离子束溅射自组装Ge/Si量子点生长的演变

采用离子束溅射技术,通过改变Ge的沉积量,在n型Si(100)衬底上自组装生长了一系列Ge量子点样品. 利用AFM和Raman光谱对样品表面形貌和结构进行表征,系统地研究了Ge量子点形貌、密度、尺寸大小以及Ge的结晶性和量子点中组分等随Ge沉积量的演变规律. 结果表明:Ge层从二维薄层向三维岛过渡过程中,没有观察到传统的由金字塔形向圆顶形量子点过渡,而是直接呈圆顶形生长;且随着Ge沉积量的增加,量子点密度先增大后减小,Ge的结晶性增强同时Ge/Si互混加剧,量子点中Si的组分增加. 关键词： 离子束溅射 量子点 表面形貌 Raman光谱     

绝缘氧化层上自离子注入Si薄膜W线发光性能的调控

对SOI基片上的Si薄膜进行了一系列Si⁺自注入和热退火的改性实验,并利用低温光致发光(PL)光谱对这些Si薄膜样品的发光性能进行了测试. 在这些SOI样品的PL光谱中观察到了丰富的光学结构,包括D₁,D₂,D₃,X以及异常尖锐的W线. 通过对比在同等光谱测试条件下的W线归一化强度,获得了针对SOI基片发射W线较为理想的自注入和热退火参数. 同时,还对D系列发光峰以及W线的缺陷起源和光学性质进行了很好的讨论. 关键词： SOI结构 自离子注入 W线 近红外发光器件     

非线性光学有机晶体材料的研究进展

随着科技的进步和时代的发展,光电子技术将是21世纪的核心技术之一.对于光电子技术的发展,非线性光学材料,尤其是非线性光学晶体是不可缺少的关键材料.本文主要从分子设计方面概述了阴阳离子二元生色团体系、纯有机分子、纳米晶体和有机金属复合物等几种主要的非线性光学有机晶体材料的研究情况,并对其各自的特点做了简单的说明.     

Influences of polarization effect and p-region doping concentration on the photocurrent response of solar-blind p–i–n avalanche photodiodes

The influences of polarization and p-region doping concentration on the photocurrent response of Al0.4Ga0.6N/Al0.4Ga0.6N/Al0.65Ga0.35N p–i–n avalanche photodetector are studied in a wide range of reverse bias voltages.The simulation results indicate that the photocurrent under high inverse bias voltage decreases with the increase of polarization effect,but increases rapidly with the increase of effective doping concentration in p-type region.These phenomena are analyzed based on the calculations of the intensity and distribution of the electric field.A high p-region doping concentration in the p–i–n avalanche photodetector is shown to be important for the efficient compensation for the detrimental polarization-induced electrostatic field.     

高质量GaN薄膜的MOCVD同质外延生长

采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,在GaN自支撑衬底上同质外延生长了GaN薄膜,得到高质量的GaN外延薄膜.X射线衍射(XRD)结果显示其(002)面摇摆曲线半高宽小于100弧秒,原子力显微镜(AFM)照片上能看到连续的二维台阶流形貌,其表面粗糙度小于0.5nm,其位错密度低于106 cm3.     

Study on the defect-related emissions in the light self-ion-implanted Si films by a silicon-on-insulator structure

This paper reports that the Si + self-ion-implantation are conducted on the silicon-on-insulator wafers with the 28 Si + doses of 7×10 12,1×10 13,4×10 13,and 3×10 14 cm 2,respectively.After the suitable annealing,these samples are characterized by using the photoluminescence technique at different recorded temperatures.Plentiful emission peaks are observed in these implanted silicon-on-insulator samples,including the unwonted intense P band which exhibits a great potential in the optoelectronic application.These results indicate that severe transformation of the interstitial clusters can be manipulated by the implanting dose at suitable annealing temperatures.The high critical temperatures for the photoluminescence intensity growth of the two signatures are well discussed based on the thermal ionization model of free exciton.     

基于三模冗余的运载火箭增压控制设备设计

目前某型号运载火箭增压输送系统采用机械式控制方式,该方式调试难度较高、误差较大;为此提出了一种基于三模冗余的数字式增压控制设备方案;该增压控制设备采用3个完全相同的处理单元进行压力数据采集及处理,在每个处理单元中,由数字式压力传感器进行贮箱压力测量并传送给单片机;通过单片机进行软件滤波和数据分析判读处理,输出控制信号;采用高可靠硬件表决单元对单片机输出的控制信号进行三取二表决,输出最终的电磁阀控制结果;试验表明,该增压控制设备易于调试和测试,测量精度在1%以内;该增压控制设备已完成样机研制,具有较高的通用性及可靠性。     

氮化碳材料的光谱学分析及光催化性能研究

为克服光催化材料可见光利用效率低的缺陷,通过三聚氰胺高温缩聚的方法合成了石墨型氮化碳(g-C₃N₄)材料。采用XRD,SEM,UV-Vis技术对氮化碳材料的微观结构和光学性能进行了表征,并通过降解罗丹明B溶液研究了缩聚温度和不同光源对光催化效率的影响。结果表明,合成的氮化碳层片状结构保存良好,尽管材料表面在高温下断裂形成了不规则的块体颗粒;随着煅烧温度的升高,催化剂在紫外光和可见光部分的吸收都显著增强,这可能是由于材料表面的岩石状块体颗粒提高了材料的比表面积,同时降低了光的反射又提高了对光的吸收。在罗丹明B的光降解测试中,催化剂在可见光和太阳光照射下均表现出了良好的催化效果,缩聚温度为580 ℃时效果最好,分别为94.8%(60 min)和91.1%(90 min)。该方法制备的石墨型氮化碳催化剂对利用清洁能源进行环境净化应用具有极大的潜在价值。     

简易吹扫-捕集装置在化学实验教学中的适用性探讨

在测定水中微量的挥发性有机物时,常利用吹扫-捕集技术对水样进行预处理,以浓缩分离待测物质,使其达到后续分析仪器的检测限值。吹扫-捕集装置通常价格昂贵,难以在分析化学、环境监测等实验教学中普遍配备。介绍了一套经过改造的简易吹扫-捕集装置,用以展示其工作原理。改造后的吹扫-捕集装置以低温有机溶剂捕集代替了原常规装置中的吸附剂捕集,简化了实验流程。对水中甲基叔丁基醚（MTBE）的预处理实验结果表明,该装置操作简单,原理展示清晰,实验数据相对精确,可有效加强学生对吹扫-捕集技术的理解。     

Experimental and numerical analysis of the multi-recessed gate structure for microwave silicon carbide power MESFETs

This paper reports that multi-recessed gate 4H-SiC MESFETs (metal semiconductor filed effect transistors) with a gate periphery of 5-mm are fabricated and characterized. The multi-recessed region under the gate terminal is applied to improve the gate--drain breakdown voltage and to alleviate the trapping induced instabilities by moving the current path away from the surface of the device. The experimental results demonstrate that microwave output power density, power gain and power-added efficiency for multi-finger 5-mm gate periphery SiC MESFETs with multi-recessed gate structure are about 29%, 1.1dB and 7% higher than those of conventional devices fabricated in this work using the same process.