聚酰亚胺涂覆的光纤宏弯温度传感器

为了提高光纤宏弯温度传感器的性能,提出了一种基于聚酰亚胺(PI)涂覆的新颖光纤宏弯温度传感器。利用基于纤芯-包层-无限涂覆层结构的光纤弯曲损耗-温度测量方法确定了传感器的光纤弯曲半径,将PI薄膜涂覆在1060-XP光纤包层外获得了新型的光纤宏弯温度传感器。该传感器的温度传感实验结果表明,PI涂覆不仅能提升光纤的机械性能和耐热性,还可实现温度灵敏度和温度测量分辨能力的显著提高。该新颖的光纤宏弯温度传感器可实现-20～100℃的宽温测量范围,温度灵敏度为0.072 dB/℃,分辨能力为0.14℃。与其他光纤宏弯温度传感器相比,所设计的传感器的温度传感性能显著提高。     

中科院电磁场前沿学术论坛在京举办

6月27日,2013中科院电磁场前沿学术论坛在中科院电工所举办.此次论坛由电工所工程电磁场及应用技术研究部和中国科大电子电气和通信工程学院联合主办,旨在为不同学科科研人员提供互相交流的平台.本次论坛收录的37组报告覆盖电磁场分析、电机与电器、磁性材料、电磁储能、电磁检测、无线能量传     

超疏水-疏水组合表面蒸汽冷凝的实验研究

液滴的快速脱落和移除对蒸汽滴状冷凝传热具有重要的影响,超疏水表面由丁二具有接触角大,接触角滞后小的优点而用于驱动冷凝液滴的自发运动,但是,常压蒸汽在超疏水表面冷凝时,液滴的润湿形态还没有定论。本文设计了超疏水疏水条纹间隔排列的超疏水一疏水组合表面,研究了常压蒸汽在组合表面上的冷凝过程,观测了液滴的运动特性,测量了超疏水一疏水组合表面上常压蒸汽冷凝传热性能。实验结果显示疏水区液滴在表面张力差的作用下从疏水区向超疏水区自发迁移,说明超疏水区液滴处于Wenzel润湿形态,超疏水一疏水组合表面蒸汽冷凝传热性能比完全超疏水和完全疏水表面传热性能的面积加权平均值大。说明液滴的自发迁移运动强化了疏水区的传热性能。     

nc-Si:H/α-SiC:H多层膜的结构与光吸收特性

利用等离子体增强化学气相沉积工艺制备了α-Si:H/α-SiC:H多层膜结构,并在900—1000?C下进行了高温退火处理,获得了尺寸可控的nc-Si:H/α-SiC:H多层膜样品.Raman测量表明,900?C以上的退火温度可以使α-Si:H层发生限制晶化.透射电子显微镜照片显示出α-Si:H层中形成的Si纳米晶粒的纵向尺寸被α-SiC:H层所限制,而与α-Si:H层的厚度相当,晶粒的择优取向是?111?晶向.傅里叶变换红外吸收谱则清楚地显示出,高温退火导致多层膜中的H原子大量逸出,以及α-SiC:H层中有更多的Si-C形成.对nc-Si:H/α-SiC:H多层膜吸收系数的测量证明,多层膜的吸收主要由nc-Si:H层支配,随着Si晶粒尺寸减小,多层膜的光学带隙增大,吸收系数降低.而当nc-Si:H层厚度不变时,α-SiC:H层厚度变化则不会引起多层膜吸收系数以及光学带隙的改变.     

基于CEEMDAN-小波包分析的隧道爆破信号去噪方法

针对隧道爆破施工中采集到的实测振动信号,引入一种基于总体平均经验模态分解方法（CEEMDAN分解）联合小波包分析的降噪方法。首先,通过CEEMDAN分解得到多个本征模态分量,利用相关系数筛选出包含噪声的模态分量,并通过模态分量的频谱图及方差贡献率进行校核。然后,利用小波包阈值降噪方法对含有噪声的模态分量进行处理。最后,将未经处理的模态分量与去噪完成的分量重构得到最终纯净的爆破振动信号。同时,通过小波包能量谱分析验证此降噪方法的可行性。本文引入的方法兼具CEEMDAN分解及小波包分析的优点,与现有方法相比,去噪效果较好,可以应用于类似隧道爆破信号的去噪处理中。     

溶胶-凝胶法制备TiO2∶ Eu3+微纳米颗粒及光致发光-光催化性能研究

采用简单的溶胶-凝胶工艺制备了未掺杂和Eu3+掺杂的TiO2微纳米颗粒.利用XRD,SEM,FT-IR,UV-Vis DR,PLE和PL光谱对样品的相结构、形貌、化学和光学性质进行了表征.样品具有球状颗粒形貌,平均大小为394 nm.考察了Eu3+掺杂TiO2的PL强度与光催化活性的关系.Eu3+离子对锐钛矿到金红石相...     

Electronic structure,Dirac points and Fermi arc surface states in three-dimensional Dirac semimetal Na_3Bi from angle-resolved photoemission spectroscopy

The three-dimensional(3D) Dirac semimetals have linearly dispersive 3D Dirac nodes where the conduction band and valence band are connected. They have isolated 3D Dirac nodes in the whole Brillouin zone and can be viewed as a 3D counterpart of graphene. Recent theoretical calculations and experimental results indicate that the 3D Dirac semimetal state can be realized in a simple stoichiometric compound A_3Bi(A = Na, K, Rb). Here we report comprehensive high-resolution angle-resolved photoemission(ARPES) measurements on the two cleaved surfaces,(001) and(100), of Na_3Bi. On the(001) surface, by comparison with theoretical calculations, we provide a proper assignment of the observed bands, and in particular, pinpoint the band that is responsible for the formation of the three-dimensional Dirac cones. We observe clear evidence of 3D Dirac cones in the three-dimensional momentum space by directly measuring on the k_x–k_y plane and by varying the photon energy to get access to different out-of-plane k_zs. In addition, we reveal new features around the Brillouin zone corners that may be related with surface reconstruction. On the(100) surface, our ARPES measurements over a large momentum space raise an issue on the selection of the basic Brillouin zone in the(100) plane. We directly observe two isolated 3D Dirac nodes on the(100) surface. We observe the signature of the Fermi-arc surface states connecting the two 3D Dirac nodes that extend to a binding energy of ~150 me V before merging into the bulk band. Our observations constitute strong evidence on the existence of the Dirac semimetal state in Na_3Bi that are consistent with previous theoretical and experimental work. In addition, our results provide new information to clarify on the nature of the band that forms the3 D Dirac cones, on the possible formation of surface reconstruction of the(001) surface, and on the issue of basic Brillouin zone selection for the(100) surface.     

PCB焊点热循环失效分析和改进设计

针对PCB（印制电路板）焊点在高低温热循环下的失效,建立了传统结构的三维模型和在芯片边角下加锡块的改进设计模型,通过实验测得FR-4的弹性模量和热膨胀系数,用ANSYS计算了PCB在高低温循环下的应力应变,并用修正的Coffin-Manson经验方程计算了焊点的热循环寿命。结果表明,通过在芯片边角下加锡块,PCB焊点的最大等效塑性应变显著降低,其热疲劳寿命得到明显提高.     

磁性功能化碳纳米管的制备及序列化碳纳米管材料的力学性能研究

对碳纳米管(MWNTs)进行化学镀镍处理制备镀镍碳纳米管(Ni/MWNTs),在500±0.5℃条件下对Ni/MWNTs进行热处理;采用磁诱导/冰模板定型复合方式将热处理Ni/MWNTs添加到壳聚糖溶液中,冷冻干燥形成MWNTs有序排列的镀镍碳纳米管-壳聚糖(Ni/MWNTs-CHI)多孔结构;将多孔结构浸入环氧树脂-固化剂-丙酮系统混合液,真空干燥处理10 h制得序列化镀镍碳纳米管-环氧树脂(Ni/MWNTs-EP)复合材料.利用分析型扫描电镜、振动样品磁强计对Ni/MWNTs进行表征.利用SEM观察了序列化Ni/MWNTs-CHI多孔显微结构.采用微机控制电子万能试验机测试了复合材料力学性能.结果表明:热处理工艺能够均匀化所镀镍层,使热处理后Ni/MWNTs饱和磁化强度(Ms)提高17±1倍;SEM发现多孔结构内局部MWNTs呈有序化排列;当MWNTs含量为2wt;时,序列化Ni/MWNTs-EP材料较MWNTs-EP材料断裂拉伸力提高了49.94;.