钐的聚酰亚胺配合物的微波辐射固相配位合成和表征

钐离子（Ⅲ）与苯代三聚氰胺和2，4－甲苯基二异氰酸酯（TDI）生成的聚脲再与均苯四酸二酐生成的聚酰亚胺的固相配位反应。考察了微波辐射时间（功率）、稀土离子和聚合物的配比以及温度等因素对配合物产率及配合物中钐离子含量的影响，测量了配合物的红外光谱、拉曼光谱、扫描电镜、^13C固体核磁共振及X－射线粉末衍射等，并推测了配合物可能的结构。测定了配合物中钐离子的含量，通过荧光发射光谱测量了配合物的荧光发射强度，并与相应的常规加热配位进行比较。通过磁化曲线测量了配体和配合物的磁性能。实验结果表明：此类配合物不具有钐离子的特征荧光峰，钐离子的第一激发态能级和配体的三重态能级之间不能匹配。另外配合物显示出稀土离子的优良的磁性能。     

SOFC阳极阻挡层La0.3Ce0.7O2-δ薄膜的制备

镓酸镧基SOFC存在的关键问题是在阳极/电解质界面发生固相反应生成绝缘相,一个根本的解决办法是在阳极与电解质之间制备一层薄且致密的阻挡层La0.3Ce0.7O2-δ(LDC30).本文采用共沉淀法制备了LDC30的前驱体,高温煅烧后,通过XRD分析和粒度分布测试,表明La2O3成功地掺杂到CeO2晶格中,制得了粒径较小的纯相LDC30粉体,并确定了最佳的煅烧条件是在1000℃下煅烧2h.采用丝网印刷法将阻挡层浆料涂覆在电解质表面并高温烧结,通过烧结收缩曲线及微观形貌观测,发现在1400℃时烧结2h可以成功的制备一层厚约10μm的致密的阻挡层薄膜,将电池的放电性能提高了44;.     

一种新的侧链型液晶高分子的光谱研究

本工作使用FTIR、FT-RAMAN、~1H-NMR和~(13)C-NMR等方法,对一新型的侧链型液晶高分子聚-2,5-双(4-甲氧基苯甲酰氧基)苯乙烯的结构进行了表征,并对形成液晶态的分子间相互作用力作了讨论。实验结果表明,这种侧链型液晶高分子的相互作用主要发生在作为侧基的液晶基元之间。聚合物的核磁谱表现异常,其原固有待进一步研究。     

聚醚砜/酚酞基聚醚砜共混相容性及凝胶特性研究

采用混合热焓法和稀溶液粘度法预测了聚醚砜/酚酞基聚醚砜体系相容性,并观察了聚醚砜/酚酞基聚醚砜共混制膜液的凝胶值与共混比的关系.聚醚砜/酚酞基聚醚砜为部分相容体系,其相容性与组成有关.共混制膜液的凝胶值受共混组成的影响,并非纯组分制膜液凝胶值的线性加和.     

高效液相色谱法直接测定芳香族氨基酸

芳香族氨基酸包括苯丙氨酸(Phcnylalanine,Phe)、酪氨酸(Tyrosine,Tyr)、色氨酸(Tryptophan,Trp)等.定量分析芳香族氨基酸在蛋白质化学和临床诊断与研究中具有重要意义~([1]).高效液相色谱法(HPLC)~([2,3])是分析氨基酸的常用方法.文献~([3])采用梯度洗脱在不同波长处分别测定Tyr、Phe和Trp,在7 min内完成测试.本研究采用高效液相色谱法(HPLC)-紫外检测,检测波长为257nm,同时测定Tyr、Phe和Trp的含量.     

微乳液对铁(Ⅲ)-N-苯甲酰-N-苯基羟胺显色反应的增敏作用

1 引言本文以离子型和非离子型表面活性剂配制微乳液Triton X-100/SLS/n-C_5H_(11)OH/H_2O为介质,BPHA为显色剂进行痕量铁的光度测定,并以显色剂在水-微乳液和水-胶束中的分配系数K_D研究了徽乳液增敏作用机理。2 实验部分2.1 主要试剂和仪器 铁标准溶液:含Fe~(3+)20μg/ml;0.5％N-苯甲酰-N-苯基羟胺(BPHA)乙醇溶液;微乳液原液1~#,2~#;胶束溶液:Triton X-100:SLS=6.0:0.6:93.4(重量比);HAc-NaAc缓冲溶液pH=5.5。722型光栅分光光度计(上海第三分析仪器厂);25型酸度计(上海电冰箱厂)。2.2 试验方法 于50ml容量瓶中,加入6.0ml铁标准溶液,再依次加入10ml HAc-NaAc缓冲溶液,10ml微乳液原液或胶束溶液,6.0mlBPHA溶液,摇匀,以水定容,20℃下放置20min,于460nm处,以试剂空白作参比,用2cm比色皿,测定吸光度。3 结果与讨论3.1 吸收光谱 Fe(Ⅲ)-BPHA为不溶于水可溶于有机溶剂的黄色络合物,其在CCl_4中的最大吸收波长为440nm,以Triton X-100-SLS复配微乳液为介质可制成单相的微乳液-Fe(Ⅲ)-BPHA体系,表明此微乳液对Fe(Ⅲ)-BHPA具有增溶作用。试验的最佳体系是以微乳液原液1~#组成(Triton X-100:SLS:n-C_5H_(11)OH:H_2O=1.2:0.12:0.72:97.96)的微乳液为介质,此体系中Fe(Ⅲ)-BPHA吸收峰红移至460nm,A=0.45.     

原位制备氧化钛/氮掺杂石墨烯空心球光催化剂及其光催化CO2还原性能研究

利用光催化技术将二氧化碳转化为化学燃料是缓解温室效应以及能源危机的理想途径之一.因此,开发高效的光催化剂是当务之急.氧化钛由于具有优异的物理化学稳定性、成本低廉、无毒性以及环境友好等优点,近年来被广泛关注.此外,空心球结构光催化剂具有短的载流子扩散距离、良好的光散射性以及较大的比表面积等优点,从而成为光催化二氧化碳还原最有潜力的候选材料.但纯的氧化钛空心球由于较快的光生载流子复合速率从而导致低的光催化效率.因此,为了应对这一挑战,我们尝试在氧化钛空心球表面负载助催化剂用以促进光生载流子的分离,从而提高光催化二氧化碳还原转换效率.在各种助催化剂中,贵金属被证明是有效的.然而,高成本以及稀缺性限制了贵金属的广泛应用.因此,有必要设计成本低廉的助催化剂替代品.石墨烯以其优异的导电性、较大的功函数以及来源丰富而备受关注.当石墨烯与n型半导体光催化剂结合在一起时,能够显著促进光生电子从半导体光催化剂向石墨烯的定向迁移,从而有效地抑制光生电子与空穴的复合.当石墨烯中掺杂氮元素时,石墨烯骨架中的电子密度会进一步提高,同时,氮原子中的孤对电子更加有利于石墨烯骨架中的电子传输.此外,氮掺杂石墨烯中不同的氮位点(吡啶氮、吡咯氮和石墨氮)作为路易斯碱位点,能够用以二氧化碳分子的吸附以及活化.然而,迄今为止,最常用的制备半导体/氮掺杂石墨烯纳米复合光催化剂的方法是在氮掺杂石墨烯表面生长半导体光催化剂.所制备的光催化剂与氮掺杂石墨烯之间界面接触有限,不利于光生载流子的快速传递与分离.此外,助催化剂和光催化剂之间建立高质量的界面接触可以有效地抑制光生电子与空穴的复合.因此,有必要绕开传统制备方法的弊端,从而设计与光催化剂之间具有大的接触面积和紧密的界面接触以及具有丰富活性位点的高质量氮掺杂石墨烯助催化剂.本文提出了一种新的策略,以吡啶为氮掺杂石墨烯的前驱体,通过化学气相沉积方法在氧化钛空心球表面原位生长超薄氮掺杂石墨烯层(1～2层).此外,在高温状态下,吡啶分子脱氢生成具有优异扩散性质的脱氢吡啶自由基气相分子,随着反应的进行,氧化钛表面的每个纳米颗粒基元表面都能够与吡啶分子充分接触,从而保障两者之间大面积以及紧密的界面接触.光催化二氧化碳还原性能测试结果表明,优化后的氧化钛/氮掺杂石墨烯空心球纳米复合材料的二氧化碳光催化总转化率(一氧化碳、甲醇和甲烷的总产率)为18.11 μmol g-1 h-1,是空白氧化钛空心球的4.6倍和商业P25的10.7倍.高分辨透射电子显微镜、X射线光电子能谱以及拉曼光谱结果表明,成功构建了氧化钛与氮掺杂石墨烯之间紧密接触的界面.同时,氮掺杂石墨烯的引入能够显著增强复合光催化剂的表面光热效应以及氧化钛与氮掺杂石墨烯界面肖特基势垒的形成均有助于促进光催化二氧化碳还原反应的进行.因此,本文为石墨烯基光助催化剂的原位构建提供了一种行之有效的策略.     

Nd1—xBaxMnO3和La0.67Mg0.33Mn0.85M0.15O3（M=Mn,Ga,Fe）中Mn？…

研究了Ｎｄ１－ｘＢａｘＭｎＯ３和Ｌａ０．６７Ｍｇ０．３３Ｍｎ０．８５Ｍ０．１５Ｏ３的导电性，发现Ｍｎ位的自旋磁矩排列状态一大小 和对体系的导电性有强烈的影响，在Ｎｄ１－ｘＢａｘＭｎＯ３中，当Ｍｎ＾３＋／Ｍｎ＾４－的浓度比值为２：１．１：１，１：２时，电阻率出现半导体－金属转变，推论该类体系的导电性首先由体系中Ｍｎ＾３＋和Ｍｎ＾４＋自旋磁矩形的磁结构状态决定，然后才取决于由Ｂａ掇杂浓度所决定的载流子     

制备方法对新型锡锆固溶催化剂结构及其选择催化一氧化氮还原性能的影响

固定SnO2含量为60％，采用不同沉淀方法和在不同沉淀条件下制备了锡锆溶体催化剂Sn0.45Zr0.55O2，考察了沉淀过程对其结构和性能的影响，控制尿素浓度为总金属离子（Sn^4 Zr^4 )浓度的20倍，采用均相沉淀法制备的锡猪固溶体Sn0.45Zr0.55O2对催化NO还原具有最高活性和较好的重复性，在350℃下最大NO转化率达到74％，XRD，Raman,XPS,BET比表面测定和孔结构分析表明，沉淀条件不同，沉淀物的成核及生长过程不同，对SnO2与ZrO2之间的固溶度，催化剂表面元素分布，比表面和孔道结构以及催化活性都有较大的影响，ZrO2在SnO2(r)晶格中较高的固溶度，Sn在催化剂表面一定程度的偏析以及催化剂较大的孔径均有利于提高对NO还原反应的催化活性。     

多针对板负电晕放电电离区形貌确定

在前期对常压下多针对板负电晕放电伏安特性研究的基础上,利用光学发射光谱(OES)法检测放电产生的N₂发射光谱,研究其电离区形貌。根据N₂发射光谱中峰值最大的第二正态激发谱峰强度I_SPB在高压针电极周围的空间分布,较精确地确定了电离区形貌;在电离区内体积分I_SPB,获知I_SPB与放电电流I之间的关系。实验结果表明,电离区大小随着外加电压U升高而增大;电子雪崩始于距离针尖半径约1 mm处的球面上,并且只在mm量级范围内发展,即电离区的大小为mm量级;电子雪崩沿针尖轴向比沿径向发展范围大,电离区形貌为“子弹”状;I_SPB的积分值与I成二次相系数很小的二阶线性关系,故放电中受激物质主要是N₂;高能电子主要存在于电离区,迁移区中形成电流的带电粒子为离子。