分子空位缺陷对环三亚甲基三硝胺含能材料几何结构、电子结构及振动特性的影响

含能材料中的微观缺陷是导致“热点”形成并相继引发爆轰的重要因素. 然而, 由于目前人们对材料内部微观缺陷的认识不足, 限制了对含能材料中“热点”形成微观机理的理解, 进而阻碍了含能材料的发展和应用. 为了洞悉含能材料内部微观缺陷特性及探索缺陷引发“热点”的形成机理, 利用第一性原理方法研究了分子空位缺陷对环三亚甲基三硝胺(RDX) 含能材料的几何结构、电子结构及振动特性的影响, 探讨了微观缺陷对初始“热点”形成的基本机理. 采用周期性模型分析了分子空位缺陷对RDX几何结构、电子能带结构、电子态密度及前线分子轨道的影响. 采用团簇模型分析了分子空位缺陷对RDX振动特性的影响. 结果发现, 分子空位缺陷的存在使其附近的N–N键变长, 分子结构变得松弛; 使导带中很多简并的能级发生分离, 电子态密度减小, 并使由N-2p和O-2p轨道形成的导带底和价带顶均向费米面方向移动, 降低了能带隙值, 增加了体系活性. 前线分子轨道及红外振动光谱的计算分析表明, 分子缺陷使最高已占分子轨道电荷主要集中在缺陷附近的分子上, 且分子中C–H键和N–N键能减弱. 这些特性表明, 分子空位缺陷的存在使体系能带隙变小, 并使缺陷附近的分子结构松弛, 电荷分布增多, 反应活性增强; 在外界能量激发下, 缺陷附近分子将变得不稳定, 分子中的C–H键或N–N键较易先发生断裂, 发生化学反应释放能量, 进而成为形成“热点”的根源.     

N掺杂锐钛矿TiO2光学性能的第一性原理研究

用平面波赝势方法(PWP)计算了N掺杂锐钛矿型TiO₂前后的光学特性,即介电函数虚部ε₂(ω)，光学吸收系数I(ω)和反射率R(ω). 并从能带结构上解释了为什么掺N后锐钛矿型TiO₂的光学谱在2.93，3.56和3.97eV处相对掺杂前会出现3个峰值的原因. 从光谱图上分析得出，掺杂后TiO₂要发生红移现象，实验现象证实了这一结果. 关键词： N掺杂 2')" href="#">锐钛矿型TiO₂ 光学性能 第一性原理     

NECESSARY AND SUFFICIENT CONDITIONS FOR THE EXISTENCE OF NONNEGATIVE SOLUTIONS OF INHOMOGENEOUS p-LAPLACE EQUATION

LetΩbe a smooth bounded domain in Rn. In this article, we consider the homogeneous boundary Dirichlet problem of inhomogeneous p-Laplace equation -△pu=|u|q-1u λf(x) onΩ, and identify necessary and sufficient conditions onΩand f(x) which ensure the existence, or multiplicities of nonnegative solutions for the problem under consideration.     

山豆根总黄酮不同提取方法的比较

分别采用常规回流提取法、超声提取法、微波辅助萃取法及索氏提取法对中药山豆根进行提取;以芦丁为对照品,采用分光光度法测定提取物中总黄酮的含量;以总黄酮的含量为考察指标,优选出最佳提取方法.结果表明,4种提取方法中,常规回流提取法总黄酮含量最高,微波辅助萃取法和超声提取法总黄酮含量较高,索氏提取法总黄酮含量最低;综合考虑,...     

Generation of sub-half-wavelength micro-optical traps by dichroic evanescent standing waves

The bi-dimensional optical lattices formed by several sets of laser evanescent standing waves propagating at the surface of a dielectric prism are investigated. The characteristics of the optical traps including their depths and the sizes are analysed. It is shown that the micro-optical lattice with a sub-half-wavelength size can be achieved by the interference of the selected evanescent waves. The scheme together with the recently developed atomic chip may be used for atomic quantum manipulation.     

Ar环境气压对脉冲激光烧蚀制备纳米Si晶粒平均尺寸的影响

采用XeCl脉冲准分子激光器，烧蚀高阻抗单晶Si靶，在1—500 Pa的Ar气环境下沉积制备了纳米Si薄膜. x射线衍射谱测量证实，纳米Si晶粒已经形成.利用扫描电子显微镜观测了所形成纳米Si薄膜的表面形貌，结果表明，随着环境气压的增加，所形成的纳米Si晶粒的平均尺寸增大，气压为100 Pa时达到最大值20 nm，而后开始减小. 从晶粒形成动力学角度，对实验结果进行了定性分析. 关键词： 纳米Si晶粒 脉冲激光烧蚀 表面形貌     

LD泵浦Nd:YVO4/LBO单频671 nm激光器

利用半导体激光器(LD)端面抽运位于四镜环行腔中的Nd:YVO4晶体,保证激光器单频运转的腔内光学单向器由TGG和λ/2波片构成.腔内倍频晶体选用Ⅰ类临界相位匹配LBO晶体,我们获得了输出功率为360 mW,波长为671 nm的单频红光.     

光电平台系统激光照射精度分析与计算

为了评估光电平台系统激光照射器对目标的照射精度,理论分析和数值计算了由大气湍流效应引起的激光照射误差;同时结合光电平台系统和激光光斑测量设备,对光电平台系统自身可见光瞄准分系统和激光照射分系统的光轴不平行度引起的照射误差进行了实验实测,三次实验测得的照射误差依次为0.352 5 mrad、0.521 9 mrad和0.511 3 mrad。结果表明：随着照射距离和湍流强度的增加,系统的照射误差迅速增大;平台自身光轴不平行度引起的照射误差在毫弧度量级,远大于大气湍流效应引起的照射误差。该结果为光电平台系统激光照射精度的误差量化分析提供技术支撑。     

过硫酸钾插层膨胀-氧化法制备高阳离子交换容量氧化石墨及表征

以过硫酸钾为插层膨胀剂,高锰酸钾为氧化剂,采用膨胀-氧化一步法制备了具有高阳离子交换容量的氧化石墨(GO).采用扫描电子显微镜、X射线衍射、傅里叶变换红外光谱和X射线光电子能谱对样品的形貌、结构、含氧官能团的种类及含量进行表征.结果表明,过硫酸钾插层膨胀处理能有效抑制GO的过氧化现象,获得片层更轻薄、氧化程度更均匀的G...     

在课堂教学中如何寻找数学核心素养的生长点?

<正>什么是数学核心素养?基于这种素养的课堂教学如何进行?要弄清楚这两个问题,一方面要深入理解学科核心素养各要素的内涵、特征及其相互关系;另一方面,也是最重要的一点,是要结合特定教学任务,思考相应素养在教学中的孕育点、生长点,要关注学科素养目标在教学中的可实现性,要研究其融入教学内容和教学过程的具体方式和载体,使学科核心素养成为可以落实的教学目标.