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121.
研究了带有初应力的功能梯度磁电弹半空间上含有带有初应力的磁电弹覆盖层结构中Love波的传播特性.基于基底和覆盖层均带有初应力的功能梯度磁电弹覆盖层介质中Love波的波速方程,考察基底和覆盖层不同的初应力和不同的电磁学边界及界面条件对Love波波速的影响,从而分析了基底和覆盖层都带有初应力的功能梯度磁电弹层状结构中Love波的传播特性. 相似文献
122.
研究了均匀半空间上含有有限厚度的初应力磁电弹覆盖层结构中Love波的波动方程问题.基于初应力下磁电弹材料的运动方程,应力自由的表面条件和连续的界面条件,得到了电磁学开路和短路时Love波的波速方程.结果对新型磁电弹表面波器件的理论研究具有重要的意义. 相似文献
123.
We present the investigation on the reflex triode virtual cathode oscillator in which performances of carbonfibre and stainless-steel cathodes are compared with each other. The experimental results and analyses show that surface tracking induces the electron emission of the carbon fibre cathode. There are electron emission phenomena observed not only from the top of the carbon fibre but also from its side surface. Compared with the case of the stainless steel cathode, the plasma expansion velocity for the carbon fibre cathode is slower, and using the carbon fibre cathode can widen the pulse width of output microwave. The output microwave pulse width reaches an increase of about 20%. This mechanism & different from the conventional explosive emission of metal cathodes. 相似文献
124.
常压射频冷等离子体是近年来广受关注的一种新兴技术,在薄膜沉积方面已体现出其巨大潜力,但由于等离子体本身反应的复杂性,使其在薄膜沉积方面的机理至今尚未完全清楚。本文旨在从光谱分析的角度,研究常压射频冷等离子体TEOS工艺沉积二氧化硅薄膜。实验中我们检测到了Si和C-H的特征峰,表明二氧化硅是由TEOS在等离子体中分解而形成的。同时还研究了不同输入功率下Si和C-H的特征峰强度的变化情况,并发现其变化规律与生长速率有着很好的相似性。在温度为200℃的条件下所生成的SiO2薄膜的折射率在1.47-1.48的范围内。 相似文献
125.
126.
建立了一种简便的、适用于磁畴模型应用的Tb0.3Dy0.7Fe2 合金本构参数辨识方法. 针对Tb0.3Dy0.7Fe2合金磁畴模型中本构参数不明确且直接实验测试困难的问题, 提出了一种数值计算与实验测试相结合的参数辨识方法. 采用坐标变换与绘制自由能等势曲线相结合的方法, 简化了载荷作用下Tb0.3Dy0.7Fe2 合金内磁畴角度偏转的数值计算, 研究了合金磁畴角度偏转模型的参数依赖性. 在此基础上, 结合简单的实验测试, 建立了Tb0.3Dy0.7Fe2合金各向异性常数K1 和K2、能量分布因子ω、晶轴取向分布的辨识及修正方法. 该方法能够简单、快速地完成Tb0.3Dy0.7Fe2 合金磁畴模型中本构参数的辨识, 对完善磁致伸缩材料磁畴偏转的数值计算模型非常有意义. 理论分析可为类磁致伸缩材料磁机耦合模型的建立、完善, 以及材料本构参数的辨识、获取提供参考. 相似文献
127.
在溶剂热合成体系中,5-羟基间苯二甲酸(H 2HIPA)和1,4-二(1氢-咪唑-1-基)苯(1,4-DIB)与Ni(Ⅱ)离子反应得到一个结构新颖的化合物Ni[(HIPA)(1,4-DIB)](1,CCDC:2034033)。单晶结构分析揭示化合物1结晶于单斜的P21/c空间群。HIPA 2-和1,4-DIB分别被Ni(Ⅱ)离子连接在一起形成了两种具有hcb网络的二维结构,也就是Ni-HIPA和Ni-1,4-DIB层。这两类二维的层状结构进一步形成(3,6)-连接网络特征的三维柱层式框架。此外,在紫外-可见吸收光谱上化合物1在200-450和520-750nm范围内有两个强的吸收峰,依据Kubelka-Munk(KM)方法其带隙宽度为2.1V,具有半导体特征。化合物1的相纯度和热稳定性也通过粉末衍射和热失重分析测试予以确认。 相似文献
128.
129.
应用LAS-2000辐照设备、射频离子源设备及HL-1M装置对等离子体与石墨及其涂层的相互作用进行了系统研究,为进一步优化HL-1M装置原位处理工艺、杂质控制以及HL-2A装置第一壁的选材和第一壁处理、杂质控制等提供依据。 相似文献
130.