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201.
直流等离子体喷射CVD技术制备自支撑金刚石膜的新结构和新形貌 总被引:1,自引:1,他引:0
采用30kW高功率直流等离子体喷射CVD技术制备了自支撑金刚石膜的新型结构,通过使甲烷与氢气的浓度比随沉积时间变化的方法,制备了两层、三层和四层结构.扫描电镜结果显示所制备的层结构是由柱状晶和非常细晶粒组成的,而拉曼谱结果表明这层细晶粒具有纳米金刚石的激光散射特征.在甲烷与氢气的浓度比超过15;的沉积条件下,我们发现一种新形貌,这种形貌是由具有非常好的刻面的晶粒构成的. 相似文献
202.
低驱动电压下有机电致发光器件(0ELD)中的界面结构对器件效率和寿命有重要影响。本文简要介绍近年来以多种分析技术和方法研究0ELD界面分子结构、能带结构、激发态特性及反应等获得的主要结果,并提出了目前该领域存在的一些问题及发展趋势。 相似文献
203.
经典量子系统中的哈密尔顿为自伴算子,这不仅保证了系统能量本征值全部为实数,而且相应的本征态(单位长度的特征向量)构成了状态空间的一组正规正交基.然而存在一类PT-对称的物理系统,哈密尔顿的自伴性(共轭转置)被物理的PT-对称性所代替.一个完整的PT-对称哈密尔顿,其谱全部为实数且能构造一个合理的CPT-内积.本文研究一类PT-对称算子.固定时间反演算子T,得到宇称算子P的矩阵表示,进而给出每一组PT-对称哈密尔顿的具体表示形式.作为应用,选择一组确定的{P,T}算子,及PT-对称的哈密尔顿,给出两个在传统量子力学中不正交的量子态区分的刻画. 相似文献
204.
205.
讨论了增理Hu-Washizu变分原理,给出了基于Hu-Washizu变分原理的非线性杂交/混合有限元列式,将非线性拟协调有限元与基于Hu-Washizu变分原理的非线性杂交/混合有限元进行了比较。 相似文献
206.
207.
208.
多晶硅薄膜低温学参数的模拟与分析 总被引:1,自引:0,他引:1
本研究了多晶硅薄膜在77K下的电导率和迁移率特性。在多晶硅晶粒间界杂质分凝模型和界面载流子陷阱模型基础上,考虑载流子对晶粒间界势垒区的隧穿和热射两种机制,对多晶硅薄膜电导率和迁移率的低温特性及其温度关系进行了模拟与分析,并与有关实验结果进行了比较。 相似文献
209.
石墨探针采集/石墨探针炉原子吸收法直接测定APM中痕量铟 总被引:5,自引:0,他引:5
采用一定气孔性的石墨探针直接收集大气微粒物质(APM),然后,立即采用石墨探针炉原子吸收法测定收集在探针上的APM中痕量烟。方法准确,灵敏,简便,快速。在0-50ng/ml范围内,铟的浓度与峰面积吸光度呈良好的线性关系。铟的浓度大于300ng/ml时,产生记忆效应。铟的特征量为4.8pg,检测限为21.5pg。分析标准参比材料,铟的回收率为92.4-108.4%,相对标准偏差为8.1%。 相似文献
210.