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21.
500.8 nmNd∶YAG青光激光器光学薄膜的设计与制备 总被引:5,自引:2,他引:3
从双波长激光运转及和频的机理出发,对LD泵浦Nd∶YAG,LBO腔内和频500.8 nm〖JP2〗青光激光器所使用的光学薄膜进行了设计和制备.在激光反射镜的设计上,为了达到最佳的和频输出,对膜系要求进行了深入分析.采用对谐振腔一端面反射率固定不变并通过对另一腔镜基频光的透射率进行调谐的方法, 在给出合理初始结构后,利用计算机对膜厚进行了优化.并采用双离子束溅射沉积的方法,通过时间监控膜厚法成功制备出青光激光器所使用的全介质激光反射膜, 在室温下实现946 nm和1064 nm双波长连续运转,并通过Ⅰ类临界相位匹配LBO晶体腔内和频在国内首次实现500.8 nm青色激光连续输出.当泵浦注入功率为1.4 W时和频青光最大输出达20 mW. 相似文献
22.
本文在很弱的条件下,证明对混合曲率曲面无穷小变形方程的Tricomi问题,存在L2弱解和H1强解。 相似文献
23.
24.
引言 就范条件F(ζ)≠0、6_0=O分别给出∑的子族∑_0∑';设p≥2为整数,记∑_p、S_P为∑、S中p次对称函数的全体.用M~(-1)表示函数族M之逆函数全体. 相似文献
25.
26.
数学问题解答 总被引:2,自引:0,他引:2
20 0 1年 1 2月号问题解答(解答由问题提供人给出 )1 3 46 已知 :点P是△ABC内一点 ,∠PAB =∠PBC =∠PCA=α.A′B′,B′C′,C′A′分别过A ,B ,C三点 ,且分别垂直于PA ,PB ,PC .求证 :S△ABC =S△A′B′C′sin2 α(江西省宜丰县二中 龚浩生 3 3 63 0 0 )证明 如图 ,过点C′作C′D⊥B′P于D ,连结CD .因为 PA⊥A′B′ ,PB⊥B′C′所以 A ,B′,B ,P四点共圆所以 ∠DB′B =∠PAB =α又显然 ,P ,B ,C′,D ,C五点在以PC′为直径的圆上 .所以 ∠PDC =∠P… 相似文献
27.
一类非经典扩散方程整体解的存在唯一性及长时间行为 总被引:5,自引:0,他引:5
本文讨论非经典扩散方程第一初边值问题整体解的存在唯一性及长时间行为,建立了一系列新的结果,较好地改进许多已有的结论. 相似文献
28.
29.
淳于书泰何绍堂 张启仁何安沈华忠 杨上金杜凤英蔡玉琴 顾元元黄文忠庄秀群 龙永录牟丹岷 郭秦孙永良 杨建国彭翰生温树槐 倪元龙余松玉 顾援周正良 毛楚生王世绩刘凤翘 范滇元王树森 陈万年 《中国科学A辑》1992,35(8):875-879
本文在神光装置上,进行了类氖锗X光激光双程放大实验研究.实验中使用了硅/钼多层膜X光平面反射镜.用平场光栅谱仪测量了X光激光的时间积分和时间分辨信号.实验证实了X光激光的双程放大.时间积分结果表明,双程放大为单程放大信号的5倍多;时间分辨结果表明,对多层镜的作用时间作修正后,双程放大信号的增强倍数还要大.在本实验条件下,多层镜的寿命约为400—700ps. 相似文献
30.
With the solid phase reaction between pulsed-laser-deposited (PLD) ZnOfilm and α-Al2O3 substrate, ZnAl2O4/α-Al2O3 complex substrates were synthesized. X-ray diffraction (XRD) spectra show that as the reaction proceeds, ZnAl2O4 changes from the initial (111)-oriented single crystal to poly-crystal, and then to inadequate (111) orientation. Corresponding scanning electron microscope (SEM)images indicate that the surface morphology of ZnAl2O4 transforms from uniform islands to stick structures, and then to bulgy-line structures. In addition, XRDspectra present that ZnAl2O4 prepared at low temperature is unstable at the environment of higher temperature. On the as-obtained ZnAl2O4/α-Al2O3 substrates, GaN films were grown without any nitride buffer using light-radiation heating low-pressure MOCVD (LRH-LP-MOCVD). XRD spectra indicate that GaN film on this kind of complex substrate changes from c-axis single crystal to poly-crystal as ZnAl2O4 layer is thickened. For the single crystal GaN, its full width at half maximum (FWHM) of X-ray rocking curve is 0.4°. Results indicate that islands on thin ZnAl2O4 layer can promote nucleation at initial stage of GaN growth, which leadsto the (0001)-oriented GaN film. 相似文献