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We demonstrate the in situ growth of ultra-thin InA s nanowires with an epitaxial Al film by molecular-beam epitaxy.Our InAs nanowire diameter(~30 nm) is much thinner than before(~100 nm).The ultra-thin InAs nanowires are pure phase crystals for various different growth directions.Transmission electron microscopy confirms an atomically abrupt and uniform interface between the Al shell and the InAs wire.Quantum transport study on these devices resolves a hard induced superconducting gap and 2 e-p... 相似文献
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针对强激光能源系统对Marx触发器的输出性能和可靠性要求,介绍了一种六级的Marx触发器。通过采用多级低电感脉冲形成电路获得了高幅值、陡前沿的输出脉冲,运用实验与概率分析相结合的方法,确定了它的工作参数。实验研究结果表明:这种Marx触发器的误触发率和触发气体开关成功率均符合两参数的威布尔概率分布;当欠压比为65%、工作电压为13.5 kV、工作气压(绝压)为0.35 MPa时,能输出幅值120 kV、前沿20 ns的电压脉冲;该触发器能同时满足误触发率低于0.000 1%,正常触发成功率高于99.999 9%的技术要求。经过长时间现场运行测试,Marx触发器工作良好,无异常现象。 相似文献
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研究了伯胺N_(1923)萃淋树脂在N_(1923)成盐及不成盐时吸附钯的反应机理,通过等摩尔系列法、斜率法、红外光谱及核磁共振谱法对吸萃物的组成及吸萃机理进行了探讨。 相似文献
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