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151.
碳化硅(SiC)是制作高温、高频、大功率电子器件的理想电子材料,近20年来随着外延设备和工艺技术水平不断提升,外延膜生长速率和品质逐步提高,碳化硅在新能源汽车、光伏产业、高压输配线和智能电站等领域的应用需求越来越大。与硅半导体产业不同,碳化硅器件必须在外延膜上进行加工,因此碳化硅外延设备在整个产业链中占据承上启下的重要位置,而且也是整个产业链中最复杂、最难开发的设备。本文从碳化硅外延生长机理出发,结合反应室设计和材料科学的发展,介绍了化学气相沉积(CVD)法碳化硅外延设备反应室、加热系统和旋转系统等的技术进展,最后分析了CVD法碳化硅外延设备未来的研究重点和发展方向。 相似文献
152.
153.
154.
大雁塔地震可靠性分析 总被引:3,自引:0,他引:3
本文采用双参数地震破坏模型,对大雁塔的地震可靠性进行了分析研究,给出了塔体各层在不同地震烈度下的破坏指标均值和条件破坏概率,并对破坏指标均值较大的顶层计算了不同年限内的破坏概率。 相似文献
155.
在一份全国重点中学高考调研试卷中有这样一道题:已知双曲线:x^2/a^2-y^2/b^2=1(a〉0,b〉0),F是其左焦点,过F作直线交双曲线于A。B两点,设|AF|—m,|FB|=n,则1/m+1/n的值为——。 相似文献
156.
2004年广东、海南、山东、宁夏四省进入新课程,2007年,这四个省首次进入新课程下的高考.算法作为数学必修课的新增内容,在四省高考数学中均有所体现,其命题的风格及方式必然会对以后以及其他省份的算法命题起导向作用. 相似文献
157.
在解析几何中,有一类涉及到角平分线的问题,这类题型往往与平面向量、圆锥曲线等相结合,通过稍加改变而戒创新题.这类问题若通过联立方程等手段破解,则往往事倍功半.甚至无功而返,而若能巧用相似三角形的性质则可轻松破解这类创新题,下面就“已知角平分线求顶点”和“已知顶点证角平分线”两类问题分别举例分析. 相似文献
158.
用于中科院近代物理研究所的ADS项目中的射频四极加速器(RFQ)的新RF系统在2017年初升级,原来的电子四极放大器被两个新的固态功放(SSA)所替换,它们是两台相同的额定功率为80kW的功率源,通过两个相同的耦合器在腔内合成至少100kW的功率。但是对于SSA来说,为了功率组合,太多的功率模块的振幅和相位进行了调整和优化,一个或几个损坏的环形器(包括吸收负载)可能导致整个射频系统的失效。特别是,根据实验和仿真,发生失配问题后,如果两级合成器之间的传输线电长度满足某一特定条件时,系统的散射参数会有很大的波动,甚至切断。详细介绍了北京北广科技股份有限公司用于模拟多级合成放大的模拟方法、放大链路的故障分析及相关实验情况。 相似文献
159.
利用同步辐射光电子能谱实验技术考察了苯并咪唑苝(BZP)和Ag的界面形成过程与电子结构.单层覆盖度以下时,BZP分子与Ag有弱相互作用,在有机分子禁带中出现明显界面反应态,结合能位于0.9eV.单层铺满后,BZP分子呈现三维岛式生长,且与Ag的相互作用逐渐减弱,同时最高占据分子轨道由于终态效应逐渐向高结合能方向位移至体相结合能位置(2.3eV). Ag衬底上BZP分子的生长导致样品表面功函数减小,表明形成了表面偶极势(Δ=0.3eV),且电子从有机分子向金属Ag偏移.最后,考察了BZP/Ag
关键词:
有机-金属界面
电子结构
光电子能谱
同步辐射 相似文献
160.
利用AMPT蒙特卡罗产生器中的强子化程序模块ART1.0, 得到了强子化过程的演化图形, 并基于强子在不同时刻的空间分布图, 估算出了不同时刻的反应区域半径. 将所得结果与根据HBT关联得到的结果相比较, 定出了冻结为强子气体的时刻, 得到了合理的结果. 相似文献