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181.
利用注射器的3个微型实验 总被引:2,自引:0,他引:2
注射器在化学实验功能方面具有可加压、可减压、可加样取样、可密封等特性。利用这些特性发掘注射器在化学实验中的用途可以帮助师生设计一些特殊实验。以下是3个以注射器为器材的演示实验,效果较好。 相似文献
182.
183.
聚苯胺对2,5—二巯基—1,3,4—噻二唑氧化还原反应的电化学?… 总被引:4,自引:0,他引:4
研究了聚苯胺(PAn)膜电极在2,5-二巯基-1,3,4-噻二唑(DMcT)溶液中电化学处理或浸泡后的循环伏安(CV)曲线的变化规律。实验结果表明,PAn膜电极在 DMcT溶液中进行电化学处理或浸泡过程可使DMcT进入PAn膜内部与PAn形成复合物。PAn对DMcT的电化学催化作用可能和二者之间形成的电子给体-受体复合物有关。该复合物的电何尝氧化还原特性不同于PAn对DMcT的电化学催化作用可能和得之间形成的 相似文献
184.
Synthesis of hexagonal monocrystal AlN microtubes and nanowires at low temperature 总被引:1,自引:0,他引:1
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This paper reports that pure hexagonal aluminium nitride microtubes
and nanowires growing along the [0001] direction have been
successfully synthesized by directly reacting AlClh-AlN, microtubes, nanowires, h-AlN, microtubes, nanowires Project supported by the
National Natural Science Foundation of China (Grant No 10474078)
and the Science Foundation of the Education Office of Shanxi
Province, China. 2006-11-23 This paper reports that pure hexagonal aluminium nitride microtubes and nanowires growing along the [0001] direction have been successfully synthesized by directly reacting AlCl3 with NaN3 at low temperature (450℃) under condition of non-solvent system. The grey-white powder of reacting product was characterized by high-resolution transmission electron microscope (HRTEM), which shows that the powder is long straight-wire morphology with outer diameter from 40nm to 300 nm and length up to several micrometres. The results of both electron diffraction (ED) and x-ray diffraction (XRD) indicate that the AlN microtubes have a pure hexagonal monocrystal tubular structure with the combination of the curled AlN nanobelts. Room-temperature photoluminescence spectrum of the synthesized sample showed an emission peak, which is closely related to the small size of the microtubes. 相似文献
185.
186.
本文对两个典型的硅酸盐体系:Di(透辉石)-Ab(钠长石)-An(钙长石)体系和Q(石英)-Lc(白榴石)体中结晶物相系进行了枝状形貌、枝体结晶学方向测试及结晶能力方面的研究.通过偏光显微镜(PL)、扫描电镜(SEM)观察发现:透辉石、低鳞石英、α-方石英都发育为枝晶,而斜长石发育成放射状球粒晶和针状晶体.通过电子背散射衍射(EBSD)测试确定出透辉石是沿<001>方向发育成枝晶的主干、低鳞石英是沿<100>和<010>方向发育成枝晶主干、α-方石英是沿两个<100>方向发育成枝晶的主干.并发现两个体系在相同降温速度下的结晶能力不同. 相似文献
187.
188.
189.
宽禁带半导体具备禁带宽度大、电子饱和飘移速度高、击穿场强大等优势,是制备高功率密度、高频率、低损耗电子器件的理想材料。碳化硅(SiC)材料具有热导率高、化学稳定性好、耐高温等优点,在SiC衬底上外延宽禁带半导体材料,对充分发挥宽禁带半导体材料的优势,并提升宽禁带半导体电子器件的性能具有重要意义。得益于SiC衬底质量持续提升及成本不断降低,基于SiC衬底的宽禁带半导体电子市场占比呈现逐年增加的态势。在SiC衬底上外延生长高质量的宽禁带半导体材料是提高宽禁带半导体电子器件性能及可靠性的关键瓶颈。本文综述了近年来国内外研究者们在SiC衬底上外延SiC、氮化镓(GaN)、氧化镓(Ga2O3)所取得的研究进展,并展望了SiC衬底上宽禁带半导体外延的发展及应用前景。 相似文献
190.
基于稀疏表示的可见光遥感图像飞机检测算法 总被引:1,自引:0,他引:1
为解决当前遥感图像飞机检测方法在复杂背景下准确率低,实现旋转不变困难的问题,结合图像稀疏表示原理,提出一种基于稀疏表示的飞机检测算法.该算法首先利用飞机是刚性目标且具有明显几何外观的特点,构建飞机几何原子库;然后建立飞机轮廓几何逼近的最优化方程,在稀疏表示原理框架下,得到飞机轮廓最优的几何部件组合;最后,以星型结构的部件模型为框架,生成待检测图像的目标显著图并根据显著图定位出飞机.实验结果表明,稀疏表示方法能自适应选取飞机部件,部件数目较少且不易受光照、颜色和复杂背景的影响.与现有算法相比,本文算法准确率达90%以上,检测速度有较大的提高. 相似文献