具有电子阻挡层的2μm InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱激光器

为了降低2μm InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱激光器的阈值电流并获得良好的温度特性,在p型波导层及限制层之间引入AlGaAsSb电子阻挡层。采用理论计算方法模拟了电子阻挡层对InGaAsSb/AlGaAsSb LD输出特性的影响。研究结果表明:电子阻挡层结构可有效减少2μm InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱激光器的Auger复合,抑制量子阱中导带电子向p型限制层的溢出,降低器件的阈值电流,同时改善了温度敏感特性。     

Ga束流低温辅助清理GaAs衬底表面氧化物的研究

采用低流量Ⅲ族Ga束流在分子束外延中低温辅助清理GaAs衬底表面氧化物.采用高能电子衍射监控衬底表面氧化物清理过程并得出氧化物清理速率及氧化层对高能电子的吸收系数.根据清理速率对衬底温度依赖的Arrhenius关系,估算了Ga辅助清理过程中发生化学反应所需要的活化能.Ga束流辅助清理衬底表面氧化物技术在外延生长中具有实...     

InGaAsSb量子阱的MBE生长和光致发光特性研究

采用分子束外延(MBE)技术生长InGaAsSb多量子阱结构,利用光致发光光谱对材料的生长特性进行了研究.研究了衬底温度对材料激发光谱强度的影响,探索了发光波长与有源层量子阱厚度的关系.发现外延生长时衬底温度对材料的质量有重要影响;在一定范围内,量子阱厚度不断增加会导致材料的光致发光波长增加.     

2.0 μm 波段Sb基多量子阱材料的制备

采用分子束外延外延生长技术,优化InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱点材料的生长速率、生长温度和束流比等生长参数,获得了高质量的多量子阱材料。室温光荧光谱表明,材料的发光波长为2.0 m左右。该结果表明,通过优化生长条件和结构参数制备的量子阱材料,可以获得良好的结构质量和光学特性。所制备的器件室温条件下输出功率22 mW,阈值电流300 mA。     

InGaAsSb/GaSb量子阱能带结构及自发发射谱

讨论了不同In组分对InGaAsSb/GaSb量子阱能带结构,即带隙及带边不连续性(带阶)的影响。给出了较为精准的InGaAsSb禁带宽度与In组分的关系。分析了In组分对InGaAsSb/GaSb导带、价带带阶的作用。研究表明,随In组分的增加,InGaAsSb禁带宽度减小,应力加大,能带漂移增大,InGaAsSb/GaSb导带、价带的带阶减小。同时,利用上述研究结果合理地解释了InGaAsSb/GaSb自发发射谱的增益、发射峰位及半峰宽与In组分关系。研究In组分对InGaAsSb/GaSb量子阱能带结构及自发发射谱的影响,可以定性地解释已有的实验报道。     

溶液法制备PVP为界面修饰层的红荧烯结晶性薄膜

为了获得低成本、高结晶度的红荧烯薄膜,采用溶液加工的方法和聚合物界面修饰层研究了红荧烯薄膜的性质。首先,通过旋涂方法在Si/SiO₂衬底上先沉积一层聚乙烯吡咯烷酮（PVP）作为界面修饰层,利用偏光显微镜（POM）、原子力显微镜（AFM）研究了PVP层表面形貌及粗糙度。接着在PVP上滴涂红荧烯溶液后固化烘干,制备红荧烯晶体薄膜,研究了不同PVP浓度和不同成膜温度下界面修饰层对红荧烯表面形貌的影响。然后,利用X射线衍射（XRD）表征对比研究了薄膜的微观结构。最后,分析了红荧烯晶体薄膜的生长机制。实验结果表明：80~140℃及低浓度的PVP条件下能得到结晶度高、连续的红荧烯球晶,并且温度升高时,球晶尺寸变大。PVP作为界面修饰层有利于改善红荧烯的成膜性,制备高结晶度的晶体薄膜。     

Fe3O4纳米粒子对P3HT:PCBM电池的影响

为了提高太阳能电池的性能,研究磁性纳米粒子在外加磁场的作用下对聚合物太阳能电池有源层P3HT:PCBM成膜及太阳能电池性能的影响。本文采用热分解法制备了磁性Fe₃O₄纳米粒子,将不同质量分数的Fe₃O₄纳米粒子掺入到P3HT:PCBM溶液中,旋涂后在外加磁场的作用下自组成膜。通过TEM、XRD对制备的Fe₃O₄纳米粒子进行表征,并利用偏光显微镜、原子力显微镜对成膜质量进行探究。结果表明,采用热分解法制备的Fe₃O₄纳米粒子直径在10 nm左右,在外加磁场作用下,Fe₃O₄纳米粒子对成膜有一定的调控作用。当Fe₃O₄纳米粒子掺杂质量分数为1%时,太阳能电池器件的开路电压增加3.77%,短路电流增加24.93%,光电转换效率提高7.82%。     

基于三氯化铁催化作用制备大尺寸氧化石墨烯薄膜

本文用三氯化铁(FeCl₃)作催化剂制备了大面积的氧化石墨烯(L-GO)薄膜。 通过原子力显微镜(AFM)、偏光显微镜(POM)、红外光谱(FTIR)、X射线衍射(XRD)对FeCl₃催化剂存在下,不同温度和时间得到的L-GO薄膜进行形貌和结构研究。 结果表明,在 FeCl₃催化下L-GO薄膜片畴的面积为10 μm×10 μm,与无催化作用得到的GO薄膜相比增加了大约4倍。 从FTIR和XRD分析可以确定,大尺寸片畴的形成可以归因于催化作用促进了氧化石墨上的羟基、羧基、羰基等含氧官能团重新组合和连接。 据此,提出了FeCl₃催化下L-GO薄膜形成模型,为制备大面积石墨烯薄膜提供了新的途径。     

810-nm InGaAlAs/AlGaAs double quantum well semiconductor lasers with asymmetric waveguide structures

The 810-nm InGaAlAs/AlGaAs double quantum well （QW） semiconductor lasers with asymmetric waveguide structures, grown by molecular beam epitaxy, show high quantum efficiency and high-power conver- sion efficiency at continuous-wave （CW） power output. The threshold current density and slope efficiency of the device are 180 A/cm^2 and 1.3 W/A, respectively. The internal loss and the internal quantum efficiency are 1.7 cm^-1 and 93%, respectively. The 70% maximum power conversion efficiency is achieved with narrow far-field patterns.     

具有电子阻挡层的2 μm InGaAsSb/AIGaAsSb量子阱激光器

为了降低2 μm InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱激光器的阈值电流并获得良好的温度特性,在p型波导层及限制层之间引入AlGaAsSb电子阻挡层.采用理论计算方法模拟了电子阻挡层对InGaAsSb/AlGaAsSb LD输出特性的影响.研究结果表明:电子阻挡层结构可有效减少2μm InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱激光器的Auger复合,抑制量子阱中导带电子向p型限制层的溢出,降低器件的阈值电流,同时改善了温度敏感特性.