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51.
52.
53.
波片相位延迟量精密测量新方法   总被引:11,自引:7,他引:11  
徐文东  李锡善 《光学学报》1994,14(10):096-1101
利用旋转波片的偏振干涉技术,结合机械-光学旋光调制器对光相位的调制,通过判断方波信号的有无,可精密地确定被测定片相位延迟的数值,机械-光学旋光调制器的使用,大大简化被测样品和测试装置中四分之一波片光轴方位的调整,也显著地提高了装置测量的灵敏度和波长测量范围,对环境不作特殊控制,依据本方法建立的测试装置的相对测量误差可小于千分之五。  相似文献   
54.
表面粗糙度测量的磁光位相调制和锁相干涉   总被引:1,自引:0,他引:1  
徐文东  李锡善 《光学学报》1994,14(12):303-1307
提出了一种表面粗糙度测量的新方法,该方法采用了微分偏振干涉的原理,利用由法拉第磁光调制器所组成的调制系统对偏振干涉光路的位相进行调制,利用锁相干涉原理对位相进行探测,该方法可实现无参考面快速非接触测量,在普通实验条件下,也可保持良好的稳定恶性循环 ,实验装置即可给出表面的轮廓又可给出其它统计数据,其横向分辨率为1.2μm纵向为2nm。  相似文献   
55.
李合龙  羿旭明 《数学杂志》2003,23(2):195-198
本文利用微分方程数值解的离散小波表示,讨论了此类方程在满足一定初始条件和边值条件下,在一个方向上利用小波伽辽金法,另一方向上利用吉尔方法进行求解,提出了一种解二维刚性初,边值问题的小波数值算法,计算结果表明,利用该方法所求得的数值解精度高,而且由小波特有的性质,它特别适用于求解带有奇异摄动的刚性问题。  相似文献   
56.
分布式配送系统在运输时间均匀分布条件下的性能分析   总被引:1,自引:0,他引:1  
《运筹学学报》2003,7(1):83-90
本文在运输时间不确定的前提下,对分布式配送系统在两个部件和最终产品早到无限制的情形下建立了随机优化模型。我们在极小化库存费用的同时以满足定时送货要求为目标,讨论了如何确定运输提前期,并给出了敏感性分析结果。  相似文献   
57.
研究了一类三阶非线性变滞量差分方程解的渐近性,给出了该类方程的非振动解当n→+∞时渐近趋于零或趋于某有限数值的几个充分条件.  相似文献   
58.
两维正交小波基 在许多实际问题中 ,经常会遇到多维的信号 (如图像等 ) ,因此只有一维小波基是不够的。不难证明 (见 [1 ])若φ( t)与Ψ ( t)是小波标准正交基的尺度函数与母函数 ,φjm( x) =2 j2 φ( 2 jx -m) ,Ψjm( x) =2 j2 Ψ ( 2 jx -m) ,则 {Ψjn( x)φjm( y) ,φjn( x)Ψjm( y) ,Ψjn( x)Ψjm( y) }j,m,nz构成两维平方可积函数空间 (即满足∫∞-∞∫∞-∞|f ( x,y) |2 dxdy <∞的全体函数所构成的线性空间 )的一组标准正交基 (见图 1 2 ( a) ( b) )图 1 2(六 )离散小波变换的应用举例( 1 )消除信号中的噪音信号在生成和传输过程…  相似文献   
59.
本文提出对动态特性参数设计使用相关系数与信噪比作为内表指标进行分析 ,并使用该分析方法优化了差示光度法测较高浓度金矿样的试验条件。  相似文献   
60.
Strongly Correlated Effect in TiS2   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
The thermoelectric compound TiS2 is studied by using the full-potential linearized augmented plane-wave method on the density functional theory with the generalized gradient approximation (GGA) as well as the on-site Coulomb interaction correction (+U). The Seebeck coefficient of TiS2 is calculated based on the electronic structure obtained within the GGA under the consideration of the on-site Coulomb interaction. The calculated Seebeck coefficient at 300K shows that Coulomb interaction U in the range of 4.97-5.42eV is important to reproduce the experimental data. The obtained energy gap Eg around 0.05 eV indicates that TiS2 is an indirect narrow-gap semiconductor.  相似文献   
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