Gd2CuO4薄膜与Si, SiO2/Si基底界面相互作用研究

采用XRD和俄歇电子能谱（AES）等技术研究了钙钛矿型Gd2CuO4薄膜与基底Si和SiO2/Si的界面相互作用,发现衬底对Gd2CuO4薄膜的晶化特性有很大影响,以单晶Si为基镀时,Gd2CuO4薄膜经600℃热处理1h即可形成钙钛矿型晶体结构,而以SiO2/Si为基底时,经700℃热处理1h能形成较完善的钙钛矿型晶体结构,Gd2CuO4薄膜的晶粒度随热处理温度的升高而增大,热处理时间对晶粒度则影响较小,AES深度剖析表明,形成的薄膜组成均匀,在界面上有一定程度的扩散,以Si为基底时,Gd2CuO4与基底Si相互扩散,以SiO2/Si为基底时则主要是薄膜中Gd,Cu向SiO2层中的扩散,AES线性分析表明,在薄膜与基底的界面上,各元素的俄歇电子动能发现位移,表明基底作用使界面上元素的化学环境发生了变化。     

单分散Ni簇锚定在CN上用于高效光催化析氢

利用太阳光在常温常压下驱动光催化反应高效进行是解决人类面临的能源、环境问题从而实现绿色化学的理想方案之一.然而,兼顾效率、成本和稳定性的高性能光催化体系的研究依然存在巨大的挑战.石墨氮化碳(g-C3N4)基光催化剂由于高稳定性、无毒无害和适合的能带结构,在光催化制氢方面存在巨大潜力.然而,表面的慢反应速率导致了光生电子...     

一种测定主流卷烟烟气中固相自由基总量的新方法

研究了一种准确测定主流卷烟烟气中固相自由基总量的新方法. 通常人们采用剑桥滤片来捕集主流卷烟烟气中的固相自由基, 但它并不适合用于准确测定主流卷烟烟气中的固相自由基的总量, 研究发现有超过20%的主流卷烟烟气中的固相自由基可以透过剑桥滤片. 找到了一种电子顺磁共振波谱(EPR)信号很小的、适合用来捕集主流卷烟烟气中的固相自由基总量的过滤片. 采用了以在相同条件下测得的1,1-二苯基-2-苦基肼基(1,1-Diphenyl-2-picryl-hydrazyl, 简称DPPH)的EPR信号强度与强煤的EPR信号强度相比得到的相对EPR信号强度与自由基的自旋数建立校准曲线的方法来计算烟气固相自由基的量, 降低了使用不同的电子自旋共振波谱仪造成的对同一种检测样品测定结果的差异. 通过不同实验室内和实验室间的验证实验, 证明了此方法有很好的重复性和重现性.     

主流卷烟烟气中气相自由基测定方法的改进

按照ISO 4387标准进行吸烟, 通过自行研制的捕集装置, 以2-苯叔丁基硝酮(PBN)的四氯化碳溶液捕集气相自由基. 将捕集到气相自由基的溶液先用液氮冷冻, 再定时解冻以抑制其衰减, 并有效地去除氧气对气相自由基定量分析的干扰, 获得理想的测定重复性. 用电子顺磁共振波谱仪(EPR)检测气相自由基, 以2,2,6,6-四甲基哌啶-1-氧(TEMPO)作为标准样品, 以碳酸钙稀释的煤粉作为校正样品, 定量计算气相自由基. 测定方法有较好的重复性和较高的灵敏度, 可以满足日常卷烟烟气气相自由基的定量分析的需要.     

水热法合成MOS2层状材料及其结构表征

以硫脲为还原剂和硫源,利用水热法在160～220℃下反应,合成了具有很好晶相的MoS2．采用XRD,XPS和TEM对其进行了结构表征,比较了反应温度对于成晶的影响,并且讨论了反应机理．研究表明,用此种方法合成MoS2较以往的水热合成所用时间短,温度低,获得的晶相好,同时还有效地避免了使用吡啶等有机溶剂所带来的污染,为合成其他过渡金属硫化物提供了新途径．     

可见光响应Bi2WO6薄膜的制备与光电化学性能

采用非晶态配合物-提拉法在ITO导电玻璃基底上制备得到Bi2WO6薄膜. 采用FE-SEM、XRD、Raman、DRS、光电流响应谱、IPCE等手段, 研究了Bi2WO6薄膜的形貌、结构、光电性能以及薄膜结构与光电性能的关系. 结果表明, 450 ℃以上煅烧可以得到Bi2WO6结晶薄膜, 薄膜由沿(131)晶面趋向生长的Bi2WO6纳米颗粒组成, 颗粒的粒度随煅烧温度的升高而增大, 同时颗粒之间的间距也相应增大. ITO/Bi2WO6薄膜电极在可见光(λ>400 nm)照射下可以产生光电流, 光电流强度与光强度线性相关; 光电流强度和光电转换量子效率受Bi2WO6薄膜结构的影响, 通过控制薄膜的煅烧温度等制备条件, 可以提高薄膜光电极的光电转换量子效率.     

TiO_2纳米粒子的表面修饰研究

利用表面修饰法合成了油酸 (OA)修饰的TiO2 纳米粒子 ,采用红外光谱 (IR)、透射电子显微镜 (TEM)和X射线光电子能谱 (XPS)对表面修饰的TiO2 纳米粒子进行了结构表征 ,并研究了油酸浓度对TiO2 表面覆盖量及在油中分散性能的影响 .研究结果表明通过油酸表面修饰 ,成功合成了具有油分散性能的纳米TiO2 ,并且获得了油酸修饰量与TiO2 的最佳配比 .     

俄歇化学位移及其在表面化学上的应用

从俄歇电子激发过程讨论了化学位移和元素化合价以及电负性的关系, 提供了常用元素在不同化合物中的俄歇电子动能及化学位移数据, 运用俄歇化学位移研究了氧在锌表面的吸附和初始氧化反应, Ti/SiO_2的界面固相反应机理以及摩擦过程中润滑膜的组成和结构.     

Bi2MoO6纳米薄膜的制备及其光电性能

采用非晶态配合物法在ITO导电玻璃上制备了Bi2MoO6薄膜. 采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、激光拉曼光谱(LRS)、紫外-可见漫反射谱(DRS)、光电流响应谱、光电转换量子效率(IPCE)等技术研究了Bi2MoO6薄膜的制备工艺、形貌、结构与薄膜光电性能的关系. 结果表明, 500 ℃、1 h焙烧后的Bi2MoO6薄膜为γ-Bi2MoO6晶相, 沿(131)晶面方向生长, 薄膜厚度约为69 nm. 随着焙烧温度的升高和焙烧时间的延长, Bi2MoO6薄膜的平均颗粒度增大, 并且在525 ℃焙烧出现β-Bi2MoO6和γ’-Bi2MoO6晶相. Bi2MoO6薄膜具有可见光响应活性, 在可见光照射下可以产生光电流, 优化条件下的Bi2MoO6薄膜在400 nm的光电转换量子效率可以达到2.14%. 薄膜的光电响应和光电转换量子效率受薄膜形貌及结晶状态影响, 可以通过控制薄膜的制备条件来提高薄膜的光电转换量子效率.