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121.
高压消解-ICP-AES测定木材及木制品中的铜铬砷 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了木材及木制品的制备,样品被制成锯末,过孔径为0.5mm的筛,在105℃烘干4~5 h,采用方差分析法进行样品均匀性试验。比较了湿法、干法、高压消解(包括密闭微波消解系统和钢衬聚四氟乙烯消解罐消解)样品的前处理方法。从比较结果来看,湿法消解适用于测定样品中可溶性的铜铬砷,干法消解和高压消解适用于测定样品中总的铜铬砷,但干法消解使砷有挥发损失。探讨了酸度效应和基体效应。建立了高压消解—ICP-AES测定木材及木制品中铜铬砷总量的方法。铜铬砷的检出限(3σ)分别为:1.2,0.2,7.1 mg·kg-1,相对标准偏差为0.2%~1.5%,回收率为92%~106%。该方法为控制木材、木制品及其废弃物中有害物质提供了更为合理的结果,已应用于实际的检测工作。 相似文献
122.
氢化物连续发生等离子体原子发射光谱法测定氟石中痕量砷 总被引:4,自引:0,他引:4
将氢化物连续发生等离子体原子发射光谱(CF HG ICP AES)联用技术应用于氟石中痕量砷的测定,对方法的工作参数进行了试验,方法的线性范围为0.005 0~0.100 0 mg·L-1,检出限为0.8 g·L-1,回收率为95%,RSD为5.0%。 相似文献
123.
采用响应面法研究了CuCl2-Na3PO4复合改性半水硫酸钙(HH)的除砷性能,单因素实验表明,改性时间、温度、pH值、CuCl2浓度和Na3PO4浓度对改性HH的砷吸附性能均有不同程度的影响,As(Ⅴ)脱除率最高可达95.1;.通过中心复合设计法(BBD)实验优化改性条件,得到改性HH砷吸附效率预测模型.二因素交互作用对砷吸附效率的响应面分析表明,CuCl2浓度增加,砷脱除率增大;CuCl2浓度较低时,砷脱除率随Na3PO4浓度增大而增大,反之减小;pH值增大,砷脱除率先增大后降低.最优改性条件为:11.18 mmol/L CuCl2浓度、0.72mmol/L Na3PO4、pH值为7.3、温度为60 ℃、改性反应5h,改性HH砷脱除率可达96.7;.XRD和SEM表征分析发现吸附产物中含CaHAsO4· 2H2O,表明砷在改性HH表面发生了化学沉积.研究结果可为HH功能材料在环境领域的应用发展提供一定参考. 相似文献
124.
uv-decomposition method for solving a mathematical program with equilibrium constraints (MPEC) problem with linear complementarity constraints is presented. The problem is first converted into a nonlinear programming one. The structure of subdifferential a corresponding penalty function and results of its uv-decomposition are given. A conceptual algorithm for solving this problem with a superUnear convergence rate is then constructed in terms of the obtained results. 相似文献
125.
原子吸收光谱法测定水溶液中银不确定度的评定 总被引:5,自引:0,他引:5
分析了影响原子吸收光谱法(AAS)测定水溶液中银的主要因素,并对其所引起的不确定度分量进行评估。对含银0.10~2.00 mg·L-1的水溶液,置信水平95%时,测量结果的扩展不确定度为0.020 mg·L-1,有效自由度为50。 相似文献
127.
利用金属有机物化学气相沉积系统在蓝宝石衬底上通过有源层的变温生长,得到In组分渐变的量子阱结构,从而获得具有三角形能带结构的InGaN/GaN多量子阱发光二极管(LED)(简称三角形量子阱结构LED).变温光致发光谱结果表明,相对于传统具有方形能带结构的量子阱LED(简称方形量子阱结构LED),三角形量子阱结构有效提高了量子阱中电子和空穴波函数的空间交叠,从而增加了LED的内量子效率;电致发光谱结果表明,三角形量子阱结构LED器件与传统结构LED器件相比,明显改善了发光峰值波长随着电流的蓝移现象.通过以上 相似文献
128.
129.
Photoconductive semiconductor switches (PCSSs) are widely used in high power ultra-wideband source applications and precise synchronization control due to their high power low-jitter high-repetition-frequency. In this letter, a 14-mm gap semi-insulating GaAs PCSS biased under 20 kV is triggered by a 1064-nm laser with a repetition frequency of 30 Hz. Although the trigger condition is greater than the threshold of the lock-on effect, the high gain mode is not observed. The results indicate that the high gain mode of the PCSS is quenched by decreasing the remnant voltage of pulsed energy storage capacitor. 相似文献
130.
设计了一种带有纳米天线的金属微腔结构, 以实现高强度表面等离子的定向激发. 在利用双狭缝结构实现表面等离子体波定向激发的基础上, 分别结合共振增强和干涉相长原理, 在传统结构的入射端面上添加纳米天线结构, 并增加狭缝通道数, 实现了定向激发的表面等离子体波的能量增强. 基于纳米天线的多通道高强度定向表面等离子体波激发装置结构简单, 系统紧凑, 并能够有效提高定向传播的表面等离子体波的能量密度和传播距离, 其对微纳光学传输和高密度光学集成领域等方面的研究具有重要意义. 相似文献