双噻唑苯二聚体自由基分子的极化率与二阶超极化率的理论研究

采用量子化学UMP2/6-31G(d,p)方法优化双噻唑苯二聚体自由基分子的几何结构,以0.05nm为单位步长拉长与缩短2分子片之间的距离,选取5个点,采用DFTUB3LYP/6-31G(d,p)方法,对双噻唑苯二聚体自由基分子的极化率和二阶超极化率进行理论计算.结果表明,自由基体系的单重态为相对稳定状态.在完全重叠的体系中,在单、三重态时极化率都随着2分子片间距离的增大而增加;三重态时二阶超极化率的绝对值随着2分子片间距离的增大而增大.部分重叠的体系,单重态时极化率随2分子片距离的增大而减小;三重态时,二阶超极化率的绝对值随着2分子片间距离的增大而增大.     

纳米MnO2的固相合成及其电化学性能研究(Ⅱ)--纳米γ-MnO2的电化学性能

用循环伏安(CV)和恒流放电及充放电技术测试了固相方法合成的纳米γ-MnO2的电化学性能.结果表明,纳米γ-MnO2在碱性电解液中具有优良的电化学活性.纳米样品在-0.2 V之后极化程度变小,电位下降的趋势明显减慢.重负荷放电时,纳米微粒样品显示出更大的优势,放电容量大幅度增加.CV图中显示,纳米MnO2的峰电流明显大于国际1号电解二氧化锰样品(记为S)的峰电流,表明在纳米样品中,质子、电子的嵌入和脱出以及Mn(Ⅲ)、Mn(Ⅱ)的溶解和沉积比S样中更易进行.     

直觉模糊商群及其同构

分析了文[4]中的直觉模糊子群关于它的正规子群的诱导商集的概念之不足,重新定义了直觉模糊商群,同时引入了商直觉模糊子群,并利用集合套研究了直觉模糊子群和直觉模糊正规子群,此外还讨论了其相关性质及同构定理.     

镍基催化剂上糠醛选择性加氢合成糠醇

采用浸渍法制备了一系列负载的Ni催化剂,用于糠醛选择性加氢反应.用XRD、TPR等手段对Ni/γ-Al2O3样品进行了表征.结果表明,Ni负载量在5~|15%范围内,高度分散于载体γ-Al2O3表面,Ni负载量进一步提高到20%,则在载体表面聚集成为微晶.在10%Ni/γ-Al2O3样品上提高焙烧温度有利于Ni的前驱体分解且高度分散于载体表面.Ni2 与γ-Al2O3存在较强的相互作用,但这种相互作用随着Ni负载量的增加而逐渐减弱,随着焙烧温度的增加而逐渐增强.与其他载体负载的Ni催化剂相比,Ni/γ-Al2O3由于其大的表面和适当的表面结构,在糠醛加氢反应中表现出一定的活性和较高的选择性,且随着Ni负载量的增加,活性逐渐增强,但选择性有所下降.另外催化剂的焙烧温度、还原温度,反应温度和溶剂对该反应均有较大影响,采用极性有机溶剂,适宜的焙烧和还原温度有利于催化剂活性和选择性的提高.     

沿[1 ■00]方向升华法生长6H-SiC单晶

本文采用升华法沿着垂直于c轴方向的[1 ■00]方向生长6H-SiC单晶。利用光学显微镜对晶体表面及腐蚀后的晶片进行观察,发现沿[1 ■00]方向生长出的单晶与传统方法沿[0001]方向生长单晶有很多的不同之处,多型对于籽晶的继承性非常强,但是在生长过程中多型夹杂不会发生,该方法生长的晶体中没有发现螺位错(微管)缺陷。     

几种Copula函数在沪深股市相关性建模中的应用

研究了Copula函数对沪深股市的相关性建模问题.许多学者用Gaussian Copula建模,但是它无法捕捉到尾部变化,尾部相关系数不存在.用t-Copula度量中国股市的相关性,捕捉到了尾部变化,并计算出了尾部相关系数,克服了Gaussian Copula对相关性建模的不足,并通过AIC准则比较得到t-Copula优于Gaussian Copula.最后对3种Archimedean Copula进行比较,通过比较它们与经验分布函数的距离,说明Gumble Copula更加适用于中国的金融市场.     

一组相互耦合的位相振子的同步和去同步

本文讨论了一组相互耦合的位相振子的同步与去同步行为的过程，每个位相振子的动力学行为用Kuramoto模型来描述。我们讨论了在近邻耦合的情况下，考虑到周期性边界条件，相当于手拉手式的圆环形结构。如果给定适当的初值条件，可以得到由这组位相振子的几何对称分布所决定的分成几个部分的同步行为。在此同步行为的过程中，如果改变其中任意一个位相振子的动力学行为，根据改变程度的不同，     

用四极矩展开方法计算H2-H2的相互作用对势

利用四极矩展开方法将H2-H2的相互作用对势对几种特殊构型进行展开,用从头算分子结构程序计算这些构型下的相互作用势,由此近似得出H2-H2的相互作用对势,并对不同的展开方法进行了比较研究.     

Dynamic Ni gettered by PSG from S-MIC poly-Si and its TFTs

A dynamic phosphor-silicate glass （PSG） gettering method is proposed in which the processes of the gettering of Ni by PSC and the crystallizing of α-Si into poly-Si by Ni take place simultaneously. The effects of PSC gettering process on the performances of solution-based metal induced crystallized （S-MIC） poly-Si materials and their thin film transistors （TFTs） are discussed. The crystallization rate is much reduced due to the fact that the Ni as a medium source of crystallization is extracted by the PSC during crystallization at the same time. The boundary between two neighbouring grains in S-MIC poly-Si with PSG looks blurrier than without PSG. Compared with the TFTs made from S-MIC poly-Si without PSC gettering, the TFTs made with PSC gettering has a reduced gate induced leakage current.     

透射电子显微术和高分辨X射线衍射技术研究AlN单晶生长习性

采用透射电子显微术和高分辨X射线衍射技术对氮化硼坩埚中自发成核的AIN单晶生长习性进行了研究.结果表明,在低温下,AIN单晶显露面为(0001)面,随着温度的升高,AIN单晶显露面转化为(1120)面.沟槽结构是高温下得到的AIN单晶共有的显著特征,其取向沿[0001]方向.