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介绍了J-TEXT装置上将用于辅助加热研究的一套100kV/60A高压电源。这套高压电源基于PSM技术设计,由144个开关电源模块构成。为了满足隔离、控制和保护的要求,采用PXI和FPGA技术设计了符合CODAC规范的PSM电源控制系统,并提出改进的PSM控制策略实现对高压电源的控制。为验证控制系统的性能,在由8个模块组成的高压电源模型样机上对控制系统进行了测试,测试结果表明,系统各项性能良好,可以满足100kV/60A高压电源的控制要求。     

不同浓度Er掺杂Si纳米晶粒电子结构和光学性质的第一性原理研究

利用基于密度泛函理论的第一性原理,对不同浓度Er掺杂Si纳米晶粒的结构稳定性、电子和光学性质进行了研究.结果表明: Si纳米晶粒中Er掺杂浓度越低,结构越稳定;Er掺杂后的Si纳米晶粒引入了杂质能级,导致禁带宽度变窄;掺杂后的Si纳米晶粒在低能区出现了一个较强的吸收峰,随着浓度的降低,吸收峰峰值逐渐减小,甚至消失. 这为Si基发光材料的设计提供了理论依据. 关键词： Si纳米晶粒 掺杂 电子结构 光学性质     

飞秒激光光刻波导偏振器

飞秒激光诱导折射率变化提供了一种灵活的三维光子器件制作手段.飞秒激光光刻的Ⅱ类波导具有偏振导光特性,可以作为波导偏振器,但是对于要保留的偏振分量损耗太大.本文阐述了一种利用飞秒激光在熔融石英中制作的新型低损耗波导偏振器.它由中间的一根Ⅰ类波导及两侧的两根Ⅱ类纳米光栅轨迹构成.基于飞秒激光诱导的纳米光栅的偏振依赖散射特性...     

Electronic and transport properties of V-shaped defect zigzag MoS_2 nanoribbons

Based on the nonequilibrium Green＇s function （NEGF） in combination with density functional theory （DFT） calcu- lations, we study the electronic structures and transport properties of zigzag MoS2 nanoribbons （ZMNRs） with V-shaped vacancy defects on the edge. The vacancy formation energy results show that the zigzag vacancy is easier to create on the edge of ZMNR than the armchair vacancy. Both of the defects can make the electronic band structures of ZMNRs change from metal to semiconductor. The calculations of electronic transport properties depict that the currents drop off clearly and rectification ratios increase in the defected systems. These effects would open up possibilities for their applications in novel nanoelectronic devices.     

Resistive switching characteristics of Ti/ZrO2/Pt RRAM device

In this paper, the bipolar resistive switching characteristic is reported in Ti/ZrO2/Pt resistive switching memory devices. The dominant mechanism of resistive switching is the formation and rupture of the conductive filament composed of oxygen vacancies. The conduction mechanisms for low and high resistance states are dominated by the ohmic conduction and the trap-controlled space charge limited current(SCLC) mechanism, respectively. The effect of a set compliance current on the switching parameters is also studied: the low resistance and reset current are linearly dependent on the set compliance current in the log–log scale coordinate; and the set and reset voltage increase slightly with the increase of the set compliance current. A series circuit model is proposed to explain the effect of the set compliance current on the resistive switching behaviors.     

车载终端车联网中间件技术研究与实现

为了解决因车身网络的数据协议差异造成的车载智能终端不能在多个车型上通用的问题,提出了一种车载智能终端中间件架构。在该架构中,采用多层结构隔离应用与网络直接访问。采用组件结构实现了应用的抽象与复用,降低应用开发难度。采用消息总线,负责管理组件之间的数据通信,为应用层提供一个统一接口的虚拟车身网络环境;通过消息的数据通信实现车载终端应用间的数据交互,底层采用通信服务层屏蔽了各种车身网络的差异性,解决了车载终端在不同网络协议车型上使用的通用性问题。最后,通过搭建实际的测试平台验证了该设计的可行性和有效性。     

地声参数及传播损失不确定性估计与建模

地声参数的不确定性对水声传播具有重要的影响。通过贝叶斯理论建立水声环境不确定性推理模型,理论推导了地声参数的似然函数以及地声参数和传播损失的后验概率密度,并采用MCMC(Markov Chain Monte Carlo)进行了仿真计算,给出了地声参数的二维后验联合概率密度和一维边缘概率密度,在此基础上对传播损失的不确定性进行了估计,得到了传播损失80%的可信区间。仿真和实验结果表明,该方法适用于地声参数反演和不确定性估计,并能获取因地声参数不确定性导致的传播损失不确定性估计。     

硫杂蒽酮的合成和表征

为了寻求合成硫杂蒽酮的高效新方法,以2,2′-二硫代二苯甲酸和苯酚为原料,硫酸为溶剂和催化剂,考察了沸石分子筛、Al2O3和P2O5、温度、原料的物质的量之比、反应时间对反应收率的影响,确定了最佳反应条件,推测了可能的反应过程;进而以2,2′-二硫代二苯甲酸和相应的苯衍生物为原料,在H2SO4-P2O5体系中于最佳反应条件下制备了13个硫杂蒽酮类化合物,并利用柱色谱分离以及红外光谱与核磁共振谱对产物进行表征.结果表明,在反应体系中引入P2O5有利于促进反应的完成;最佳反应条件为:温度70℃、2,2′-二硫代二苯甲酸/苯衍生物物质的量之比1∶6、反应时间6h.邻苯二酚与二硫代水杨酸的反应产物——化合物11(a)和11(b)为同分异构体.     

新试剂1-（2-苯并噻唑）-3-（8-（5-对磺酸基苯基偶氮）)喹啉三氮烯（BTSPQT）的合成及其测定铜（Ⅱ）的研究

以2-氨基苯并噻唑和5-对磺酸基苯基偶氮-8-氨基喹啉为原料,合成了一种新的三氮烯试剂1-(2-苯并噻唑)-3-(8-(5-对磺酸基苯基偶氮))喹啉三氮烯(BTSPQT),并研究了该试剂与Cu2+的显色反应。结果表明,在含有0.3%Triton X-100的Na2B4O7-HCl缓冲体系(pH 8.0)中,BTSPQT与Cu2+在室温下可形成摩尔比为2∶1的紫红色配合物,该配合物的稳定常数为(2.59±0.40)×109,最大吸收波长位于610 nm。基于此反应,建立了一种测定Cu2+的光度分析新方法,其表观摩尔吸光系数为3.61×105L.mol-1.cm-1,线性范围为0.025～0.40 mg/L,且浓度在2.5 mg/L以下的常见离子均不干扰0.40 mg/L Cu2+的测定。将该方法用于面粉和茶叶中铜的直接测定,回收率为96%～103%,相对标准偏差均小于4.0%。     

Investigation of resistive switching behaviours in WO3-based RRAM devices

In this paper, a WO₃-based resistive random access memory device composed of a thin film of WO₃ sandwiched between a copper top and a platinum bottom electrodes is fabricated by electron beam evaporation at room temperature. The reproducible resistive switching, low power consumption, multilevel storage possibility, and good data retention characteristics demonstrate that the Cu/WO₃/Pt memory device is very promising for future nonvolatile memory applications. The formation and rupture of localised conductive filaments is suggested to be responsible for the observed resistive switching behaviours.