PBX-01炸药水中爆轰产物状态方程研究

提出通过水中实验确定炸药的水中爆轰产物JWL状态方程参数的方法;选择PBX-01高能炸药进行水中实验,利用ANSYS/LS-DYNA程序建立炸药的水中实验模型,将实验结果与数值计算结果进行对比,确定PBX-01炸药水中爆轰产物的JWL状态方程参数。研究结果显示,圆筒实验确定的JWL参数在反映炸药水中爆轰产物的膨胀状态时有所不足,水中实验确定的JWL状态方程参数能够更准确地描述PBX-01炸药水中爆轰产物的膨胀过程,因此对水中爆炸的研究需要通过水中爆炸实验建一套状态方程参数。     

O2/(O2+Ar)流量比对ZnO-0.25mol; V2O5薄膜缺陷类型的影响

利用射频磁控溅射技术在玻璃衬底上沉积ZnO-0.25mol; V2O5(ZnO∶V)薄膜,研究了O2/(O2+Ar)流量比(0;~87.5;)对ZnO∶V薄膜中缺陷的影响.研究结果表明:沉积的ZnO∶V薄膜为具有c轴取向的纤锌矿结构,V以五价和四价形式共存其中.ZnO∶V薄膜中的缺陷态为氧空位(VO)和间隙锌(Zni)杂化形成的复合体,两者比例随O2/(O2+Ar)流量比而变化.     

海洋—声学耦合过程不确定性快速预报

针对海洋声速空间非均匀和时变条件下的声场不确定性快速预报问题,根据海洋-声学耦合模式预报声速场时空变化过程,获取声速垂直结构不确定性分布规律,提出经验正交函数-随机多项式展开方法,以降低不确定参数维度,得到声场不确定性分布.数值计算表明该方法在保证同等精度的同时可大幅减少计算量,相比常规随机多项式展开方法计算效率可提高2个数量级,且计算量不随声速剖面复杂程度变化而改变.经海上实验验证,结果表明该方法可实现环境不确定性条件下的声场及其不确定性的快速预报。      

微纳加工技术在微纳电子器件领域的应用

微纳加工技术推动着集成电路不断缩小器件尺寸和提高集成度，光学光刻技术依然是目前的主流微纳加工技术，同时有多种替代技术如电子束直写、极紫外光刻和投影电子束技术，文章介绍了自上而下的微纳加工技术的进展及其在微纳器件研制的重要作用。     

平面磁控溅射靶及其镀膜方法

研究合金薄膜材料,往往要求镀制一系列不同成分的合金膜. 本专利涉及一种可以连续调节合金膜成分的新型平面磁控溅射靶及其镀膜方法. 该靶对所镀膜层成分的调节是基于一种新的设计思想.这就是将平面磁控靶的跑道磁场分为左、右两个区段(见图1),并采用左、右两个电磁铁调节左、右区段的靶面磁场’使其相等或形成不同程度的强弱对比.当左、右区段分别安装A,B两种不同的纯金属靶材时(见图2),通过调节左、右电磁铁的励磁电流,即可获得不同成分的AB合金膜. 图3是这种新型平面磁控靶的结构示意图. 由于铁磁材料对磁场有屏蔽效应,当所采用的靶材…     

Tl_4Ba_3Ca_3Cu_4O_y系统的超导电性和磁化反常

Tl_4Ba_3Ca_3Cu_4O_y 氧化物超导体中存在100K 和120K 两个超导相.测量电流为10mA 时,零电阻超导 T_c 为119K.DC 磁化结果表明:在77K 时不可逆场约为2200O_e,冻结磁通密度11.6G,样品是弱钉扎Ⅱ类超导体.Meissner 效应测量结果表明:Meissner 信号的61%是120K 相的贡献,39%是100K 相的贡献.超导体积的上限和下限的比较,不同磁场和测量电流的 R(T)超导转变以及磁化反常表明:我们的样品中存在着大量的弱连接超导电性,并构成邻近效应超导体,研究了它的日 H_(c2)(T).并由邻近效应超导体的磁化曲线演算出它的超导参量.     

多服务台非强占优先排队系统的弱收敛定理

多服务台非强占优先排队系统的弱收敛定理汪荣鑫，龙卫江（西安交通大学数学系，西安７１００４９）ＷＥＡＫＣＯＮＶＥＲＧＥＮＣＥＴＨＥＯＲＥＭＳＦＯＲＭＵＬＴＩＳＥＲＶＥＲＱＵＥＵＥＩＮＧＳＹＳＴＥＭＩＮＮＯＮＰＲＥＥＭＰＴＩＶＥＰＲＩＯＲＩＴＹＤＩＳＣＩ...     

关于Duphantus方程(a~lx~m+c)/(abx+d)=by~2的解

对于Ｄｕｐｈａｎｔｕｓ方程本文用Ｐｅｌｌ方程得到方程中当，以及；时各种情形的全部解。     

Nd∶LiTaO_3背散射组态下的喇曼光谱异常

本文研究了掺钕钽酸锂晶体背散射几何组态下的喇曼光谱，与纯钽酸锂晶体的喇曼光谱相比，发现喇曼谱中不仅有Ｅ（ＬＯ＋ＴＯ）模向Ａ１（ＴＯ）模的转变，而且还有新振动模的出现和部分振动模强度的变化，本文用光折变理论结合掺杂后晶体微观结构的改变对实验结果作了分析和探讨．     

Y_1Ba_2Cu_3O_(7-δ)的氧离子缺位数,氧空穴数变化与结构相变的关系

在空气、氮气、真空(10^(-3)乇)、氧气等气氛条件下,利用高温 X 射线动态跟踪法和 TG-DTA测定了 Y_1Ba_4Cu_3O_(7-δ)的结构和氧缺位量随温度的变化,注意到不同气氛对超导体中晶格氧和吸附氧的动态平衡的影响;测得氧缺位量δ与晶体结构转变之间的关系.根据文献[11]关于Cu-O 间电子转移的结论,计算出 Cu-O_2层中 O 的平均空穴数 n_h 与结构变化的对应关系.O≤δ≤0.25,0.25≥n_h≥0.125为正交超导相的稳定区,氧的空穴浓度为(1.44—0.72)x10^(21)/cm^30.25≤δ<0.5,0.125≥n_k>0为正交、四方相的转变过渡区;0.5≤δ≤1,n_h=0为四方非超导相的稳定区.因此,除了四方非超导结构区氧负离子取2价外,其它情况氧负离子也不总是取负2价.