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71.
内孤立波在海洋中广泛存在,其在生成、传播演化以及耗散过程中对海洋环境、地形地貌和海洋结构物等有着深远的影响.针对内孤立波理论模型研究,已有理论模型包括单向传播Korteweg-de Vries (KdV)类方程和双向传播Miyata-Choi-Camassa (MCC)类方程,然而,两类方程均未能有效地模拟大振幅内孤立波的传播演化过程.本文采用渐近匹配方法,对原始单向传播内孤立波方程的系数进行修正,建立了改进的单向传播内孤立波理论模型.在此基础上,通过比较分析改进了前后内孤立波的理论模型,结果表明,改进后的理论模型稳态内孤立波的理论极限振幅能达到MCC方程稳态内孤立波的理论极限振幅.结合系列实验结果,通过定量分析稳态内孤立波有效波长、波速和波形与MCC方程稳态内孤立波理论解的吻合度,进一步分析了改进后的内孤立波理论模型在表征定态内孤立波特性方面的适用性.此外,针对平坦地形条件下大振幅内孤立波非定态传播演化过程,探究各类单向传播孤立波理论模型的稳定性.研究表明改进后高阶单向传播内孤立波理论模型可用于表征大振幅内孤立波传播演化特性,为海洋结构物水动力学研究提供理论依据. 相似文献
72.
蒙特卡罗模拟法在边坡可靠性分析中的运用 总被引:3,自引:0,他引:3
江永红.蒙特卡罗模拟法在边坡可靠性分析中的运用.数理统计与管理,1998,17(1),13~16.可靠性分析是边坡工程及滑坡治理中的重要研究课题。鉴于决定边坡可靠性的诸变量多为随机变量,本文论述了用蒙特卡罗模拟法计算边坡可靠度的基本原理,对模拟次数确定、计算误差估计等问题提出了解决办法,并结合具体运用说明该方法的实施步骤 相似文献
73.
74.
自行设计研制了一台微波电子回旋共振等离子体刻蚀系统。该系统采用微波直接通过石英窗口产生右旋圆极化波,由Nd—Fe—B永磁磁钢形成高强磁场,通过共振磁场区域内的电子回旋共振效应产生均匀的高密度等离子体。利用该系统,结合光刻技术和反应离子束刻蚀技术,在以碳氢(CH)等元素为主要组成的有机聚合物(PMMA)表面制备出线宽3-4μm的光栅形图形。原子力显微镜(AFM)测试结果表明,所得图形线条清晰,侧边比较陡直。 相似文献
75.
在氯化十六烷基吡啶存在下水杨基荧光酮与Te(IV)显色反… 总被引:6,自引:0,他引:6
研究了阳离子表面活性剂氯化十六烷基吡啶(CPC)存在下,pH4.8的HOAc-NaOAc缓冲介质中,Te(IV)与过量的水杨基荧光酮(SAF)形成1:4的稳定佤合物,其最大吸收波长为534nm,表现摩尔吸光系数为1.47×10^5,Te(Ⅳ)浓度在0~8μm/25ml范围内遵守比耳定律,建立了水相测定硒中微量碲的吸光光度法,获得了满意的结果。 相似文献
76.
A Base-Emitter Self-Aligned Multi-Finger Sil-xGex/Si Power Heterojunction Bipolar Transistor
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With a crystal orientation dependent on the etch rate of Si in KOH-based solution, a base-emitter self-Migned large-area multi-finger configuration power SiGe heterojunction bipolar transistor (HBT) device (with an emitter area of about 880μm^2) is fabricated with 2μm double-mesa technology. The maximum dc current gain is 226.1. The collector-emitter junction breakdown voltage BVcEo is 10 V and the collector-base junction breakdown voltage BVcBo is 16 V with collector doping concentration of 1 × 10^17 cm^-3 and thickness of 400nm. The device exhibited a maximum oscillation frequency fmax of 35.5 GHz and a cut-off frequency fT of 24.9 GHz at a dc bias point of Ic = 70 mA and the voltage between collector and emitter is VCE = 3 V. Load pull measurements in class-A operation of the SiGe HBT are performed at 1.9 GHz with input power ranging from OdBm to 21 dBm. A maximum output power of 29.9dBm (about 977mW) is obtained at an input power of 18.SdBm with a gain of 11.47dB. Compared to a non-self-aligned SiGe HBT with the same heterostructure and process, fmax and fT are improved by about 83.9% and 38.3%, respectively. 相似文献
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78.
79.
80.
研究了具有HollingII类型功能反应的一捕食者有两个食饵的时滞系统,通过构造Lyapunov泛函得到了与时滞有关的系统全局渐近稳定的充分条件. 相似文献