聚丙烯酸酯类Tg的量子化学-神经网络研究

用密度泛函方法在6-31G(d)基组上优化了38种聚丙烯酸酯类的结构单元, 得到了其单元的量子化学参数, 探讨了这些参数与聚丙烯酸酯类玻璃化温度(Tg)的关系. 计算表明, 影响聚丙烯酸酯类Tg的主要因素有结构单元的侧链长度、侧链的分支数、最高占据轨道能级、极化率、偶极矩、等体积热容和热力学能等参数. 用模式识别方法(偏最小二乘法)讨论了这些参数与Tg的定性关系, 两类Tg大小不同的聚合物基本分布在不同区域, 用逐步回归和人工神经网络方法建立了这些参数与Tg的定量关系, 2种方法的预测结果与实验值的相关系数分别为0.9753、0.9985, 标准偏差分别为18.42、4.25, 预报结果与实验值基本一致.     

LS 6500型闪烁计数器检测化学发光的改进方法

提出了LS 6500型闪烁计数器进行化学发光检测时的改进方法,对提高化学发光检测数据的准确度,具有重要的意义。     

磁性壳聚糖复合微球的制备及其Cu2+吸附性能

以球磨后的粉煤灰磁珠（MS）颗粒为磁核,通过溶胶凝胶法和反相微乳液法依次包覆SiO₂和壳聚糖（CS）,制备了MS@SiO₂@CS磁性微球。利用扫描电镜及能量色散谱仪、热重分析仪、红外光谱仪、X射线衍射仪、振动样品磁强计对所得样品的结构和磁性进行了系统表征。结果表明,磁珠颗粒表面实现了逐层包覆,较均匀的分散于壳聚糖基体中,MS@SiO₂@CS微球的比饱和磁化强度可达7.04 emu·g^-1。Cu²⁺离子吸附实验表明,所得磁性壳聚糖微球对Cu²⁺具有良好的吸附能力,最大吸附量可达11.08 mg·g^-1;而且可通过磁选法高效固液分离。吸附动力学研究表明,MS@SiO₂@CS微球对Cu²⁺离子的吸附符合准二级动力学模型,以化学吸附为主。     

浅谈初中化学课的导入

俗话说：“良好的开端是成功的一半。”一节课的开始是学生学习知识的关键。好的开始可以使学生精力集中,充分激发学生学习的热情和求知欲望,促使学生深入思考,学好知识。那么,如何更好地导入新课呢？我认为要坚持正确的原则和选择较好的方法。一、化学课导入的原则1．新课的导入应具有吸引力注意力是学习的先导,它对学习的影响是最直接的。由于初中学生年龄小,缺乏一定的自觉性,无意注意占有很大成份,所以上课伊始,有经验的教师很注意利用导入新课这个环节,在极短的时间内巧妙地把学生分散的注意力吸引过来,通过谈话或一些具体…     

锂离子聚合物常温固体电解质的研究进展

综述了锂离子电池聚合物常温固体电解质的最新研究进展。主要关注的是电化学性能,尤其是室温下的离子电导率。对性能较好的聚合物固体电解质体系进行了概述。     

离子注入技术在山东蓝宝石优化处理中的应用

本文报道了用离子(Be~(2+)和Ti~(4+))注入技术优化处理山东蓝宝石的工作.对处理前后样品一系列测试和实验的结果表明:(1)样品经过离子注入处理后,表面光泽明显增强,表面光洁度保持良好;(2)山东蓝宝石注入Be~(2+)后,颜色较处理前更深,说明Be~(2+)虽然不是致色离子,但可对蓝宝石颜色产生明显的影响;(3)注入Ti~(4+)后,山东蓝宝石的颜色变浅变艳了.进一步证明了山东蓝宝石的颜色深是由于Fe~(2+)浓度高,同时Ti~(4+)浓度相对太低所致,对今后山东蓝宝石乃至其它宝石的优化处理提供了新的思路和方法.     

钙矾石吸附水的模型及等温式

钙矾石３ＣａＯ·Ａｌ２Ｏ３·３ＣａＳＯ４·３２Ｈ２Ｏ是水泥熟料水化的重要产物．它易被空气中的ＣＯ２ 分解,常温下的分解反应为３ＣａＯ·Ａｌ２Ｏ３·３ＣａＳＯ４·３２Ｈ２Ｏ ３ＣＯ２ →３ＣａＣＯ３ Ａｌ２Ｏ３·ｘＨ２Ｏ ３（ＣａＳＯ４·２Ｈ２Ｏ） （２６ -ｘ）Ｈ２Ｏ分解机理［１ ,２］是：Ｈ２Ｏ先吸附在钙矾石表面的活性中心上,吸附态水再吸收ＣＯ２ 成为Ｈ２ＣＯ３ ,然后碳酸与钙矾石反应,实现碳化（即分解）．其分解速率［３］为ｖ＝ｋｐｃｏ２ ｐＨ２ｏ（１）可见水的吸附是钙矾石碳化分解的关键步骤,因此探讨…     

隧道再生四有源区大功率半导体激光器

利用隧道再生原理实现半导体激光器在低注入电流下的高光功率输出。通过传输矩阵法对隧道再生四有源区光耦合半导体激光器的模式特性进行了理论分析,指出器件的激射模式应为TE3,且存在最优的内限制层厚度。利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)外延法生长了内限制层厚度分别为0.3μm、0.5μm和0.7μm的器件。内限制层厚度等于0.5μm的器件的P-I特性最好,腔面未镀膜时,在2 A的注入电流下其光输出功率大于5 W,P/I斜率达2.74 W/A。结果表明,为了得到尽可能高的光输出功率,需要合理地设计隧道再生多有源区激光器的内限制层厚度。     

La,V共掺杂的Bi_4Ti_3O_(12)铁电薄膜的溶胶-凝胶法制备及性能测试

采用溶胶-凝胶(sol-gel)工艺在Pt/TiO2/SiO2/p-Si(100)衬底上制备出Bi4Ti3O12(BIT)和Bi3.25La0.75Ti2.97V0.03O12(BLTV)铁电薄膜,研究了La,V共掺杂对BIT薄膜的晶体结构和电学性能的影响.BIT薄膜为c轴择优取向,BLTV薄膜为随机取向,拉曼光谱分析表明V掺杂降低了TiO6(或VO6)八面体的对称性,也增强了Ti—O键(或V—O键)杂化.BLTV薄膜的剩余极化Pr为25.4μC/cm2,远大于BIT薄膜的9.2μC/cm2,表现出良好的铁电性能.疲劳、漏电流测试显示BLTV薄膜具有优良的抗疲劳特性和漏电流特性,表明La,V共掺杂能有效地降低薄膜中的氧空位.     

AlGaInP thin-film LED with omni-directionally reflector and ITO transparent conducting n-type contact

In this paper a novel A1GalnP thin-film light-emitting diode （LED） with omni-directionally reflector （ODR） and transparent conducting indium tin oxide （ITO） n-type contact structure is proposed, and fabrication process is developed. This reflector is realized with the combination of a low-refractive-index dielectric layer and a high reflectivity metal layer. This allows the light emitted or internally reflected downwardly towards the GaAs substrate at any angle of incidence to be reflected towards the top surface of the chip. ITO n-type contact is used for anti-reflection and current spreading layers on the ODR-LED with ITO. The sheet resistance of the ITO films （95 nm） deposited on n- ohmic contact of ODR-LED is of the order 23.5Ω/△ with up to 90% transmittance （above 92% for 590-770 nm） in the visible region of the spectrum. The optical and electrical characteristics of the ODR-LED with ITO are presented and compared to conventional AS-LED and ODR-LED without ITO. It is shown that the light output from the ODR-LED with ITO at forward current 20mA exceeds that of AS-LED and ODR-LED without ITO by about a factor of 1.63 and 0.16, respectively. A favourable luminous intensity of 218.3 mcd from the ODR-LED with ITO （peak wavelength 620 nm） could be obtained under 20 mA injection, which is 2.63 times and 1.21 times higher than that of AS-LED and ODR-LED without ITO, respectively.[第一段]