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91.
基于DSM的知识约简方法研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
根据对象属性的差异性与相似性,以及对DSM(difference-similitude matrix)矩阵元素m^dij,m^sij;的特性分析,定义了属性的重要度和合并度,给出了最佳属性约简集的修正子集的求解方法,从而提出了基于:DSM的知识约简方法,该方法能在保证规则相容的情况下生成少量规则,同时只使用部分条件属性。通过约简UCI机器学习数据库,并与粗集理论约简的结果比较,表明了该方法的合理性和有效性,并在约简效率和规则的正确率上都要好于粗集理论。  相似文献   
92.
Novel distributed Bragg reflectors (DBRs) with 4.5 pairs of GaAs/AlAs short period superlattice (SPS) used in oxide-apertured vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs) were designed. The structure of a 22-period Al0.9Ga0.1 As (69.5 nm)/4.5-pair [GaAs (10 nm)-AlAs (1.9 nm)] DBR was grown on an n+ GaAs substrate (100) 2° off toward <111>A by molecular beam epitaxy. The emitting wavelength was 850 nm with low threshold current of about 2 mA, corresponding to the threshold current density of 2 kA/cm2. The maximum output power was more than 1 mW. The VCSEL device temperature was increased by heating ambient temperature from 20 to 100℃ and the threshold current increased slowly with the increase of temperature.  相似文献   
93.
应用控制科学理论离散事件动态系统摄动分析思想,提出了一种基于无时钟事件追踪法进行并行仿真的快速算法.根据被模拟网络在一组参数下的仿真样本轨迹,同时并行构造一簇不同参数集合下的网络系统样本轨迹.实验结果表明该算法大大提高了通信网随机模拟与性能评估的效率.  相似文献   
94.
申双龙 《分析化学》1998,26(11):1339-1341
报道了苄氧基甲基-12-冠-3-的合成,并以此化合物作载体研制成锂离子选择电极。用苄氧基甲基-12冠-3-为载体的电极对锂离子响应拇性范围为1.0×10^-1-8.3×10^-5mol/L.检测限为4.2×10^-5mol/L,斜率为57.4mV/pLi。电极具有好的稳定性和重现性。  相似文献   
95.
基于固态化磁开关、低阻抗脉冲形成网络和感应电压叠加等关键技术, 提出并研制了一台固态化高功率长脉冲驱动源。在前期通过2 GW单次实验验证技术方案的基础上, 研制了中等电压等级的重复频率初级电源;改进了两级磁脉冲压缩系统的复位和绝缘特性;优化了系统整体电路结构, 利用感应电压叠加器完成充电磁开关和脉冲升压的双重功能;设计了合理的复位路径, 实现了各部分磁芯的在线直流复位;并开展了重频运行研究。在电阻负载上获得了输出功率2.1 GW、脉宽约170 ns、重复频率20 Hz及运行时间1 s的实验结果, 脉冲波形的重叠一致性好。  相似文献   
96.
<正>SiO2是铁矿石主要杂质成分之一,是评价铁矿石品质的重要指标,常采用X射线荧光光谱法[1]测定其含量。测定前,需要先用具有一定浓度水平范围的标准样品系列建立校准曲线,校准曲线性能检验不仅是方法确认和验证的重要内容,还是测量溯源的有效途径,获得满意测量结果的基础。大多数日常检测中,仅用校准曲线的相关系数作为曲线质量的评判准则是不够的,这是因为相关系数只能说明数据点是否近似在一条直线上,而不能评估校准曲线的精密度和准确度。  相似文献   
97.
酮的不对称还原   总被引:5,自引:0,他引:5  
按反应类型分类,综述了酮的不对称还原方法及其近年来的新进展。  相似文献   
98.
半导体/超晶格分布布拉格反射镜的特性研究   总被引:2,自引:1,他引:1  
在n+ GaAs (10 0 )衬底上由分子束外延技术 (MBE)生长了以 [GaAs/AlAs]超晶格替代AlxGa1-xAs所形成的新型AlAs/ [GaAs/AlAs]半导体 /超晶格分布布拉格反射镜 (DBR) ,并对此DBR的光、电学特性进行了实验测量。从实验获得的DBR的反射谱中得出 ,其反射谱中心波长为 85 0nm ,19周期此DBR的峰值反射率高达 99 5 % ,反射带宽度为 90nm左右。与此同时 ,由自行设计的二次钨丝掩模质子注入形成 15× 15 μm2 正方形电流注入区对 p型DBR的串联电阻进行了测量 ,克服了化学湿腐蚀法中腐蚀深度不易控制及侧面同时被腐蚀的缺点。实验得出此 p型DBR的串联电阻仅为 5 0Ω左右。由此可见 ,此DBR在保持高的反射率的同时具有较低的串联电阻。最后 ,对DBR的串联电阻与温度关系的实验研究表明 ,此DBR的串联电阻受温度的影响不大。  相似文献   
99.
GB 1 50 63- 94四苯硼钠沉淀钾重量法测定钾 ,其分析方法精密度高、准确度好 ,被广泛应用于各种物料中常量钾的测定 ,但是操作繁琐、费时、易出错。本文提出的四苯硼钠滴定法 ,以四苯硼钠为标准滴定剂 ,在水和三氯甲烷的两相介质中 ,以溴酚蓝和季铵盐为指示剂 ,滴定钾离子直至三氯甲烷层中蓝色消失 ,水相呈色为终点 ,终点一滴变色明显 ,具有简便、快速、准确的特点。1 试验部分1 .1 主要试剂四苯硼钠标准溶液 :c[Na B(C6H5) 4]=0 .1 mol· L-1季铵盐溶液 :1 0 g· L-1氢氧化钠溶液 :1 0 0 g·L-1氯化钾溶液 :0 .1 mol· L-1溴酚蓝指示…  相似文献   
100.
在质量分数为3%的NaCl溶液中,利用磁致伸缩空蚀试验机研究了碳纳米管改性的无机-有机复合水性富锌涂料的空蚀行为.测量了静态和空蚀条件下涂层的极化曲线,比较了常态和阴极保护下空蚀时的腐蚀电流变化,通过分析涂层在静态、空蚀以及阴极保护下空蚀的交流阻抗谱(EIS),进一步探讨了空蚀机理.结果表明:涂层的空蚀行为是力学因素和电化学腐蚀因素协同作用的结果,在阴极保护条件下,电化学腐蚀减弱,空蚀过程以力学作用为主.  相似文献   
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