激光聚变驱动器的光束相干性及其控制:回顾与展望

高功率强激光与物质相互作用蕴藏着丰富的非线性效应,激光聚变驱动器的光束具有高度相干性,它在光束传输过程中极大地凸显了这种效应,并不可避免地制约着激光功率的提升和激光能量的有效利用。回顾激光聚变驱动器的发展史,在提升激光输出能力的主线外,还存在一条与光束相干性做斗争的暗线贯穿其中。以激光与物质相互作用为牵引,从高功率强激光传输中非线性效应抑制和激光等离子体相互作用的抑制两方面回顾了激光聚变驱动器光束相干性的控制现状,并针对潜在需求,展望了未来高功率激光发展的创新技术。     

利用回波相干性的医学超声成像相位畸变校正方法

为了提高相位畸变条件下的医学超声成像的横向分辨率和对比度,提出了一种利用回波信号相干性的校正方法。首先给出平均相干系数的概念,并将其作为相位误差校正的度量,然后通过最大化平均相干系数逐步校正各个通道的延时误差,最后再利用经过校正的数据计算出一组新的相干系数并对回波信号进行加权优化,从而得到最终用于成像的数据。对点散射目标及斑散射目标的仿真结果分别显示,利用所提出的方法横向分辨率提高了约0.24 mm,对比度提高了约18 dB,且要优于邻近阵元互相关方法和相干系数直接加权的处理方法。利用回波相干性的相位畸变校正方法结合了相位误差校正和加权处理的优点,可以有效地改善医学超声成像的质量。      

火焰原子吸收法测定CdSe薄膜晶体管中Cd与Se的化学组成质量比

比特纯CdSe为标样，用火焰原子吸收法（FAAS），分别测定CdSe薄膜晶体管（TFT）中Cd与Se的含量及化学组成质量比，分别验证了CdSe粉末总量测定值，CdSe粉末化学组成质量比测定值，薄膜样品测定值的准确度，其相对误差分别为0．42％－3．8％和－0．5％。分析了薄膜样品化学组成质量比及影响其匹配的因素。通过测定数据对TFT的质量提供评价，进而指导操作工艺的改进。本实验由于采用同一标样，被测物质与标准样品的组成和浓度基本相同，消除了元素间的相互干扰，提高了分析结果的准确度，并无需作干扰和回收率实验。     

光量子开关

<正>经典信息网络中数据包通过路由器被准确地发送至收信地址。同样,在量子信息网络中,信息在网络节点间的准确传输也需要量子开关(量子路由器)。光子系统是量子通信和量子计算中常用的信息载体,因此光量子开关需要在不破坏光子所携带信息的情况下控制光子的传输路径。最近,以色列雷霍沃特的魏茨曼科学研究所Barak Dayan小组的一项研究有望解决这一问题。他们设计了一个光量子开关,实验原理如图1所示。通过控制耦合于微球光学谐振腔的铷原子量子     

ε-CL-20/F_(2311) PBXs力学性能和结合能的分子动力学模拟

本文应用分子动力学(MD)模拟方法,研究高能量密度化合物六硝基六氮杂异伍兹烷(ε-CL-20)与常用高聚物粘结剂F2311所构成的CL-20/F2311高聚物粘结炸药(PBXs)的力学性能和结合能随温度和高聚物浓度而变化的规律.结果表明,添加高聚物于主体炸药中,使其弹性模量减小,表明刚性减小,弹性增大,机械力学性能大为改善;在一定范围内,随高聚物F2311在PBXs中浓度的增加,体系结合能从正值变为负值,而随温度升高,体系的结合能变化不是很明显.     

神光Ⅲ原型装置背向散射光诊断系统的标定

背向散射光诊断系统是惯性约束聚变实验中的重要诊断装置。概述了神光Ⅲ原型激光装置背反系统的基本结构和工作原理,详细介绍了一种全口径光斑透过率和光谱响应标定方法。该方法以高功率激光光源和氙灯光源作为标定源,利用特殊的标定光路形成大光斑覆盖背反系统光学元件的全部口径,模拟散射光在全孔径背反系统上的分布,分别对系统的透过率和光谱响应进行了标定。标定结果表明,全孔径背向散射系统受激拉曼散射支路能对波长大于400nm的光进行传递,在527nm处的透过率较低。     

Research on some superheavy nuclei

Studies on some superheavy nuclei are performed. The α decay energies are calculated by an improved local binding energy formula, and the α decay half-lives are calculated by the Viola-Seaborg formula. Good agreements between theoretical and experimental results are reached.     

高电子迁移率晶体管放大器高功率微波损伤机理

在TCAD半导体仿真环境中,建立了0.25 m栅长的AlGaAs/InGaAs高电子迁移率晶体管(HEMT)低噪声放大器与微波脉冲作用的仿真模型,基于器件内部的电场强度、电流密度和温度分布的变化,研究了1 GHz的微波从栅极和漏极注入的损伤机理。研究结果表明,从栅极注入约40.1 dBm的微波时,HEMT内部峰值温度随着时间的变化振荡上升,最终使得器件失效,栅下靠源侧电流通道和强电场的同时存在使得该位置最容易损伤;从漏极注入微波时,注入功率的高低会使器件内部出现不同的响应过程,注入功率存在一个临界值,高于该值,器件有可能在第一个周期内损伤,损伤位置均在漏极附近。在1 GHz的微波作用下,漏极注入比栅极注入更难损伤。     

InAIAs／GaSbAs／InPDHBT与InP／GaSbAs／InPDHBT性能比较分析

双异质结双极晶体管（DHBT）的性能与发射区-基区（E．B）异质结和基区．集电区（B．C）异质结的能带突变类型关系密切,本文基于热场发射．扩散模型,对两类不同能带结构类型的新型DHBT的性能做了比较分析．结论表明：与作为当今研究热点的E．B和B．C异质结构均为全交错II型能带结构的InP／GaSbAs／InPDHBT的性能相比,E．B异质结采用传统I型、B．C异质结采用交错II型的一类新型能带结构的InAlAs／GaSbAs／InPDHBT虽然在开启电压上更高,但具有更好的电流驱动能力、直流增益和高频性能．     

山茱萸的大孢子发生和雌配子体发育

本文对山茱萸(Cornus officinalis Sieb.et Zucc.)的大孢子发生和雌配子体发育进行了研究,并用组织化学方法对胚珠组织中的RNA、DNA、蛋白质和不溶性多糖进行了测定观察.山茱萸的胚珠为单珠被、薄珠心,并在发育过程中形成结构特殊的珠被绒毡层、承珠盘和珠孔塞.孢原细胞直接起大孢子母细胞作用.合点端大孢子具功能.胚囊发育属寥型.在开花前2个月时,成熟胚囊中的2个极核融合次生核,3个反足细胞退化,形成由一个3-细胞卵器和一个具次生核的中央细胞构成的4-细胞雌配子体.某些助细胞中的核位于近合点端,珠孔端为大液泡所占据,次生核通常位于胚囊的合点端.对珠被细胞的RNA、DNA、蛋白质和不溶性多糖的染色均呈较强的正反应.在成熟后期的珠被各层细胞中,除多糖颗粒外,对其他几种物质的检测结果均表现出由外向内形成一个较明显的浓度梯度,即珠被绒毡层着色最深.在成熟的雌配子体中,以卵细胞对Brachet反应最强,其次是中央细胞.卵细胞含大量淀粉粒,助细胞和中央细胞含淀粉粒少,且颗粒比卵细胞中的小.卵细胞和中央细胞呈Feulgen负反应.