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1.
四氯化碳制备二氯卡宾反应机理的理论研究李来才(四川师范大学化学系成都610066)关键词四氯化碳反应途径过滤态MNDO方法中图分类号O621.146二氯卡宾是有机合成中一个重要的试剂。目前制备二氯卡宾的方法有多种[1-3],但Makc-sza[4]报... 相似文献
2.
3.
采用密度泛函理论的B3LYP方法,在6-31+G*基组水平上研究了儿茶素-胞嘧啶分子间相互作用机制,得到稳定的儿茶素-胞嘧啶复合物11个.计算结果表明氢键对于复合物的稳定性起着重要的作用,并且当复合物形成2个或更多的氢键时,氢键的类型及强度共同决定着复合物的稳定性.我们还应用了分子中的原子(AIM)理论和自然键轨道(NBO)理论对这11种复合物中氢键的性质和特征进行了分析.通过研究发现,所有的氢键复合物进行基组重叠误差(BSSE)校正后的相互作用能为-17.35~-43.27kJ/mol,相互作用能主要由氢键所贡献.振动分析显示,氢键的形成使相对应键的对称伸缩振动频率减小,说明这些复合物中形成的氢键都是正常的红移型氢键,与实验结果相一致. 相似文献
4.
N8H8环状异构体的结构与稳定性的理论研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用密度泛函理论的B3LYP方法在6-311 G**基组水平上对N8H8氮氢环状化合物可能存在的构型进行了几何优化,得到74种稳定异构体,应朋A然键轨道理论NBO和分子中的原子理论AIM分析了这些化合物成键特征和相对稳定性,G3MP2方法汁算了各异构体的能量及生成热.研究结果表明:N原子孤对电子到相邻的氮氮键的超共轭作用是影响氮氮键长变化的丰要因素;N8H8环状异构体的稳定性顺序为:六元环>七元环>八元环,五元环>三元环>四元环,六元环是这些N8H8环状异构体中最稳定的,最不稳定的是四元环,G19是所有环状异构体中能量最低的:M3能量最高,稳定性最差,A7密度最大. 相似文献
5.
文中用MNDO方法研究了三甲基膦和环氧乙烷加成产物裂解反应机理 相似文献
6.
采用量子化学半经验方法(RHF/PM3)对几种稠环芳烃化合物电致发光(EL)材料的性质进行了理论研究。利用能量梯度法优化构型,对各优化的构型作振动分析,均未出现虚频率。在此基础上,采用RHF/CIS方法计算其电子光谱。并给出了化合物EL1,EL2电子光谱的最大波长λ与CIS组态之间的关系。所有计算结果与实验值基本吻合。 相似文献
7.
CF3O2自由基和NO反应机理的理论研究 总被引:1,自引:0,他引:1
用密度泛函理论(DFT)的B3LYP方法, 分别在6-31G、6-311G、6-311+G(d)基组水平上研究了CF3O2自由基和NO反应机理. 研究结果表明, CF3O2自由基和NO反应存在三条可行的反应通道, 优化得到了相应的中间体和过渡态. 从活化能看, 通道CH3O2+NO→IM1→TS1→IM2→TS2→CF3O+ONO的活化能最低, 仅为70.86 kJ•mol-1, 是主要反应通道, 主要产物是CF3O和NO2. 而通道CH3O2+NO→IM1→TS3→CF3ONO2和CH3O2+NO→TS4→IM3→TS5→IM4→TS6→CF3O+NOO的活化能较高, 故该反应难以进行. 相似文献
8.
The adsorption and the growth of ZnO on α-Al2O3(0001) surface at various temperatures were theoretically calculated by using a plane wave pseudopotentials (USP) method based on density functional theory.The average adsorption energy of ZnO at 400, 600 and 800 ℃ is 4.16±0.08, 4.25±0.11 and 4.05±0.23 eV respectively. Temperature has a remarkable effect on the structure of the surface and the interface of ZnO/α-Al2O3(0001). It is found that the Zn-hexagonal symmetry deflexion does not appear during the adsorption growth of ZnO at 400 ℃, and that the ZnO10-10 is parallel with the 10-10 of the α-Al2O3(0001), which is favorable for forming ZnO film with the Zn-terminated surface. It is observed from simulation that there are two kinds of surface structures in the adsorption of ZnO at 600 ℃: one is the ZnO surface that has the Zn-terminated structure, and whose 10-10 parallels the 10-10 of the substrate surface, and the other is the ZnO10-10 //sapphire 11-10 with the O-terminated surface. The energy barrier of the phase transition between these two different surface structures is about 1.6 eV, and the latter is more stable. Therefore,the suitable temperature for the thin film growth of ZnO on sapphire is about 600 ℃, and it facilitates the formation of wurtzite structure containing Zn-O-Zn-O-Zn-O double-layers as a growth unit-cell. At 600 ℃, the average bond length of Zn-O is 0.190±0.01 nm, and the ELF value indicates that the bond of (substrate)-O-Zn-O has a distinct covalent character, whereas the (Zn)O-Al (substrate) shows a clear character of ionic bond. However, at a temperature of 800 ℃, the dissociation of Al and O atoms on the surface of the α-Al2O3(0001) leads to a disordered surface and interface structure. Thus, the Zn-hexagonal symmetry structure of the ZnO film is not observed under this condition 相似文献
9.
H2CCF自由基与HNCO反应机理的理论研究 总被引:4,自引:0,他引:4
采用密度泛函理论的B3LYP方法, 在6-311++G(d,p)基组水平上研究了H2CCF自由基与HNCO的微观反应机理, 优化了反应过程中的反应物、中间体、过渡态和产物, 为了获得更精确的能量信息, 还在QCISD(T)/6-311++G(d,p)基组水平上计算了各物质的能量.振动分析结果和IRC分析结果证实了中间体和过渡态的真实性, 计算所得的成键临界点电荷密度的变化也确认了反应过程.对于H2CCF自由基与HNCO反应, 我们找到了六条可行的反应通道, 结果分析表明通道H2CCF+HNCO→IM3→TS5→H2CCFH+NCO控制步骤活化能最低, 是该反应的主要通道, 在此反应过程中有稳定的氢键复合物IM3生成, 还表现出氢原子迁移的反应特征. 相似文献
10.
用量化学UMP2方法,在6-311++G**基组水平上研究了CH_2X(X=H,FCI)与臭氧反 应机理,全参数优化了反应过程中反应物、中间体、过渡态和产物的内何构型,在 UQCISD(T)/6-311++G**水平上计算了它们的能量,并对它们进行了振动分析,以 确定中间体和过渡态的直实性。从CH_2X(X=H,FCI)与O_3的反应机理的研究结果看 ,它们与O_3反应的活性都比较强,相对而言,活性大小顺序为CH_2F>CH_3> CH_2CI,也就是说,CH_2F自由基与臭氧间的反应活性最强,对大气臭氧的损耗将 是最大的。同时研究还发现CH_2X(X=H,FCI)系列自由基与O_3的反应都是强放热反 应。 相似文献