车载移动冷柜蒸发器性能实验研究

针对风冷式、直冷式的车载移动冷柜系统,以R290为制冷工质,搭建了蒸发器性能实验测试平台,分别对风冷式与直冷式车载移动冷柜系统的制冷效果和箱体内部温度分布进行了实验测试分析。依据国家标准,结合实际情况对开、关门以及负载温度回升进行了测试。结果表明:开、关门对冷柜内货物温度的影响较小;在38℃的环境温度下,当冷柜内部平均温度降低到0℃时,风冷式蒸发器系统需要65min,而直冷式蒸发器系统则需要90min;风冷式蒸发器系统在200min时COP达到最高值2.32,冷柜内部平均温度为-16.3℃,直冷式蒸发器系统在190min时COP达到最高值2.38,冷柜内部平均温度为-18℃。     

类比费马原理巧解运动性最值问题

<正>1657年,法国著名数学家费马(P.Fermat,1601~1665)提出了费马原理(Fermat's principle):光在指定的两点之间传播,实际的光程总是取极值(极小值、极大值或稳定值)。这里的光程是指光在某种均匀介质中传播时通过的路程与该种介质的折射率的乘积。     

区间合作博弈Shapley值的矩阵计算方法

在合作博弈中,Shapley单点解按照参与者对联盟的边际贡献率对联盟的收益进行分配.联盟收益具有不确定性,往往不能用精确数值表示,更多学者关注特征函数取值为有限区间的合作博弈(区间合作博弈)的收益分配.文章利用矩阵半张量积,研究区间合作博弈中含有折扣因子的Shapley区间值的矩阵计算.首先利用矩阵的半张量积将合作博弈的特征函数表示为矩阵形式,得到特征函数区间矩阵.然后通过构造区间合作博弈Shapley矩阵,将区间合作博弈的Shapley值(区间)计算转化为矩阵形式.最后利用区间合作博弈Shapley值矩阵公式计算分析航空公司供应链联盟收益的Shapley值.文章给出的区间合作博弈Shapley值的矩阵计算公式形式简洁,为区间合作博弈的研究提供了新的思路.     

机载光电平台目标交会定位

根据直线交会测量原理,构建了机载光电平台目标定位数学模型。首先建立5个坐标系,确定了坐标系之间的变换关系,在地心直角坐标系下,根据光电平台观测目标的方位和俯仰角度参数,结合飞机的位置和姿态测量参数,通过坐标变换确定从光电平台到目标之间的观测直线方程。选择一组目标观测直线建立目标交会测量目标函数,根据最小二乘原理,建立关于直线交会点坐标的线性方程组。解出直线交会点的三维坐标并根据从地心直角坐标系到大地地理坐标系的变换关系,计算目标的大地经纬度和高程坐标,通过样本数据进行交会定位精度实验。实验结果表明,本文方法定位结果和实际测量数据接近,经度误差为0.65",纬度误差为0.82",高程误差为5 m,验证了本文方法的准确性。本文方法有效可行,对机载光电平台目标定位具有实用价值。     

缺失数据下的半参数变系数模型的借补估计

本文在响应变量随机缺失情形下讨论了半参数部分线性变系数模型的估计问题.首先采用局部线性方法估计系数函数,然后进一步估计常数系数.最后利用回归方法借补缺失的响应值,再用全部数据估计常数系数.本文进-步讨论了利用完整个体方法及借补方法求得的参数估计的渐近性质,并进行了模拟比较.     

紧凑型L波段磁绝缘线振荡器的实验设计

 设计加工了一个L波段磁绝缘线振荡器(MILO)，并进行了实验研究。在二极管电压为515~538kV, 二极管电流为58~61kA的条件下, 获得了频率为1.76~1.78GHz，功率为2.2~2.5GW的TM₀₁模高功率微波辐射, 功率转换效率为7.3%~7.9%。实验结果与模拟结果符合得较好。     

水热法合成α-Al2O3晶体的晶面形态

本文研究了高温高压水热法合成α-Al2O3晶体的形状和表面形态.原料为Al(OH)3,矿化剂的浓度为1M KBr、0.1 M KOH,填充度35;, 温度388℃时,可部分自发生成α-Al2O3晶体.温度超过395℃以上,可全部转化成α-Al2O3晶体,晶体形状为六棱柱体,显露底面{0001}和柱面{21 10}、{1120}、{1210},晶体的表面呈现阶梯.在矿化剂为1M KOH,填充度35;,温度为380℃时,部分自发生成α-Al2O3晶体,晶体的底面{0001}和柱面{1120}消失,呈现双锥形;当温度达到395℃时,可全部转化成α-Al2O3晶体,晶体呈双锥形,晶面呈条状阶梯形;温度达到405℃以上,晶体又呈现六棱柱体.     

水热法合成掺钛蓝宝石微晶

采用水热法,在430℃、40MPa的压力下合成出了纯刚玉晶体.在相同的条件下,通过掺入Ti(OH)4合成了掺钛刚玉晶体.掺Ti刚玉晶体具有较为复杂的形状,只有少数晶体呈现六棱柱形,多数晶体呈现不规则形状,晶体表面没有出现类似α-Al2O3晶体的粗糙生长条纹,而是呈现出光滑的表面.通过电子探针分析表明,同一条件下合成的晶体的钛含量也不相同,最大含量为0.27;质量分数.     

Fabricating GeO2passivation layer by N2O plasma oxidation for Ge NMOSFETs application

In this paper, oxidation of Ge surface by N2O plasma is presented and experimentally demonstrated. Results show that1.0-nm GeO2is achieved after 120-s N2O plasma oxidation at 300?C. The GeO2/Ge interface is atomically smooth. The interface state density of Ge surface after N2O plasma passivation is about ～ 3 × 1011cm-2·eV-1. With GeO2passivation,the hysteresis of metal–oxide–semiconductor(MOS) capacitor with Al2O3serving as gate dielectric is reduced to ～ 50 mV,compared with ～ 130 mV of the untreated one. The Fermi-level at GeO2/Ge interface is unpinned, and the surface potential is effectively modulated by the gate voltage.