开辟物理教学第二课堂的途径

开辟物理教学第二课堂的途径李建军（山西省忻州地区农机校０３４０００）积极开展物理教学的第二课堂活动，对于人才的培养和更好地适应社会主义市场经济需要有着重要的意义．物理教学第二课堂可从以下几个途径开展．１课外阅读报刊杂志能够及时地反映当前科技信息及最新...     

导数分光光度法研究 V.零点法测量导数值的理论及应用

近几年来,导数分光光度法在无机物分析方面已做了一些工作,目前对宽吸收带体系应用导数技术的研究尚少见.这是由于宽吸收带体系经高阶求导后,信噪比明显下降,而低阶导数的分辨率又不高.本文探讨导数技术应用于宽吸收带体系的可能性及一般规律.一个高斯型谱带n次求导后,得到n个零点.这就为在低阶导数条件下消除干扰提供了条件,即在导数值的测量方法上寻找可能性.如果干扰组分的导数吸收曲线和基线相交处的波长恰好等于或接近待     

紫花地丁中汞的原子荧光法测定

利用还原气化的非色散型装置，以湿法消解的方式，建立了原子荧光测定紫花地丁中痕量汞的测定方法，同时比较了不同玻璃仪器的洗涤方法和不同的定量方法，试验回收率在86．9％－110．8％之间，误差＜8．5％，通过对实际样品的测定，得到了满意的结果。     

p型GaN低温粗化提高发光二极管特性

利用金属有机物化学气相沉积技术在蓝宝石衬底上低温生长GaN:Mg薄膜,对不同源流量的GaN:Mg材料特性进行优化研究.研究表明二茂镁(CP2Mg)和三甲基镓(TMGa)物质的量比([CP2Mg]/[TMGa])在1.4×10-3—2.5×10-3范围内,随[CP2Mg]/[TMGa]增加,晶体质量提高,空穴浓度线性增加.当[CP2Mg]/[TMGa]为2.5×10-3时获得空穴浓度与在较高温度生长获得的空穴浓度相当,且薄膜表面较粗糙.采用[CP2Mg]/[TMGa]为2.5×10-3的p型GaN层制备的发光二极管,在注入电流为20mA时,输出光强提高了17.2%.     

利用CdTe量子点增敏鲁米诺-过氧化氢化学发光体系测定水环境中的对苯二酚

在碱性条件下,CdTe量子点对鲁米诺-过氧化氢化学发光体系具有显著的增敏作用,而对苯二酚对该体系的化学发光有强烈的抑制作用,以此建立了流动注射化学发光检测对苯二酚的新方法。在优化实验条件下,在1.0～25 nmol·L-1范围内对苯二酚的浓度与化学发光强度的抑制值ΔI呈良好的线性关系(R2=0.993 2),检出限为0.76 nmol·L-1,经实际应用证明,该方法可用于水环境中对苯二酚的测定。此外,对CdTe量子点增敏鲁米诺-过氧化氢化学发光体系的机理进行了探讨。     

高效毛细管电泳－电荷耦合器件检测器联用技术研究Ⅰ．多波长荧光检测装置

报道了用电荷耦合检测器等设备组成的高效毛细管电泳多波长荧光检测装置。以荧光素和罗丹明Ｂ对其性能进行了评价,得到了具有光谱和时间分辨的三维电泳图,与被测物标准荧光光谱对照,可以直接鉴定被分离的化合物。     

毛细管离子分析的高灵敏化学发光检测

首次报道毛细管离子分析的新型研究技术─—自行组装的毛细管电泳化学发光检测器,将内径为５０μｍ的电泳毛细管经刻蚀插入内径为５３０μｍ的反应管,内径为１２０μｍ的试剂管通过聚四氟乙烯三通将试剂引入反应管中,反应管上的检测窗定位于光电倍增管前,使光信号尽可能多地被接收。金属离子催化鲁米诺－过氧化氢发光是较灵敏的化学发光研究体系,但干扰严重。高效液相色谱分离对象有限,分离效率不十分理想。本系统成功地基线分离了Ｃｏ￣（２＋）、Ｃｕ￣（２＋）、Ｎｉ￣（２＋）、Ｆｅ￣（３＋）、Ｍｎ￣（２＋）五种金属离子。     

高效毛细管电泳-电荷耦合器件检测器联用技术研究(Ⅲ)──定量计算方法

提出了加和峰高和峰体积法,并用于多波长电泳图的定量计算。将得到定性信息后的三维电泳图经峰加和等数据处理,转变成二维电泳图进行定量计算,提高了测定灵敏度、信噪比和计算结果的准确度与精密度。     

高效毛细管电泳-电荷耦合器件检测器联用技术研究(Ⅶ)──低聚肽及其降解产物的分离

高效毛细管电泳－电荷耦合器件检测器联用技术研究（Ⅶ）──低聚肽及其降解产物的分离熊少祥,李建军,程介克（武汉大学化学系,武汉,４３００７２）关键词毛细管电泳．电荷耦合器件检测器．荧光检测．联用技术多肽及其降解产物氨基酸是组成生命物质蛋白质的基础,某些...     

BF+2注入加固硅栅PMOSFET的研究

系统地研究了BF⁺₂注入硅栅P-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistor(PMOSFET)阈值电压漂移与γ辐照总剂量之间的关系,深入地探讨了BF⁺₂注入抗γ辐射加固的机理.结果表明,BF⁺₂注入对硅栅P-channel metal-oxide-semiconductor(PMOS)在γ辐照下引起的阈值电