熔盐法合成SrBi2Nb2O9粉体

以分析纯的Bi2O3,Nb2O5 和 SrCO3为原料,以KCl和NaCl为熔盐,采用熔盐法在800～1000 ℃合成了片状SrBi2Nb2O9粉体.研究了熔盐含量及合成温度对晶体定向生长和粉体形貌的影响.结果表明:与固相法相比,熔盐法是一种有效的晶粒定向生长的方法.制备的粉体呈明显的片状和高度的各向异性,且无团聚现象产生.沿(00l)面择优生长适合的熔盐含量为60;质量分数,随着熔盐含量的增加,晶粒尺寸逐渐增大.合成温度在900 ℃为最优,可获得较大尺寸和高度各向异性的SrBi2Nb2O9粉体.     

水热合成钛酸盐纳米管的晶型结构及光催化活性

以锐钛矿相为主的氧化钛粉体为原料,在强碱条件下采用水热合成法制备出外径约10nm的钛酸盐纳米管.采用TEM、XRD和EDS对产物进行表征,并对其热稳定性、光催化活性进行测试,研究结果表明:制得的纳米管的结晶程度很低,主要成分为钛酸钠,含少量锐钛矿二氧化钛;煅烧温度对钛酸盐纳米管的晶型结构和光催化活性有显著影响.未煅烧及400℃煅烧的纳米管光催化活性较低, 500℃煅烧后具有较高的光催化活性,但煅烧温度高于600℃后,由于锐钛矿晶体减少,纳米管的光催化活性降低.     

高品质因素MgTiO3-SrTiO3系微波陶瓷介电性能的研究

以分析纯MgO、TiO2、SrCO3为原料,采用固相法制备了(1-x)MgTiO3-xSrTiO3(x=0～0.065)系列微波介质陶瓷材料,研究了添加SrTiO3后,体系的晶相组成、显微结构、微波介电性能之间的变化规律。研究表明,随着SrTiO3添加量的增加,陶瓷的体积密度、介电常数εr、谐振频率温度系数τf都呈增加趋势,但无载品质因素与谐振频率的乘积Q×f的值随添加量的增加呈下降趋势。当x=0.035时,陶瓷可在1380℃保温2 h烧结,此时陶瓷获得近零的频率温度系数:τf=-2.8×10-6/℃、高的品质因素:Q×f=16714 GHz、介电常数:εr=21.5。     

Ar+17和 Ar+16谱线的电子碰撞展宽

利用修改后伦敦理工大学的UCL扭曲波程序, 本文计算了自由电子与原子或离子的碰撞反应矩阵, 以此得到它的散射矩阵和碰撞强度.利用碰撞强度, 研究电子碰撞对辐射谱线影响.具体地, 以Ar⁺¹⁷和Ar⁺¹⁶的α线和β线为例, 计算了不同电子温度和密度下谱线的展宽和位移.     

基于超分子环糊精两亲分子的敏感型囊泡体系

敏感型囊泡可初步概括为由两亲分子通过非共价键构筑的、对外界的刺激具有特色响应性的一类新型囊泡体系。由"超分子环糊精两亲分子"自组装形成的囊泡体系是该类体系中重要的一类。本文重点介绍了环糊精参与的"超分子环糊精两亲分子"囊泡体系的研究进展。以与环糊精复合的化合物结构类型不同进行分类,介绍了该类囊泡体系的制备以及该体系在医药工程、新型"智能"材料以及生物模拟等方面的潜在应用;结合现阶段的研究状况,对该类囊泡体系的发展前景进行了展望。     

MAX 相陶瓷的结构、制备及物理性能研究

MAX 相陶瓷因具有独特的 MX 片层与A 片层交替堆叠的晶体结构,使其兼具金属和陶 瓷的优良特性,如良好的导热导电性、可加工性,同时具有良好的抗氧化性、耐腐蚀性以及耐 摩擦磨损等性能,具有非常广泛的应用前景。本文首先介绍了 MAX 相陶瓷材料的种类与晶体 结构,并简述了近几年新发现的 MAX 相陶瓷材料以及制备手段的发展动态。之后从 MAX 相 物理性能的角度出发,重点综述了几种典型 MAX 相陶瓷材料的弹性性能、电学性能、热学性 能、磁性能以及抗辐照性能的研究进展。此外,进一步介绍了MAX 相的二维衍生物 MXene 的 衍生过程、超导性以及其在电化学储能、催化领域的研究进展。最后,本文从探索 MAX 相材 料新结构的多样性、MAX 相物理性能及相关理论计算、MXene 二维材料以及相应的制备、表 征和应用等方面,展望了 MAX 相陶瓷材料的潜在研究方向及应用前景,为 MAX 相和 MXene 材料的深入研究提供了新的思路。     

Stark线形与ICF等离子体诊断

本文理论计算了ICF等离子体中离子或原子的发射谱线线形函数,该线形主要是由Stark效应产生的.我们的研究表明该谱线线形函数的宽度随电子温度变化很缓慢,而随电子密度变化很敏感.结合局部热动平衡理论,并利用实验测量的氩(Ar)和硫(S)的α线与β线的线强比,分别估算出等离子体的电子温度为885 eV和793 eV.通过理论计算的Stark线形函数与ICF实验谱线的比较,估算出ICF等离子体的电子密度Ne=1.0×1024.     

类氦铷、铌离子光电离截面的细致计算

采用ＨＦ加相对论修正的ＨＦＲ方法，考虑束缚组态间的相互作用，计算了类氦铷与类氦铌离子各能级间跃迁的光电截面，所包括的离子组态为１ｓｎｌ—１ｓεｌ±１（１≤ｎ≤６、０≤ｌ≤ｎ－１），取自由电子能量区间为０～１０倍的离化能，分析了系统计算误差与计算精度，给出了对未态求和及三次样条插值后的结果。     

Xe9+离子4d9-4d85p跃迁的理论研究

 利用多组态Dirac-Fock(MCDF)方法，通过对Xe⁹⁺离子4d⁹-4d⁸5p跃迁的系统计算，研究了电子相关效应对Xe⁹⁺离子4d⁹-4d⁸5p跃迁的影响，给出了相应的跃迁能和辐射跃迁几率，并与最新的实验观测和其它理论计算结果进行了比较。计算结果表明：电子的关联效应显著。根据计算结果和实验结果的一致性和两个规范下所得的跃迁几率的一致性，可以认为本文的计算结果是可信的。     

Eu掺杂对γ-Ce2S3合成温度及抗氧化性能的影响

本文以CeCl_3·7H_2O、Eu_2O_3、C_2H_2O_4·2H_2O为原料,制备了铈铕草酸盐沉淀,该沉淀经高温煅烧获得铈铕氧化物前驱体;以Ar气为载气、CS_2为硫源对铈铕氧化物前驱体进行硫化合成了Eu~(2+)掺杂的γ-Ce_2S_3。Eu~(2+)掺杂能够明显降低γ-Ce2S3的合成温度,Eu~(2+)/Ce~(3+)为0. 03时,在900℃硫化150min即可获得纯相的γ-Ce_2S_3,与不掺杂时合成γ-Ce_2S_3的温度相比降低了300℃左右;同时,Eu~(2+)掺杂能够提升γ-Ce_2S_3的抗氧化能力,氧化气氛下,Eu~(2+)/Ce~(3+)比例为0. 03的样品其氧化放热峰温度由不掺杂时的490. 6℃提高至553. 3℃。