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81.
染料型有机分子二阶非线性光学性质的分子设计研究 总被引:2,自引:0,他引:2
在AM1和INDO/CI方法的基础上,按完全态求和公式编制了计算二阶非线性光学系数β_((?))的程序,并进行了有关分子设计的研究,即在的基础上,考察在苯环和醌环上分别引入不同取代基对二阶非线性光学性质的影响。结论是在苯环上引入推电子基团对增大β有利,引入受电子基团对增大β不利;而在醌环上的结果则相反。对上述结果所反映的规律性在微观上进行了解释。最后设计出两个二阶非线性光学系数较大的分子。 相似文献
83.
纳米Au粒子作为直接硼氢化钠-过氧化氢燃料电池阴极催化剂 总被引:2,自引:0,他引:2
采用浸渍还原法制备了纳米Au/C, 并将其用作直接硼氢化钠-过氧化氢燃料电池阴极催化剂. 通过X-射线衍射(XRD)和透射电镜(TEM)对催化剂进行结构和形貌分析, 结果表明10~20 nm的纳米Au粒子均匀地分散在Vulcan XC-72R碳黑表面上. 循环伏安测试表明, 在0.5 mol8226;L-1 H2SO4和2 mol8226;L-1 H2O2混合溶液中, 纳米Au/C在0.85 V处表现较强的不可逆还原电流. 以纳米Au/C为阴极催化剂, AB5储氢合金为阳极催化剂制成直接硼氢化钠-过氧化氢燃料电池. 电池在30 ℃下的最大功率密度可达到78.6 mW8226;cm-2. 当电池工作温度升高至50 ℃时, 电池的最大功率密度超过120 mW8226;cm-2. 此外, 研究了阴极溶液中H2SO4和H2O2浓度对电池性能的影响. 当阴极溶液中H2SO4浓度小于0.5 mol8226;L-1时, 酸浓度对电池性能影响较大; H2O2浓度对电池性能影响较小. 确定了阴极溶液中H2SO4和H2O2的最佳浓度分别为0.5和2 mol8226;L-1. 相似文献
84.
85.
86.
87.
针对旁路耦合电弧焊的特点, 建立了一种适于用旁路耦合电弧焊的复合热源模型. 利用该热源模型对不同焊接参数下的旁路耦合电弧焊温度场进行了数值分析, 得到了总电流相同时不同旁路电流下的焊缝熔深、母材温度和特征点焊接热循环曲线的模拟结果, 分析了旁路耦合电弧焊焊接参数对母材热输入的影响, 并将特征点热循环曲线的模拟结果与相同条件下的试验结果进行了比较. 结果表明, 焊接总电流相同时母材热输入随着旁路电流的增加而降低, 且越靠近焊缝母材热输入的降幅越大, 特征点焊接热循环曲线的模拟结果与试验结果基本一致, 旁路耦合电弧焊温度场模型是合理的, 所建立的热源模型能够正确反映焊接参数与母材热输入之间的关系. 相似文献
88.
周晓杰严豪刘承伟王建宏 《数学的实践与认识》2022,(4):148-155
针对传统整数阶GM(1,1)模型无法调节阶次来改善图像去噪性能,采用分数阶GM(1,1)模型来弥补其不足.分数阶GM(1,1)模型可以精确调节累加数之间数量级来达到更好的去噪效果.先通过在经典图像中添加椒盐噪声的去噪对比实验,得出分数阶GM(1,1)模型较GM(1,1)模型有更好的视觉效果,更高的峰值信噪比和结构相似度... 相似文献
89.
设$\mathcal{A}$, $\mathcal{B}$是两个因子且$\dim\mathcal{A}>4$.本文证明了双射$\phi:\mathcal{A}\rightarrow\mathcal{B}$ 满足对所有的$A,B,C\in\mathcal A$有$\phi([A,B]\bullet C)=[\phi(A),\phi(B)]\bullet\phi(C)$当且仅当$\phi$是线性*-同构, 共轭线性*- 同构,负的线性*-同构, 负的共轭线性*-同构. 相似文献
90.
Resonant Tunnelling and Storage of Electrons in Si Nanocrystals within a-SiNx/nc-Si/a-SiNx Structures 下载免费PDF全文
The a-SiNx/nanocrystalline silicon (nc-Si)/a-SiNx sandwiched structures with asymmetric double-barrier are fabricated in a plasma enhanced chemical vapour deposition (PECVD) system on p-type Si substrates. The nc-Si layer in thickness 5nm is fabricated from a hydrogen-diluted silane gas by the layer-by-layer deposition technique. The thicknesses of tunnel and control SiNx layers are 3nm and 20nm, respectively. Frequency-dependent capacitance spectroscopy is used to study the electron tunnelling and the storage in the sandwiched structures. Distinct frequency-dependent capacitance peaks due to electrons tunnelling into the nc-Si dots and capacitance-voltage (C - V) hysteresis characteristic due to electrons storage in the nc-Si dots are observed with the same sample. Moreover, conductance peaks have also been observed at the same voltage region by conductance-voltage (G - V) measurements. The experimental results demonstrate that electrons can be loaded onto nc-Si dots via resonant tunnelling and can be stored in our a-SiNx/nc-Si/a-SiNx structures. 相似文献