矩阵函数f(A)的计算方法

通过以λ为变量的多项式f(λ)定义了矩阵多项式f(A),并将矩阵多项式的计算方法推广到矩阵函数.同时给出了矩阵函数f(A)的又一种计算方法.     

自同构群阶为4p1p2···pn 的有限群

设G 是有限群, m 是已知正整数, 求解方程|Aut(G)| = m 中的有限群G 是一个难度很大的问题. 此课题的系统研究始于上世纪70 年代末. 后来陆续有包括本文作者在内的研究者对于m 是一些特殊的数时方程的求解问题进行了研究, 目前已经取得了一系列的结果. 本文在过去研究的基础上研究|Aut(G)| = 4p₁p₂···p_n 的求解问题, 并求出了全部有限群, 推广了杜妮和李世荣的结果.     

一类非齐次微分方程特解的矩阵求法

针对n阶非齐次线性微分方程,将其对应齐次方程的n个特解及其各阶导数连同自由项构成增广矩阵,并对该矩阵进行初等行变换,从而求得方程的一个特解.     

一类有理分式积分的解法

将求有理分式积分的传统待定常数法推广到待定函数法,给出有理分式积分中求部分分式的公式解法,此法可解决一类有理函数的积分问题．     

Measurement of the spatial resolution and the relative density resolution in an industrial cone-beam micro computed tomography system

The spatial resolution and the relative density resolution are the two most critical indicators in CT system. The method recommended in the ASTM E1695-95 and GJB 5311-2004 is only suitable to the fan-beam CT system. In this paper, for industrial cone-beam micro CT system, we will adopt the edge response function (ERF) created by the step edges of a steel ball to measure the system 3D PSF and MTF. To describe the contrast discrimination function more accurately, we will first propose to extend the two-dimensional measurement region to the three-dimensional space. Our experimental spatial resolution is (55.56±0.56) lp/mm and the relative density resolution is 1% within 300 μm×300 μm×300 μm according to the 3σ rule.     

�۱�ҳ�ʵ��װ��STARDUSTʧ����¹ʵ���ֵģ��

建立了聚变灰尘实验装置STARDUST相应的数值计算模型,用数值模拟对失真空事故(LOVA)实验物理过程进行了重现。模拟计算了该实验装置在不同位置处的破口产生LOVA后的速度场发展过程。给出腔室内关键位置速度变化曲线,并与实验所测量到的相应点的速度变化曲线进行了比较。结果表明应用计算流体力学所进行的数值模拟计算达到了对实验重现的目的,其中RNG k-ε湍流模型能够对发生失真空事故下的气体流动状态进行较好的模拟,而且可以较好地预测失真空事故的风险。     

HL-2Mװ�ü�����Ȧ֧�Žṹ����

利用ANSYS有限元软件,分别采用静态及动态分析方法对HL-2M装置极向场线圈支撑结构进行了分析,获得了典型工况载荷作用下的应力分布、位移及变形。结果表明,支撑结构能够满足装置的设计要求。为进一步优化支撑结构提供了参考数据。     

一种红外体温测量装置的研究与制作

本文测量了一种热释电双敏元传感器的物理特性,研究了被测物体运动速度、测量距离、环境温度和湿度对测量结果的影响.在此基础上,自制了非接触测温装置,可实时监控移动人体的体温.     

TOEPLITZ OPERATORS ON HEISENBERG GROUP

Denote by Ω the Siegel domain in Cn, n 〉 1. In this paper, we study the essential spectra of Toeplitz operators defined on the Hardy space H2（а↓Ω）. In addition, the characteristic equation of analytic Toeplitz operators iааs obtained.     

包含硅量子点的富硅SiNx 薄膜结构与发光特性

采用等离子体增强化学气相沉积法, 以NH₃与SiH₄为反应气体, n型单晶硅为衬底, 低温(220 ℃)沉积了富硅氮化硅(SiN_x)薄膜. 在N₂氛围中, 于500–1100 ℃ 范围内对样品进行了热退火处理. 采用Raman 光谱技术分析了薄膜内硅量子点的结晶情况, 结果表明, 当退火温度低于950 ℃时, 样品的晶化率低于18%, 而当退火温度升为1100 ℃, 晶化率增加至53%, 说明大部分硅量子点都由非晶态转变为晶态. 实验通过Fourier 变换红外吸收(FTIR)光谱检测了样品中各键的键合结构演变, 发现Si–N键和Si–H键随退火温度升高向高波数方向移动, 说明了薄膜内近化学计量比的氮化硅逐渐形成. 实验还通过光致发光(PL)光谱分析了各样品的发光特性, 发现各样品中均有5个发光峰, 讨论了它们的发光来源, 结合Raman光谱与FTIR光谱表明波长位于500–560 nm的绿光来源于硅量子点, 其他峰则来源于薄膜内的缺陷态. 研究了硅量子点的分布和尺寸对发光带移动的影响, 并根据PL峰位计算了硅量子点的尺寸, 其大小为1.6–3 nm, 具有良好的限域效应. 这些结果有助于制备尺寸不同的硅量子点和基于硅量子点光电器件的实现. 关键词： 硅量子点 氮化硅薄膜 光致发光 Fourier 变换红外吸收