山豆根总黄酮不同提取方法的比较

分别采用常规回流提取法、超声提取法、微波辅助萃取法及索氏提取法对中药山豆根进行提取;以芦丁为对照品,采用分光光度法测定提取物中总黄酮的含量;以总黄酮的含量为考察指标,优选出最佳提取方法.结果表明,4种提取方法中,常规回流提取法总黄酮含量最高,微波辅助萃取法和超声提取法总黄酮含量较高,索氏提取法总黄酮含量最低;综合考虑,...     

Generation of sub-half-wavelength micro-optical traps by dichroic evanescent standing waves

The bi-dimensional optical lattices formed by several sets of laser evanescent standing waves propagating at the surface of a dielectric prism are investigated. The characteristics of the optical traps including their depths and the sizes are analysed. It is shown that the micro-optical lattice with a sub-half-wavelength size can be achieved by the interference of the selected evanescent waves. The scheme together with the recently developed atomic chip may be used for atomic quantum manipulation.     

Ar环境气压对脉冲激光烧蚀制备纳米Si晶粒平均尺寸的影响

采用XeCl脉冲准分子激光器，烧蚀高阻抗单晶Si靶，在1—500 Pa的Ar气环境下沉积制备了纳米Si薄膜. x射线衍射谱测量证实，纳米Si晶粒已经形成.利用扫描电子显微镜观测了所形成纳米Si薄膜的表面形貌，结果表明，随着环境气压的增加，所形成的纳米Si晶粒的平均尺寸增大，气压为100 Pa时达到最大值20 nm，而后开始减小. 从晶粒形成动力学角度，对实验结果进行了定性分析. 关键词： 纳米Si晶粒 脉冲激光烧蚀 表面形貌     

LD泵浦Nd:YVO4/LBO单频671 nm激光器

利用半导体激光器(LD)端面抽运位于四镜环行腔中的Nd:YVO4晶体,保证激光器单频运转的腔内光学单向器由TGG和λ/2波片构成.腔内倍频晶体选用Ⅰ类临界相位匹配LBO晶体,我们获得了输出功率为360 mW,波长为671 nm的单频红光.     

光电平台系统激光照射精度分析与计算

为了评估光电平台系统激光照射器对目标的照射精度,理论分析和数值计算了由大气湍流效应引起的激光照射误差;同时结合光电平台系统和激光光斑测量设备,对光电平台系统自身可见光瞄准分系统和激光照射分系统的光轴不平行度引起的照射误差进行了实验实测,三次实验测得的照射误差依次为0.352 5 mrad、0.521 9 mrad和0.511 3 mrad。结果表明：随着照射距离和湍流强度的增加,系统的照射误差迅速增大;平台自身光轴不平行度引起的照射误差在毫弧度量级,远大于大气湍流效应引起的照射误差。该结果为光电平台系统激光照射精度的误差量化分析提供技术支撑。     

过硫酸钾插层膨胀-氧化法制备高阳离子交换容量氧化石墨及表征

以过硫酸钾为插层膨胀剂,高锰酸钾为氧化剂,采用膨胀-氧化一步法制备了具有高阳离子交换容量的氧化石墨(GO).采用扫描电子显微镜、X射线衍射、傅里叶变换红外光谱和X射线光电子能谱对样品的形貌、结构、含氧官能团的种类及含量进行表征.结果表明,过硫酸钾插层膨胀处理能有效抑制GO的过氧化现象,获得片层更轻薄、氧化程度更均匀的G...     

在课堂教学中如何寻找数学核心素养的生长点?

<正>什么是数学核心素养?基于这种素养的课堂教学如何进行?要弄清楚这两个问题,一方面要深入理解学科核心素养各要素的内涵、特征及其相互关系;另一方面,也是最重要的一点,是要结合特定教学任务,思考相应素养在教学中的孕育点、生长点,要关注学科素养目标在教学中的可实现性,要研究其融入教学内容和教学过程的具体方式和载体,使学科核心素养成为可以落实的教学目标.     

掺氧纳米硅局域态中的电子自旋能级展宽效应

本文发现很有趣的量子效应,纳米硅表面掺杂氧而形成的电子局域态中电子自旋能级间隔会有明显的展宽,被约束在局域态中的电子自旋±1/2能态间距被展宽两个数量级,达到100 meV左右.本文用纳秒脉冲激光在氧氛围中制备了掺杂氧纳米硅结构并形成电子局域态,在实验检测中探测到了电子自旋能级展宽效应;用第一性原理模拟计算方法研究了电子自旋能级展宽效应,具体地对于纳米硅量子点和量子层结构表面的硅氧双键与硅氧桥键局域态中的电子自旋量子态分别进行了模拟计算研究,证实了实验结果.结合实验与计算研究结果分析,建立起电子自旋能级展宽效应的物理模型.这些工作在量子信息高保真存储与处理上会有很好的应用.