BF2+注入多晶硅栅常规热退火氟迁移特性的二次离子质谱分析

借助二次离子质谱（SIMS）技术，深入地、系统地分析了80keV，2×10¹⁵ cm^-2BF₂⁺注入多晶硅栅在常规热退火条件下，F在多晶硅栅中的分布及迁移特性．F在多晶硅栅中的迁移，不但存在着扩散机制，而且还存在着发射和吸收机制，据此成功地解释了实验结果 关键词：     

悬浮液进样-原子吸收法测定中药材中铜、锌、铁

本文提出了一种悬浮液进样－火焰原子吸收法测定中药材－－怀药（怀山药、怀牛膝、怀菊花）的新方法。并成功地进行了Cu,Zn,Fe的测定。将粉碎后的怀药悬浮于琼脂胶体中制成悬浮液，对悬浮剂的选择及化不干扰的消除进行了考察。将试液喷入空气－乙炔火焰中，用标准加入法测定，结果与HNO3＋H2SO4＋HClO4处理法一致。t检验结果表明：两种样品处理方法之间无显著性差异，可以采用悬浮液进样法取代HNO3＋H2SO4＋HClO4处理法，该方法快速简便、安全，有效，结果令人满意。     

磁性壳聚糖复合微球的制备及其Cu~(2+)吸附性能

以球磨后的粉煤灰磁珠(MS)颗粒为磁核,通过溶胶凝胶法和反相微乳液法依次包覆SiO_2和壳聚糖(CS),制备了MS@SiO_2@CS磁性微球。利用扫描电镜及能量色散谱仪、热重分析仪、红外光谱仪、X射线衍射仪、振动样品磁强计对所得样品的结构和磁性进行了系统表征。结果表明,磁珠颗粒表面实现了逐层包覆,较均匀的分散于壳聚糖基体中,MS@SiO_2@CS微球的比饱和磁化强度可达7.04 emu·g~(-1)。Cu~(2+)离子吸附实验表明,所得磁性壳聚糖微球对Cu~(2+)具有良好的吸附能力,最大吸附量可达11.08 mg·g~(-1);而且可通过磁选法高效固液分离。吸附动力学研究表明,MS@SiO_2@CS微球对Cu~(2+)离子的吸附符合准二级动力学模型,以化学吸附为主。     

一类多方渗流方程正解的存在性和爆破性

该文研究了一类具有非局部Neumann边界条件和非线性吸收项的多方渗流方程解的全局存在性和爆破情况.首先针对所研究方程定义了其上下解,并建立和证明了比较原理;然后通过构造函数以及利用微分不等式、特征值特征函数、常微分方程的解和椭圆第二边值的解等方法对方程进行了研究,得到了对于不同取值范围的参数、权函数和初始值时,方程非负解的全局存在性和在有限时间内爆破的充分条件.     

利用函数思想解方程

利用函数思想解方程４４３５００湖北长阳龙舟坪中学李建军函数是高中数学的重要组成部分．贯穿整个高中学习阶段．其理试和应用涉及到各个方面．本文略举几例谈一谈函数思想在解庆Ｓ程中的应用．例１解方程（５ｘ＋３）３＋ｘ３＋６ｘ＋３＝０分析所结历程为三双方程，不...     

聚合物网络稳定铁电液晶中的条纹织构的研究

对聚合物网络稳定的铁电液晶体系进行了研究.实验表明,在聚合物网络单体聚合过程中施加低频交变电场，在偏光显微镜下观察到均匀的液晶分子排列出现一新的条纹织构.从体系自由能的角度对条纹织构给出合理的解释. 关键词：     

开辟物理教学第二课堂的途径

开辟物理教学第二课堂的途径李建军（山西省忻州地区农机校０３４０００）积极开展物理教学的第二课堂活动，对于人才的培养和更好地适应社会主义市场经济需要有着重要的意义．物理教学第二课堂可从以下几个途径开展．１课外阅读报刊杂志能够及时地反映当前科技信息及最新...     

导数分光光度法研究 V.零点法测量导数值的理论及应用

近几年来,导数分光光度法在无机物分析方面已做了一些工作,目前对宽吸收带体系应用导数技术的研究尚少见.这是由于宽吸收带体系经高阶求导后,信噪比明显下降,而低阶导数的分辨率又不高.本文探讨导数技术应用于宽吸收带体系的可能性及一般规律.一个高斯型谱带n次求导后,得到n个零点.这就为在低阶导数条件下消除干扰提供了条件,即在导数值的测量方法上寻找可能性.如果干扰组分的导数吸收曲线和基线相交处的波长恰好等于或接近待     

紫花地丁中汞的原子荧光法测定

利用还原气化的非色散型装置，以湿法消解的方式，建立了原子荧光测定紫花地丁中痕量汞的测定方法，同时比较了不同玻璃仪器的洗涤方法和不同的定量方法，试验回收率在86．9％－110．8％之间，误差＜8．5％，通过对实际样品的测定，得到了满意的结果。     

p型GaN低温粗化提高发光二极管特性

利用金属有机物化学气相沉积技术在蓝宝石衬底上低温生长GaN:Mg薄膜,对不同源流量的GaN:Mg材料特性进行优化研究.研究表明二茂镁(CP2Mg)和三甲基镓(TMGa)物质的量比([CP2Mg]/[TMGa])在1.4×10-3—2.5×10-3范围内,随[CP2Mg]/[TMGa]增加,晶体质量提高,空穴浓度线性增加.当[CP2Mg]/[TMGa]为2.5×10-3时获得空穴浓度与在较高温度生长获得的空穴浓度相当,且薄膜表面较粗糙.采用[CP2Mg]/[TMGa]为2.5×10-3的p型GaN层制备的发光二极管,在注入电流为20mA时,输出光强提高了17.2%.