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采用提拉法分别生长了具有高光学质量的0.5at;和1.0at;的Ho∶ Sc2SiO5(Ho∶ SSO)激光晶体.研究表明晶体空间群为C2/c,晶胞参数为a=0.99723 nm,b=0.64261 nm,c=1.16843 nm,β=103.9°.Ho3+在SSO基质中的分凝系数为0.82.Ho∶ SSO晶体在2085nm处发射截面为1.12×10-20 cm2,发射光谱呈现一个1850~2150nm的宽发射带.当粒子数反转比率β=0.25时,增益截面σg即开始出现正增益.综合评估了晶体的激光性能,表明Ho∶SSO晶体是一种有潜力的2μm波段激光介质. 相似文献
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Studies of diamond-like carbon (DLC) films deposited on stainless steel substrate with Si/SiC intermediate layers 下载免费PDF全文
In this work, diamond-like carbon (DLC) films were deposited on stainless steel substrates with Si/SiC intermediate layers by combining plasma enhanced sputtering physical vapour deposition (PEUMS-PVD) and microwave electron cyclotron resonance plasma enhanced chemical vapour deposition (MW-ECRPECVD) techniques. The influence of substrate negative self-bias voltage and Si target power on the structure and nano-mechanical behaviour of the DLC films were investigated by Raman spectroscopy, nano-indentation, and the film structural morphology by atomic force microscopy (AFM). With the increase of deposition bias voltage, the G band shifted to higher wave-number and the integrated intensity ratio ID/IG increased. We considered these as evidences for the development of graphitization in the films. As the substrate negative self-bias voltage increased, particle bombardment function was enhanced and the sp^3-bond carbon density reducing, resulted in the peak values of hardness (H) and elastic modulus (E). Silicon addition promoted the formation of sp^3 bonding and reduced the hardness. The incorporated Si atoms substituted sp^2- bond carbon atoms in ring structures, which promoted the formation of sp^3-bond. The structural transition from C-C to C-Si bonds resulted in relaxation of the residual stress which led to the decrease of internal stress and hardness. The results of AFM indicated that the films was dense and homogeneous, the roughness of the films was decreased due to the increase of substrate negative self-bias voltage and the Si target power. 相似文献
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采用传统无压烧结工艺制备Mg,Ti共掺透明氧化铝陶瓷,测定了其吸收光谱、荧光光谱和激发光谱,结果表明,由于Mg2+的电荷补偿,当Ti掺入量较小时,Ti主要以Ti4+形式存在,(Mg,Ti):Al2O3透明陶瓷只在250nm的紫外波段有吸收峰,为O2-→Ti4+的电荷转移跃迁产生的吸收,并产生Ti4+离子在280-290nm和410-420nm的荧光发射峰;当Ti掺入量较大时,氧化铝透明陶瓷除了存在Ti4+的吸收峰,还表现出Ti3+离子490nm的特征吸收峰,即2T2→2E跃迁产生的宽带吸收,Ti3+离子的发射谱线与Ti:Al2O3单晶的相吻合. 相似文献
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Cr^4+离子在晶格中的结构稳定性 总被引:4,自引:0,他引:4
本文着重从以下三个方面系统论述Cr^4+离子在Y3Al5O12晶格中的稳定性:二介补偿离子的选择;生长气氛的影响;以及Cr^4+离子的退火效应和形成动力学。分析结果表明,Ca^2+离子是最佳补偿离子,氧化气氛的退火温度应高于1000K;而Cr^4+离子在Y3Al5O12晶格中的稳定性与生长气氛无关。 相似文献
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