差分激光热透镜光度法测定钴

本文利用激光透镜效应在激光束腰前后的反对称效应,以双样品池差分法对Co进行定量测定。单样品池和双样品池的最低可测浓度分别为5ng/ml和2ng/ml。分析灵敏度高于常规的分光光度计法10倍。He-Ne激光束功率为2mw。     

不可压和几乎不可压材料的三维混合有限元法

Fried证明了由最小势能原理导出的有限元方程组,当泊松比v→0.5时,其条件数→∞.Herrmann提出以位移和平均压强H为独立变元的新变分原理,即Herrmann变分原理。我们曾证明过由此导出的有限元方程的条件数,对一切0≤v≤0.5一致有界。Herrmann变分原理适用于0≤v≤0.5的一切情形,特别是解决了当v→0.5时,方     

线性方程组数值解的有效位数判定

J.H.Wilkinson指出:“……对一个计算解的误差建立可靠的界,这个界对病态方程组的精密的解来说也不是悲观的,这决不是一件简单的事”。至于需要准确指出计算解有几位有效数字,通常对于较良态的方程组也未必可能;而对于病态方程组就更加困难。 再者,人们分析过许多算法,指出某算法较之某另一算法的数值稳定性强(例如,线性方程组用QR分解来求解较之用部分选主元的Gauss消去法求解数值稳定性强),但是,就一个具体的方程组而言,用数值稳定性较强的算法得到的解,是否一定优于用数     

Bi2Te3的杂质微分凝对温差电性质的影响

在Bridgman法生长的P型和N型Bi₂Te₃等取向晶体中发现杂质微分凝次结构,对不同微分凝程度的Bi₂Te₃晶体的电导率、温差电动势率、热导率和霍尔系数在80—330°K温度范围内进行了测量,并分析了在有外场和温度梯度存在时载流子的输运性质,着重研究了杂质微分凝对温差电参数的影响,证实了增加晶体表观热导率的一种机构。     

O—烷基苯基硫代磷酰取代硫脲的合成（Ⅲ）：含P—C键化合物的…

利用Ｏ－烷基苯基硫代磷酸酸异硫氰基酯与胺与胺的加成反应，合成了两系列Ｏ－烷基苯基硫代磷酰取代硫脲化合物，经元素分析、ＩＲ和＾１ＨＮＭＲ确定了它们的结构，并进行了除草活性的测试。     

侧向局部加热对流的周期性

通过流体力学方程组的数值模拟,研究了侧向局部加热条件下Prandtl数Pr=0.0272时流体对流的周期性.结果表明:随着Grashof数Gr的增加,对流按稳态对流、单局部周期对流、双局部周期对流、准周期对流的顺序发展.当Gr<3.6×103时,对流为稳态;在3.6×103相似文献   

高斯光束对标准硅球直径测量的影响分析

针对高精度硅球直径测量系统的特点,分析平面波反射光的多光束干涉和双光束干涉,以及正入射时高斯光束反射光中心的多光束干涉和双光束干涉,对不同条件下的高斯光束反射光中心的干涉光强进行了数值模拟.对采用五步相移算法时高斯多光束干涉的影响进行了研究,给出了特定参数条件下不同束腰ω0和传播距离z时的最大相位误差,当ω0=5 mm,z=2000 mm时的最大相位误差达0.08%.     

Number-Phase Quantization and Deriving Energy-Level Gap of Two LC Circuits with Mutual-Inductance

For two LC circuits with mutual-inductance, we introduce a new quantization scheme in the context of number- phase quantization through the standard Lagrangian formalism. The commutative relation between the charge operator and the magnetic flux operator is derived. Then we use the Heisenberg equation of motion to obtain the current and voltage equation across the inductance and capacity. The results clearly show how the current and voltage in a single LC circuit are affected by the circuit parameters and inductance coupling coettlcient. In addition, adopting invariant eigen-operator method the energy-level gap of the dynamic Hamiltonian which describes two LC circuits with mutual-inductance is obtained.     

Fluctuation of Mesoscopic RLC Circuit at Finite Temperature

We consider the fluctuation of mesoscopic RLC circuit at finite temperature since a resistance always produces Joule heat when the circuit is working. By virtue of the thermo field dynamics and the coherent thermo state representation we show that the quantum mechanical zero-point fluctuations of both charge and current increase with the rising temperature and the resistance value.