瞄准制导仪中的调制盘光学系统分析

瞄准制导仪中的调制盘光学系统包含有光束投射系统、光束投影系统和旋转调制盘。基于旋转调制盘图案设计的原理,分析了瞄准制导仪中内、外调制图案与光学系统的配合问题。较详细地分析了激光束投射系统和投影系统。     

基于SMP破坏准则的饱和砂土弹塑性本构模型

利用土体的塑性流动理论，提出了用于描述饱和砂土在单调荷载作用下的应力一应变反应性质的弹塑性本构模型。土体总的变形由三部分组成：即弹性应变、与体积屈服机制相关的塑性应变和与剪切屈服机制相关的塑性应变，其中与剪切屈服机制相关的塑性应变的得出是基于SMP破坏准则。通过将模型预测的结果与试验结果进行对比，表明该模型能够较为准确地描述饱和砂土在单调加载条件下的反应性质。     

不同光谱成分条件下叶用莴苣矿质元素吸收分析

以叶用莴苣为试验材料,应用ICP-AES等技术,研究了不同光谱成分及其组合条件下生菜对矿质元素的吸收特性。结果显示:(1)生菜常量、微量矿质元素含量比约为Ca:Mg:K:Na:P=5.5:2.5:2.3:1.5:1.0,Fe:Mn:Zn:Cu:B=25.9:5.9:2.8:1.1:1.0,且LED及荧光灯处理下的生菜各元素含量均高于自然光,差异显著;(2)生菜在红蓝组合LED光R/B=1:2.75处理下对K,P,Ca,Mg,B元素的吸收量及累积量均达最大,LED及荧光灯红光均可显著促进生菜对Fe和Cu元素的吸收;(3)矿质元素含量较高及干物质积累量较高的处理均为LED灯R/B=1:2.75和B/W=1:1。     

基于符号分析的极大联合熵延迟时间求取方法

本文通过符号分析法求取联合熵的极大值点, 进而得到相空间重构的最佳延迟时间, 通过对几个典型的混沌系统进行数值仿真试验, 结果表明, 该方法简化了计算, 提高了效率, 能够准确快速地获得最佳延迟时间, 从而有效地重构原系统的相空间, 为混沌信号识别提供一种快速有效的途径. 关键词： 相空间重构 延迟时间 联合熵 符号分析     

分段研究“薄利多销”问题

本文是2019年全国大学生数学建模E题后续研究,根据前期出现的一些不足之处,从数据本身入手,按照不同时期的数据特征,重点分析折扣率对销售额的影响情况,分析薄利多销带给商场的不同变化,并进一步分析了折扣率与商场盈利之间的关系,给出了切实可行的经营理念和营销策略,即"薄利多销"必须要依据经营环境准确把控折扣力度,商场要迎合大众消费心理,聚拢商场人气,商场经营要有大局观、做好宣传造势.     

金属有机化学气相沉积法生长条件对AlN薄膜面内晶粒尺寸的影响

研究了金属有机化学气相沉积设备生长条件对AlN 薄膜质量的影响. 应用Williamson-Hall方法测试并分析了不同氮化时间、AlN缓冲层生长时间、 载气流量生长参数对AlN薄膜的面内晶粒尺寸的影响. 实验结果表明, 随着氮化时间减小, 缓冲层生长时间增加, 载气流量减少, AlN薄膜的侧向生长和岛的合并能力增强, 面内晶粒尺寸增大, 从而晶体质量也变好. 关键词： AlN Williamson-Hall 面内晶粒尺寸     

非倍测度下Marcinkiewicz积分交换子在Hardy空间中的有界性

在测度μ仅满足多项式增长性条件的假设下,证明了Marcinkiewicz积分算子M与Lipβ(μ)函数b生成的交换子Mb具有(H1(μ), Ln/(n?β)(μ))有界性,同时得到Mb的(Ln/β(μ), RBMO(μ))有界性.     

一些次线性算子在非齐性弱Herz空间中的有界性

本文在具有仅满足增长性条件测度μ的非齐性空间上引入了弱H erz空间,并讨论了某些次线性算子在该空间上的有界性;特别的,我们得到了分数次积分算子的有界性.     

微波电子回旋共振等离子体阴极电子束的实验研究

介绍了实验室研制的微波电子回旋共振(ECR)等离子体阴极电子束系统及初步研究结果，该系统包括微波ECR 等离子体源、电子束引出极、聚焦线圈等。通过测量水冷靶电流和靶上的束斑尺寸，实验研究了微波ECR 等离子体阴极电子束的流强、聚束性能等随电子束系统工作条件的变化。结果表明：微波输入功率越高、引出电压越高，引出电子束流强越大；工作气压对电子束流强的影响较复杂，随气压增加呈现出先降低后升高的特点；在7×10⁻⁴Pa 的极低气压下电子束流强可达75mA，引出电压9kV；能量利用率可达0.6；调整聚焦线圈的驱动电流，电子束的束斑直径从20mm 减小到13mm，电子束流强未有明显变化。     

Bi2Te3/Sb超晶格纳米线的外延生长和热电测量

通过脉冲电沉积,外延生长出小单元长度的Bi₂Te₃/Sb超晶格纳米线.借助哈曼方法,测量了超晶格纳米线阵列的热电性能,330 K时的ZT值可达0.15.研究了Bi₂Te₃/Sb超晶格纳米线阵列器件的制冷或者加热能力,发现器件的上下表面的最大温差可以达到6.6 K.