谱的时空分辨测量。以三种元素CⅠ833.51 nm, CⅡ657.81 nm, CuⅠ515.32 nm, CuⅡ512.45 nm, WⅠ429.46 nm, WⅡ434.81 nm六条谱线为研究对象,研究了激光烧蚀等离子体不同辐射机制的时间尺度以及多组分等离子体在扩张过程中发生的元素“空间分离”现象和“离子加速”现象。根据连续背景和六条谱线的时间演化规律,观察到连续辐射主要发生在等离子体... 相似文献