轻稀土氯化物与2,3,11,12-四苯基-1,4,7,10,13,16-六氧-2,11-十八环二烯配合物的合成及XPS研究

本工作合成了轻稀土氯化物与题目不饱和冠醚所形成的三种新的轻稀土配合物。元素分析数据说明稀土氯化物与配体的化学配比是1:1。我们着重对这些配合物进行了X射线光电子能谱研究,得到了组成原子芯能级电子(Ln 3d_(5/2),O 1s,C 1s,Cl 2p)的结合能变化信息。在LnCl_3·L和LnCl_3中观察到Ln 3d_(5/2)[Ln=Ce(Ⅲ),Pr(Ⅲ),Sm(Ⅲ)]的伴峰结构,其伴峰能前者分别为3.8和-4.2eV,后者为3.9,-4.5和-3.1eV。这是由于Cl 3p→Ln 4f电荷转移跃迁所引起的,铈属于“振起”(Shake-up)过程,镨和钐属于“振落”(Shake-down)过程。     

描述光伏效应的新解析模型

 对陆启生等人提出的描述光伏效应的解析模型涉及的边界条件进行了讨论，提出了一个适用性更宽的解析模型。通过对新模型、陆的模型以及另一个解析模型的比较，对前两个模型能够描述光伏型光电探测器在强光辐照时的信号饱和效应的原因进行了解释。     

YBa2—xMxCu3O7—δ（M=Ca,Sr）的晶体结构与超导电性

通过对正交单相 YBa_(2-x)M_xCu_3O_(7-δ)(M=Ca,x=0.05,0.1,0.25;M=Sr,x=0.1,1.0)样品的晶格参数、超导电性、氧含量以及 Hall 系数的测量,发现随着替代元素含量的增加,体系氧含量基本不变,正交化程度减弱,四方化程度增强,Cu-O 面上的载流子浓度减少,超导中点转变温度(T_c)呈下降的趋势.分析表明,四方化程度增强与局域结构扭曲密切相关;Cu-O 面上的载流子浓度对高 T_c 的超导电性影响很大.     

激光辐照PC型HgCdTe探测器的实验研究

 分别用连续波1.319μm激光和10.6μm激光辐照PC型HgCdTe红外探测器时，得到了不同辐照光功率密度下，探测器输出的一系列实验结果。给出了在波长为1.319μm的波段内激光辐照下PC型HgCdTe探测器的饱和阈值；用波长为10.6μm的波段外CO₂激光辐照探测器时，发现了一些与波段内激光辐照探测器时大不相同的实验现象；对实验结果进行了分析。简要总结了PC型HgCdTe探测器对于波段内和波段外激光辐照的响应机制。     

O～3岁儿童微量元素检测及纠正150例观察与体会

对西安地区150例0～3岁儿童进行了六种微量元素：钙、锌、铜、铁、镁、硒的检测，发现微量元素缺乏可导致急慢性感染、免疫力低下、小儿营养不良、贫血、发育迟缓等症状。并对小儿营养不良、喂养不当进行矫正。其中铁、钙、锌同时缺乏占50％。     

Y（Fe，Si）12化合物结构与磁性的第一原理计算

R（Fe，Si）12（R=Y，Nd）型稀土永磁材料具用重要的实际应用价值，然而对于V（Fe，Si）12化合物微观机理的理论计算工作至今尚未开展。采用新近发展的全势能线性缀加平面波（（L）APW）＋局域轨道（10）和广义梯度近似（GGA）密度泛函方法对其结构与磁性进行了研究。     

大视场短焦距镜头CCD摄像系统的畸变校正

从光学测量角度出发,结合计算机视觉中的摄像机标定方法,解决了大视场短焦距镜头CCD摄像系统的畸变校正问题。与摄像机标定不同,畸变校正中仅标定内部参数,外部参数作为已知条件。采用线性畸变模型,由最小二乘法解线性方程组得到摄像系统畸变模型的畸变系数。介绍了数字图像中像素间距和光学中心的标定方法。通过比较由标定参数得到的畸变图像和摄像机采集的畸变图像对实验标定精度进行评定,实验结果表明边缘视场(112°)的标定精度达到了0 75%。     

k-order Slant Toeplitz Operators on the Bergman Space

In this paper κ-order slant Toeplitz operator on the Bergman space is defined. Some properties like spectrum, commuting are discussed.     

Design and Fabrication of 1.06 μm Resonant-Cavity Enhanced Reflective Modulator with GaInAs/GaAs Quantum Wells

A resonant-cavity enhanced reflective optical modulator is designed and fabricated, with three groups of three highly strained InGaAs/GaAs quantum wells in the cavity, for low voltage and high contrast ratio operation. The quantum wells are positioned in antinodes of the optical standing wave. The modulator is grown in a single growth step in an molecular beam epitaxy system, using GaAs/AlAs distributed Bragg reflectors as both the top and bottom mirrors. Results show that the reflection device has a modulation extinction of 3 dB at -4.5 V bias.