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81.
对3种不同残奥(RA)含量的马氏体高强钢进行干滑动摩擦磨损试验, 研究RA含量对其磨损性能的影响. 利用扫描电镜、透射电镜、X射线衍射仪等对试验后的磨损表面及横截面显微组织进行表征. 结果表明, RA含量越高, 磨损表面越光滑, 摩擦系数和磨损率越小, 也即马氏体高强钢的耐磨性越好. 磨损引起的大应变使RA发生应变诱导马氏体相变, 导致硬度和硬化层厚度显著增大. RA含量最高的HT3试样的硬度提高了18.3%, 硬化层厚度达70μm. 相比RA含量低的试样, HT3试样表现出很好的耐磨性. 这是因为马氏体相变使硬度逐步增加, 抗裂纹萌生能力提高; 同时由于亚表面良好的韧性, 可延缓和阻止裂纹扩展, 使得点蚀和剥落不易形成. 因此, 要提高马氏体高强钢的耐磨性, 除了硬度要求外, 还需要考虑其亚表面韧性. 相似文献
82.
气敏传感器具有气体识别、探测和监测等功能, 广泛应用于工业生产等领域, 但在泄漏预警时缺乏迅速识别和定位等功能. 本文基于传感器制备工艺偏差分析, 通过对传感器气敏机制的研究, 提出一种基于Ni-SnO2纳米颗粒的气敏传感器物理不可克隆函数(Gas Sensor-Physical Unclonable Function, GS-PUF)设计方案. 该方案利用掺杂Ni元素的方法, 结合静电喷雾沉积技术制备Ni-SnO2气敏传感器, 以获取更加稳定可靠的物理特征值, 然后采集气敏传感器对不同浓度下气体的响应数据, 最后利用随机阻值多位平衡算法比较不同组气敏传感器响应电信号值, 实现PUF数据输出. 制备每组样本可产生128位二进制数据的多组PUF样本, 进行对比实验. 结果表明, 所设计的GS-PUF具有气体泄漏源头识别定位的功能, 且随机性提升至99%, 唯一性达49.80%. 相似文献
83.
一类单边截断型分布族参数的经验Bayes检验 总被引:2,自引:0,他引:2
讨论一类单边截断型分布族位置参数的经验Bayes检验问题,文中构造了经验Bayes判决函数,证明了它具有渐近最优的性质,并且获得了收敛速度。 相似文献
84.
This paper proposes a scheme for realization of a three-qubit
Toffoli gate operation using three four-level atoms by a selective
atom--field interaction in a cavity quantum electrodynamics system. In
the proposed protocol, the quantum information is encoded on the
stable ground states of atoms, and atomic spontaneous emission is
negligible as the large atom--cavity detuning effectively suppresses
the spontaneous decay of the atoms. The influence of the dissipation
on fidelity and success probability of the three-qubit Toffoli gate
is also discussed. The scheme can also be applied to realize an
N-qubit Toffoli gate and the interaction time required does not
rise with increasing the number of qubits. 相似文献
85.
聚合物作为一种有机发光材料,由于在平板显示和光电子器件中的良好应用前景而受到广泛研究[1~2].近年来,一个重要进展是在聚合物中观测到了受激发射(简称Poly-mer激光)现象[3~6].Polymer激光最早是在溶液中实现的[3~4].作为一种新型... 相似文献
86.
Large quantities of metal indium single-crystalline wires with diameters ranging from tens of nanometres to a few micrometres were synthesized on Si substrates. Unlike traditional methods for the fabrication of nanowires or nanorods, liquid indium was squeezed out of the pores and cracks from porous an InAlN layer to form the wires. Continuous pushing out of liquid metal indium under strength, lowering of liquid-solid interfaces and the confinement of the cracks all contribute to the growth of indium wires. Our experiments have shed some light on the possibility of synthesizing large quantities quasi-1D nano/sub-micron structures with specified cross-sectional geometry using the similar method. 相似文献
87.
88.
89.
利用射频磁控溅射系统在不同N2分压的条件下,制备了一系列ZrN/WN纳米多层膜.借助慢正电子湮没技术分析了样品的缺陷性质,采用纳米压痕仪研究了多层膜的力学性能.结果发现:N2分压为0.4Pa的多层膜具有最小的空位型缺陷浓度,其中心层和膜基结合层的平均S参数分别为0.4402和0.4641,而较低或较高的N2分压都可能导致空位型缺陷浓度的增加.随着空位型缺陷浓度的减小,多层膜的硬度和临界载荷增大.对于空位型缺陷浓度最小的多层膜,其硬度和临界载荷达到最大值,分别为34.8GPa和100mN,说明较低的缺陷浓度有利于提高多层膜的力学性能.
关键词:
ZrN/WN纳米多层膜
缺陷性质
力学性能
慢正电子湮没 相似文献
90.
用COMPASS分子力场的方法对聚二甲基硅氧烷(PDMS)分子链以及它们同白炭黑(SiO2)、改性SiO2粒子表面相互作用的分子体系进行了计算机模拟,得到了体系能量变化与PDMS分子链中Si原子移动距离的关系曲线,分析了产生和影响体系力学性能的化学过程本质,预测了宏观PDMS/SiO2体系的拉伸行为. 相似文献