On relationship between convergence ball of euler iteration in banach spaces and its dynamical behavior on Riemann spheres

The relationship between the convergence ball of the Euler iteration in Banach Spaces and its exclusive fixed points on Riemann spheres is investigated. By using an exclusive fixed point of the Euler iteration, the convergence ball is determined accurately for a class of operators whose derivatives satisfy some generalized Lipschitz condition on Banach spaces.     

最佳同时逼近的特征与唯一性

本文对Banach空间中一类非凸集给出最佳同时逼近的特征和唯一性定理，从而推广和加强了他人近几年来的结果.同时，我们的结果也是他人结果的一个简单证明.另外，我们还给出了最佳同时逼近的强唯一性定理.     

同时CHEBYSHEV逼近

设Ω是紧 Hausdorff 空间,X 是 Bauach 空间,C(Ω,X)表示定义在Ω上取值于 X中的连续函数组成的线性空间,在 C(Ω,X)上赋予范数。     

有界线性算子空间中最佳逼近的强惟一性

研究有界线性算子空间中非线性最佳逼近的强惟一性和惟一性元的特征问题. 给出了算子空间中关于RS集最佳逼近的强惟一性定理, 并在c₀到c₀的紧算子空间中通过严格Kolmogorov条件建立了关于太阳集的惟一性元的特征定理, 从而改进和推广了Lewicki等人的近期工作.     

亲水性二芳基乙烯荧光分子开关的研究进展

二芳基乙烯荧光分子开关因具有优良的抗疲劳性和双稳态特征而被广泛地研究与应用,亲水化成为其作为荧光开关探针走向应用的关键点之一。本文综述了亲水性二芳基乙烯荧光分子开关当前的研究进展,归纳了实现亲水性的几种重要途径和结构,分析了各种亲水化方法的优缺点,并着重介绍了亲水性二芳基乙烯荧光分子开关作为荧光开关探针在化学传感、生物传感、生物成像以及超分辨成像等领域的应用现状,并指出当前应用研究中存在的一些问题,同时也对其未来的应用前景进行了展望。     

Banach空间中远达和同时远达问题的适定性

本文研究Ｂａｎａｃｈ空间Ｘ中远达和同时远达问题的适定性,在集合的Ｈａｕｓ－ ｄｏｒｆｆ距离下,对Ｘ中的闭凸子集Ｄ和相对弱紧的有界闭子集Ｋ,证明了下述结果： 若Ｄ关于Ｋ严格凸和有Ｋａｄｅｃ性质,则Ｄ中所有使远达问题 ｍａｘ｛ｘ,Ｋ｝是适定的 点ｘ全体在Ｄ中是Ｇδ型集．作为应用,得到了同时远达问题适定性的类似结果．     

Banach空间中关于有界集的同时远达问题的适定性

本文研究Banach空间中关于有界集的同时远达问题的适定性,在集合的Hausdorff距离下,证明了：对自反局部一致凸Banach空间中的闭有界集K,使所有关于K的同时远达问题是适定的紧凸子集A全体在紧凸子集全体中是Gδ型集．     

有源抗噪声护耳器H2/H∞优化方法研究

研究了一种基于人因参数几何模型的声学通路辨识策略, 可用于有源降噪技术中的通路辨识环节, 以降低因人体姿态改变而导致的降噪性能退化。该策略利用深度相机输出的点云数据提取人因参数并构建几何模型, 通过仿真和人工神经网络预测声学通路的传递函数矩阵。结果表明, 人因参数几何模型的降噪性能与点云模型接近, 适用于参数化扫描仿真。进一步通过实验验证了仿真的准确性以及所提策略的可行性。实验结果还表明, 人体姿态改变会导致声学通路传递函数发生复杂且显著的变化, 说明实际应用应考虑人体姿态改变所带来的影响。

     

Banach空间中同时逼近问题的适定性

研究一般Banach空间X中同时逼近问题的适定性.对严格凸的KadecBanach空间X中的相对有界弱紧闭子集G,建立了关于最佳同时逼近问题适定Bair纲结果.进一步,当X是一致凸空间时,证明了E(G)中使其最佳同时逼近问题不适定的序列在E(G)中是一个σ-多孔集.另外,还研究了关于最佳同时逼近元具有分歧域的集合G的几乎性.     

Zero-bias high-responsivity high-bandwidth top-illuminated germanium p–i–n photodetectors

We report efficient zero-bias high-speed top-illuminated p-i-n photodiodes （PDs） with high responsivity fabricated with germanium （Ge） films grown directly on silicon-on-insulator （SOI） substrates. For a 15 p-m-diameter device at room temperature, the dark current density was 44.1 mA/cm2 at -1 V. The responsivity at 1.55 μm was 0.30 A/W at 0 V. The saturation of the optical responsivity at 0 V bias revealed that this photodetector allows a complete photo-generated carrier collection without bias. Although the 3-dB bandwidth of the 15-p.m-diameter detector was 18.8 GHz at the reverse bias of 0 V, the detector responsivity was improved by one order of magnitude compared with that reported in the literature. Moreover, the dark current of the detector was significantly reduced.