两种计算吸光光度法同时测定钙镁

研究了在pH10．5的硼砂-氢氧化钾缓冲溶液和乙醇的增敏作用条件下，偶氮氯膦Ⅰ与钙、镁的吸收特性，建立了多波长光度法同时测定钙和镁的方法。采用两种矩阵算法对试验数据进行处理，并对结果进行比较和分析。钙和镁含量在0～25μg／25ml范围内用计算法Ⅱ能得到准确结果。     

N-TiO2/ZnO复合纳米管阵列的掺杂机理及其光催化活性

以ZnO纳米柱阵列为模板, 采用溶胶-凝胶法制备出TiO2/ZnO和N掺杂TiO2/ZnO的复合纳米管阵列. 扫描电镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)和紫外-可见漫反射吸收光谱(UV-Vis)的结果表明: 两种阵列的纳米管均为六角形结构, 直径约为100 nm, 壁厚约为20 nm; 在N-TiO2/ZnO复合纳米管阵列中, 掺入的N离子主要是以N-Ox、N-C和N-N的形式化学吸附在纳米管表面, 仅有少量的N离子以取代式掺杂的方式占据TiO2晶格O的位置; 表面N物种形成的表面态能级和取代式掺杂导致带隙的窄化, 增强了纳米管阵列的光吸收效率, 促进了光生载流子的分离. 光催化实验结果表明, N离子的掺杂有利于N-TiO2/ZnO复合纳米管阵列光催化活性的提高.     

稀土萘乙酸邻菲绕啉三元配合物的合成和表征

合成了6种稀土(RE)-萘乙酸(NAA)-邻菲绕啉(Phen)固体配合物,其通式为RE(NAA)_3·Phen(RE=Y,La,Nd,Sm,Eu,Er)。通过元素分析,摩尔电导,IR,UV-Vis,H-NMR,XPS和TG-DTA分析,研究了配合物组成、性质及稀土离子与配体间的成键特性。     

北京化学会举行高等学校有机化学教学问题座谈会

目前高等学校有机化学教学工作中对如何处理教材,尤其是对教材中量子化学的应用,反应机制的讨论以及“四大谱”(核磁、质谱、红外、紫外)和共振理论的处理和安排等方面,存在着疑难。为此,北京化学会于1979年10月下旬,由北京化学会副理事长陈光旭教授主持举行了北京地区高等学校有机化学教学问题座谈会。王序、邢其毅、张滂、胡秉方教授等知名有机化学家以及北京大学、清华大学、北京师范大学、北京工业大学、北京农业大学、北京医学院、北京化工学院、北京师范学院、北京钢铁学院等校有机化学课程的主讲教师参加了座谈会。     

Ag(TCNQ)准一维微米结构的制备及表征

利用溶液化学反应法制备了准一维结构的金属有机配合物Ag(TCNQ). X射线衍射(XRD)表明，所制备的Ag(TCNQ)为晶态结构;扫描电子显微镜(SEM)的观察证明，Ag(TCNQ)为准一维的微米管或线；Raman 测试结果表明，单根的Ag(TCNQ)形成时,Ag原子与TCNQ分子之间发生了电荷转移.对样品的制备工艺,即 Ag膜厚度和浸入溶液的反应时间对生成Ag(TCNQ)晶体形貌的影响进行了研究.结果表明，Ag膜越薄，生长出的晶体越稀疏;Ag膜与TCNQ乙腈溶液的反应时间影响其形貌的变化.反应历经三个阶段,晶体形成和长大阶段、反应完全阶段及溶解阶段.     

全合成法光纤预制棒制造研究

介绍了一种全新的全合成法G.655和G.656光纤制造工艺,详细分析了该工艺中芯层折射率差Δ0、芯层厚度a、第二包层的折射率差Δ2、第二包层的厚度c2等结构参量与光纤光学性能的关系.结果表明,制造该两种光纤时,Δ0应在0.012 0～0.015 5之间,Δ2应在0.014 0～0.023 0之间,a应在2.8～3.2 μm之间,c2应在满足截止波长的要求下尽可能小.     

圆形工件正次品检验及再加工模型

针对圆形工件合格性检验问题建立了两个优化模型,运用Matlab软件进行编程求解,确定了圆心的位置,据此判断出工件一为正品,工件二为次品.接下来为判断能否将次品经过再加工使其成为正品,建立了模型三,并指出了对工件二的简单再加工方法.     

大功率固态调制器的仿真研究

 设计了大功率固态调制器的新型固态脉冲开关模块。通过分析电力电子仿真软件Saber中绝缘栅双极晶体管(IGBT)物理模型的概念和等效电路,结合实验数据建立了IXDH20N120型IGBT的模型,研究了Saber环境下,不同参数条件和拓扑结构对调制器电路输出特性的影响。仿真结果表明：动态均压网络在有效地保护开关的同时,可以减少IGBT的开关损耗;电路中器件离散性与系统分布参数会造成调制器输出波形质量下降,效率降低。并对调制器在负载打火情况下,因严重不均流而损坏器件故障的机理作了分析,实验证明仿真结果和分析与实际相符。     

Peakon Solutions to Supersymmetric Camassa-Holm Equation and Degasperis-Procesi Equation

In this paper,the supersymmetric Camassa-Holm equation and Degasperis-Procesi equation are derived from a general superfield equations by choosing different parameters.Their peakon-type solutions are shown in weak sense.At the same time,the dynamic behaviors are analyzed particularly when the two peakons collide elastically,and some results are compared with each other between the two equations.     

Effect of Reactor Pressure on Qualities of GaN Layers Grown by Hydride Vapour Phase Epitaxy

The influence of reactor pressure on GaN layers grown by hydride vapour phase epitaxy （HVPE） is investigated. By decreasing the reactor pressure from0. 7 to 0.5 mm, the GaN layer growth mode changes from the island-like one to the step flow. The improvements in structural and optical properties and surface morphology of GaN layers are observed in the step flow growth mode. The results clearly indicate that the reactor pressure, similarly to the growth temperature, is One of the important parameters to influence the qualities of GaN epilayers grown by HVPE, due to the change of growth mode.