振荡剪切力作用下的电流变流体黏弹性研究

利用HAAKE RS600流变仪对电流变体进行了强制振荡实验研究,得到了流体在不同 剪切应力幅和振荡频率下,电流变体储能模量、损耗模量、损耗因子随剪切应力和 剪切频率的变化规律.     

新型有机电双稳态材料的设计和性质

本文旨在突破传统的TCNQ和TTF的分子架构，通过分子剪裁保留这两个分子中的核心功能基团，同时引入新的螺环分子骨架以提高分子的热稳定性，从而获得全新的具有电子授受性质的有机化合物，并研究其电荷转移配合物的电双稳性质。     

电沉积非晶态铁—铬合金镀层的研究

本实验通过控制镀液组成和操作条件获得了非晶态铁－铬合金镀层，实验分析了ＰＨ值，电流密度以及镀层中铬含量对所形成镀层的非晶态结构的影响，阳极极化曲线测量结果表明，与晶态层相比，非晶态度层具有较高的耐蚀性。     

氢原子能量分布和分子过程

利用多道光学分析仪（ＯＳＭＡ）系统进行了高分辨率的Ｈα的测量,从Ｈα线型分布直接得出氢原子的能量分布,由能量分布可知发生在等离子体边界的原子、分子过程是离子在限制器表面中性化后的反射,以及电子碰撞引起的氢分子的激发离解和电离离解。     

谐和激励与有界噪声作用下具有同宿和异宿轨道的Duffing振子的混沌运动

研究了具有同宿轨道、异宿轨道的双势阱Duffing振子在谐和激励与有界噪声摄动下的混沌运动.基于同宿分叉和异宿分叉，由Melnikov理论推导了系统出现混沌运动的必要条件及出现分形边界的充分条件.结果表明：当Wiener过程的强度参数大于某一临界值时，噪声增大了诱发混沌运动的有界噪声的临界幅值，相应地缩小了参数空间的混沌域，且产生混沌运动的临界幅值随着噪声强度的增大而增大.同时数值计算了最大Lyapunov指数，由最大Lyapunov指数为零从另一角度得到了系统出现混沌运动的有界噪声的临界幅值，发现在Wi 关键词： 混沌 同宿和异宿分叉 随机Melnikov方法 最大Lyapunov指数     

等离子体离子温度和角向旋转速度的测量

 利用多道光学分析仪测量了HT6M托卡马克CV227.1nm谱线线形分布,通过选点拟合得到了等离子体离子温度和旋转速度。     

二值噪声驱动下二阶线性系统的随机共振

研究了二值噪声驱动下二阶线性系统的随机共振问题. 采用平均法推导出系统输出幅值增益的表达式,考察了幅值增益与系统频率、输入信号频率、噪声强度和噪声相关时间的关系,发现系统输出幅值增益随这些参量呈单峰共振变化. 另外,二值噪声的非对称性对共振峰值具有很大影响. 关键词： 随机共振 幅值增益 二值噪声 二阶线性系统     

基于选择性支持向量机集成的海杂波背景中的微弱信号检测

基于复杂非线性系统相空间重构理论,提出了一种混沌背景中微弱信号检测的选择性支持向量机集成的方法,为了提高支持向量机集成的泛化能力,采用K均值聚类算法选择每簇中精度最高的子支持向量机进行集成,建立了混沌背景噪声的一步预测模型,从预测误差中检测湮没在混沌背景噪声中的微弱目标信号（包括周期信号和瞬态信号）,最后分别以Lorenz系统和实测的IPIX雷达数据作为混沌背景噪声进行实验研元结果表明该方法能够有效地将混沌背景噪声中极其微弱的信号检测出来,抑制噪声对混沌背景信号的影响,与神经网络和传统支持向量机方法相比,预测精度和检测门限方面的性能有显著提高．     

一类含非黏滞阻尼的Duffing单边碰撞系统的激变研究

以一类含非黏滞阻尼的Duffing单边碰撞系统为研究对象, 运用复合胞坐标系方法, 分析了该系统的全局分岔特性. 对于非黏滞阻尼模型而言, 它与物体运动速度的时间历程相关, 能更真实地反映出结构材料的能量耗散现象. 研究发现, 随着阻尼系数、松弛参数及恢复系数的变化, 系统发生两类激变现象: 一种是混沌吸引子与其吸引域内的混沌鞍发生碰撞而产生的内部激变, 另一种是混沌吸引子与吸引域边界上的周期鞍(混沌鞍)发生碰撞而产生的常规边界激变(混沌边界激变), 这两类激变都使得混沌吸引子的形状发生突然改变. 关键词： 非黏滞阻尼 Duffing碰撞振动系统 激变 复合胞坐标系方法     

MPCVD�м���������巢������о�

在微波化学气相沉积装置上采用微波激发氢气甲烷体系等离子体,通过光学多道分析仪采集等离子的发射光谱.实验表明,甲烷在等离子体中的裂解产物主要以CH,CH-,C2基团的形式存在.这些基团的发射光谱强度主要受放电压强和放电功率的影响.随着微波功率的增加甲烷基团发射光谱强度呈增长的趋势;而随着放电压强的增加则是先增大,后减小.这些实验结果对于理解微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)中各种反应过程,调整薄膜制备工艺提供了参考.