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11.
脉冲强磁场具有峰值磁场强及扫场速度快的特点,在一个磁场脉冲内可获得从零场到最高磁场强度的全部数据,因而测量结果具有较高的精确度和对比度。稀土发光材料因具有发光谱线丰富、发光效率高的特点,在照明、显示和传感等领域有着广泛的应用。在强磁场作用下,稀土发光材料展现出发光强度和颜色可调的特征,在磁场传感、磁场标定和磁控发光器件等方面有重要应用价值。文章利用武汉国家脉冲强磁场科学中心磁光测量装置,系统地研究了铒、铕等稀土元素掺杂的发光材料在脉冲强磁场作用下的发光光谱、发光强度以及精细能级结构等特征随磁场变化的规律,初步探索了脉冲强磁场下的磁光谱在晶体结构分析、能级结构确定、磁场标定以及磁场传感等方面的应用。 相似文献
12.
在介绍层次分析法基础上,以广东省水文发展“十五”规划为例分析了层次分析法在水文规划 中的应用,探讨了应用过程中应注意的几个问题。 相似文献
13.
郑丽陈宇李亮 《数学建模及其应用》2020,(4):101-109
本文是2019年全国大学生数学建模E题后续研究,根据前期出现的一些不足之处,从数据本身入手,按照不同时期的数据特征,重点分析折扣率对销售额的影响情况,分析薄利多销带给商场的不同变化,并进一步分析了折扣率与商场盈利之间的关系,给出了切实可行的经营理念和营销策略,即"薄利多销"必须要依据经营环境准确把控折扣力度,商场要迎合大众消费心理,聚拢商场人气,商场经营要有大局观、做好宣传造势. 相似文献
14.
在p-adic域上研究分数次Hardy型算子与CMO(Qnp)函数生成的多线性交换子,建立了交换子在Lebesgue空间和Herz空间上的有界性.对Hardy算子的多线性交换子也得到了相应的结果. 相似文献
15.
光伏支架是一种典型的不等高单层框架,有侧移失稳的光伏支架柱计算长度系数需考虑多方面因素的影响,无法直接套用现有规范公式.综合考虑了光伏支架短柱和长柱的刚度比γ、短柱和长柱的高度比β以及梁柱线刚度比K1的影响,进行了理论推导,得出了不等高单层框架柱有侧移失稳计算长度系数的计算公式,并制作表格以便工程人员查阅使用.然后以某典型光伏支架实际工程为算例,建立了有限元数值分析模型,并分别进行了线性屈曲分析和考虑几何非线性以及材料非线性的极限承载力分析.分析结果表明,提出的理论公式和计算表格能够精确地计算光伏支架有侧移失稳的极限承载力. 相似文献
16.
以砂土体渐进破坏问题为背景,采用显式方法进行高、低压下砂土统一模型的二次开发以克服隐式算法在软化计算中的强非线性不收敛问题,实现具有剪胀软化、剪缩硬化特性材料的模拟计算.在此基础上开展三个压力等级、不同位移加载速度条件下的平面应变压缩试验,分析位移加载速度对显式计算结果的影响效应.通过分析得到结论:(1)采用动力学显式算法对常压至高压范围的砂土统一模型进行计算是可行的,受荷响应随加载速度的降低逐渐趋于稳定并最终得到静力学计算结果,能够反映砂土在低压下的剪胀软化以及高压下的剪缩硬化特性;(2)砂土统一模型的显式计算结果受加载速度的影响呈双折线趋势,并存在加载速度界限值,试样在加载速度界限值前后呈现不同的受荷变形破坏形态;(3)采用显式计算方法开展砂土统一模型的准静态模拟过程中,须结合计算结果偏差面积比随加载速度的关系曲线,来确定满足一定偏差面积比并且小于界限值的准静态位移加载速度. 相似文献
17.
本文在具有仅满足增长性条件测度μ的非齐性空间上引入了弱H erz空间,并讨论了某些次线性算子在该空间上的有界性;特别的,我们得到了分数次积分算子的有界性. 相似文献
18.
Effects of polarization and p-type GaN resistivity on the spectral response of InGaN/GaN multiple quantum well solar cells 下载免费PDF全文
Effects of polarization and p-type GaN resistivity on the spectral response of InGaN/GaN multiple quantum well(MQW) solar cells are investigated. It is found that due to the reduction of piezoelectric polarization and the enhancement of tunneling transport of photo-generated carriers in MQWs, the external quantum efficiency(EQE) of the solar cells increases in a low energy spectral range(λ 370 nm) when the barrier thickness value decreases from 15 nm to 7.5 nm. But the EQE decreases abruptly when the barrier thickness value decreases down to 3.75 nm. The reasons for these experimental results are analyzed. We are aware that the reduction of depletion width in MQW region, caused by the high resistivity of the p-type GaN layer may be the main reason for the abnormally low EQE value at long wavelengths(λ 370 nm). 相似文献
19.
介绍了实验室研制的微波电子回旋共振(ECR)等离子体阴极电子束系统及初步研究结果,该系统包括微波ECR 等离子体源、电子束引出极、聚焦线圈等。通过测量水冷靶电流和靶上的束斑尺寸,实验研究了微波ECR 等离子体阴极电子束的流强、聚束性能等随电子束系统工作条件的变化。结果表明:微波输入功率越高、引出电压越高,引出电子束流强越大;工作气压对电子束流强的影响较复杂,随气压增加呈现出先降低后升高的特点;在7×10−4Pa 的极低气压下电子束流强可达75mA,引出电压9kV;能量利用率可达0.6;调整聚焦线圈的驱动电流,电子束的束斑直径从20mm 减小到13mm,电子束流强未有明显变化。 相似文献
20.