WSe2/GeS 异质结的增强光致发光

二维半导体材料为纳米尺度的光学性质研究提供了良好的支持. 当将其构筑成异质结时, 界面间的相互作用可以改变原光电性质或产生新的性质, 是二维材料光电子器件功能控制的重要手段. 利用机械剥离法制备WSe2/GeS 异质结, 通过发光光谱研究异质结层间激子的光学性质. 结果表明:p 型 GeS 与弱 n 型 WSe2 构筑成异质结时会产生新的层间激子. 与 GeS 和 WSe2 的荧光发射强度相比, 异质结的层间激子发光强度显著增加. 此研究为设计具有先进光电性能的二维半导体器件提供了思路.     

基于近红外漫反射光谱法所建的模型快速预测甜叶菊中甜菊糖苷、绿原酸及水分的含量北大核心CSCD

基于近红外漫反射光谱法,结合偏最小二乘法建立了甜叶菊中甜菊糖苷总量(TSG)、瑞鲍迪苷A(RA)、甜菊苷(STV)、绿原酸总量及水分的定量分析模型。选取不同地区的500个甜叶菊样品,以高效液相色谱法(TSG、RA、STV、绿原酸总量)和烘干法(水分)所得数据为参比,结合样品的近红外光谱图,按照以下条件进行建模:(1) TSG模型,校正集385,验证集97,光谱预处理采用多元散射校正(MSC)+一阶导数(1st)+Norris derivative滤波平滑(ND),光谱范围4 090.76~7 085.37 cm^(-1),主因子数8;(2) RA模型,校正集381,验证集94,光谱预处理采用MSC+二阶导数(2nd)+ND,光谱范围4 060.38~6 221.23 cm^(-1)、6 769.51~7 401.24 cm^(-1),主因子数7;(3) STV模型,校正集386,验证集96,光谱预处理采用MSC+1st+ND,光谱范围4 017.86~4 224.39 cm^(-1)、4 370.17~5 172.15 cm^(-1)、5 414.95~9 106.22 cm^(-1),主因子数5;(4)绿原酸总量模型,校正集376,验证集95,光谱预处理采用标准正态变量变换(SNV)+1st+Savitzky-Golay卷积平滑(SG),光谱范围4 000.21~5 300.00 cm^(-1)、5 624.00~6 246.90 cm^(-1)、8 746.50~9 373.80 cm^(-1),主因子数12;(5)水分模型,校正集389,验证集96,光谱预处理采用MSC+1st+ND,光谱范围4 072.53~7 553.09 cm^(-1),主因子数8。结果显示:TSG、RA、STV、绿原酸总量和水分模型的校正相关系数、预测相关系数、交叉验证相关系数均大于0.800 0,校正均方根误差、预测均方根误差、交叉验证均方根误差均小于0.500;对各模型进行外部验证,TSG、RA、STV、绿原酸总量和水分的预测值与实测值的拟合相关系数均大于0.880 0;利用模型对甜叶菊样品中TSG、RA、STV、绿原酸总量和水分进行分析,日内精密度(n=6)为0.54%~2.7%,日间精密度(n=6)为1.1%~4.7%。模型用于某试验基地不同生长批次甜叶菊中TSG、RA、绿原酸总量的测定,TSG质量分数为10.40%~13.32%,RA质量分数为4.99%~7.61%,绿原酸质量分数为2.73%~4.07%,测定值的相对标准偏差(n=12)均小于7.0%。