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采用共沉淀方法制备了名义组分为Zn1-xMnxO(x=0.001,0.005,0.007,0.01)的Mn掺杂的ZnO基稀磁半导体材料,并研究了在大气气氛下经过不同温度退火后样品的结构和磁性的变化.结果表明:样品在600℃的大气条件下退火后, 仍为单一的六方纤锌矿结构的ZnO颗粒材料;当样品经过800℃退火后,Mn掺杂量为0.007,0.01的样品中除了ZnO纤锌矿结构外还观察到ZnMnO3第二相的存在.磁性测量表明,大气条件下600℃退火后的样品,呈现出室温铁磁性;而800℃退火后的样品,其室温铁磁性显著减弱,并表现为明显的顺磁性.结合对样品的光致发光谱的分析,认为合成样品的室温铁磁性是由于Mn离子对ZnO中的Zn离子的替代形成的.
关键词:
ZnO
掺杂
稀磁半导体
铁磁性 相似文献
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In this paper,the supersymmetric Camassa-Holm equation and Degasperis-Procesi equation are derived from a general superfield equations by choosing different parameters.Their peakon-type solutions are shown in weak sense.At the same time,the dynamic behaviors are analyzed particularly when the two peakons collide elastically,and some results are compared with each other between the two equations. 相似文献
64.
65.
冗余设计使核电厂系统广泛存在复杂时序失效行为,而基于静态故障树(Static fault tree, SFT)的事故风险评价无法对时序失效行为进行准确模拟。为解决这一问题,本工作提出一种基于事件树+动态故障树(Dynamic Fault Tree, DFT)的事故风险分析框架,并以典型三代压水堆主蒸汽管道破裂事故为例,开展动态事故风险案例分析。首先,建立主蒸汽管道破裂事故的事件树模型以及相关系统的DFT模型;其次,将系统故障树分为DFT模块和SFT模块,并将DFT树模块替换为超级事件参与后续计算;最后,采用割集法计算案例结果,并在相同条件下与传统SFT方法进行对比。案例分析结果表明:(1)相较于SFT方法,所提方法更为贴近系统的真实失效场景;(2)针对文中案例所提方法可以降低相关系统失效概率与部分事故序列的发生频率、有助于释放保守风险。 相似文献
66.
67.
基于13原子二十面体结构,采用密度泛函方法系统计算研究了Fe、Co及Ni单质及二元混合团簇的磁性.发现有限温度下团簇磁性随结构畸变的敏感性随Fe、Co、Ni顺序逐渐减弱,同时发现二十面体结构Fe_(13)及Co_(13)均具有不同磁矩的近简并低能态.对FeNi及CoNi混合团簇、其磁矩随组分的变化不存在反常现象,但对于FeCo混合团簇、其磁矩随组分的演化行为存在个别反常现象.我们认为:这种反常现象能够对FeCo非晶合金中的实验观测结果提供一种可能的理论解释. 相似文献
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Copper phthalocyanine film, a p-type organic semiconductor, is synthesized by vacuum sublimation and its surface morphology is characterized by SEM. A silicon-based copper phthalocyanine film gas sensor for NO2 detection is fabricated by MEMS technology. The results show that the resistance and sensitivity of copper phthalocyanine film decrease obviously as the NO2 concentration increases from Oppm to lOOppm. However, the sensitivity nearly keeps a constant of O. 158 between 30 ppm and 70 ppm. The best working temperature of the gas sensor is 90℃ for NO2 gas concentrations of lOppm, 20ppm and 30ppm, which is much lower than that of general metal oxide gas sensor. 相似文献
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Effect of Reactor Pressure on Qualities of GaN Layers Grown by Hydride Vapour Phase Epitaxy 下载免费PDF全文
The influence of reactor pressure on GaN layers grown by hydride vapour phase epitaxy (HVPE) is investigated. By decreasing the reactor pressure from0. 7 to 0.5 mm, the GaN layer growth mode changes from the island-like one to the step flow. The improvements in structural and optical properties and surface morphology of GaN layers are observed in the step flow growth mode. The results clearly indicate that the reactor pressure, similarly to the growth temperature, is One of the important parameters to influence the qualities of GaN epilayers grown by HVPE, due to the change of growth mode. 相似文献
70.
介绍了由锂回路、直线等离子体装置及液态锂净化系统等组成的液态锂综合实验回路平台。研究了液态锂与高密度等离子体相互作用、液态锂与结构材料相容性、液态锂净化和液态锂回路热工水力学参数测量等问题。实验结果表明,流动液态锂的蒸发速率与放电电流、氩气流量及磁场强度呈正相关关系。由流动液态锂产生的锂蒸气在轴向分布不具规律性,在径向分布呈高斯分布。流动液态锂的蒸发速率随着实验时间的增长逐渐升高,并趋于稳定。磁场抑制了液态锂的流动性。在磁场和等离子体长时间的作用下,流动液态锂表面生成一层很薄的氧化锂。 相似文献