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91.
A phenomenological Landau–Devonshire theory is developed to investigate the ferroelectric, dielectric, and piezoelectric properties of(110) oriented Pb(Zr_(1-x)Ti_x)O_3(x = 0.4, 0.5, 0.6, and 0.7) thin films. At room temperature, the tetragonal a_1 phase, the orthorhombic a_2c phase, the triclinic γ_1 phase, and the triclinic γ_2 phase are stable. The appearance of the negative polarization component P_2 in the a_2c phase and the γ_1 phase is attributed to the nonlinear coupling terms in the thermodynamic potential. The γ phase of the Pb(Zr_(1-x)Ti_x)O_3 thin films has better dielectric and piezoelectric properties than the a_2c phase and the a_1 phase. The largest dielectric and piezoelectric coefficients are obtained in the Pb(Zr_(0.5)Ti_(0.5))O_3 thin film. The piezoelectric coefficient of 110–150 pm/V is obtained in the(110) oriented Pb(Zr_(0.5)Ti_(0.5))O_3 thin film, and the Pb(Zr_(0.3)Ti_(0.7))O_3 thin film has the remnant polarization and relative dielectric constant of 50 μC/cm~2 and 100, respectively,which are in agreement with the experimental measurements reported in the literature. 相似文献
92.
为研究真空环境下电磁场诱发针-板电晕放电特性,研制了电磁场发生器、真空系统、高压静电源、动态电位测试仪等组成的电磁场辐照诱发真空电晕放电模拟试验系统。该系统可实现真空管内气压为80 Pa的低真空环境,并利用此系统进行在电磁场的作用下的电晕放电试验,初步得到了电磁场辐照诱发电晕放电的阈值电压的变化规律。试验结果表明:当温度、湿度等其他环境因素基本不变,真空管内气压为80 Pa时, 正常放电阈值为-590 V, 利用负极性高压静电放电, 电压取值范围10~20 kV, 产生的电磁脉冲辐射作用于真空管内充电区域,可使放电阈值降低90~180 V。 相似文献
93.
利用等离子体化学气相沉积系统在直流电压源和射频源的双重激励下,以康宁7059玻璃为衬底制备了氢化硅薄膜.过测定氢化硅薄膜Raman光谱,对薄膜微结构进行了表征;建立氢化硅薄膜的光吸收模型,计算出薄膜的光吸收系数和光学带隙,和实验结果基本一致,说明该模型符合实验结果;并利用该模型计算的光吸收系数和光学带隙,结合AMPS软件对设计的太阳电池结构进行了模拟,给出的I-V特性曲线变化趋势与实验结果基本符合,同时对实验结果与模拟结果存在差异的原因进行了分析,并给出合理解释.
关键词:
氢化硅薄膜
光吸收系数
光吸收模型 相似文献
94.
密度泛函理论(DFT)总能计算研究了不同覆盖度下氯原子在Cu(111)表面的吸附结构和表面电子态。计算结果表明,清洁Cu(111)表面自由能 为15.72 ,表面功函数φ为4.753eV。在1/4ML和1/3ML覆盖度下,每个氯原子在Cu(111)表面fcc谷位的吸附能分别等于3.278eV/atom和3.284eV/atom。在1/2ML覆盖度下,两个紧邻氯原子分别吸附于fcc和hcp谷位,氯原子的平均吸附能为2.631eV/atom。在1/3ML覆盖度下,fcc和hcp两个位置每个氯原子吸附能的差值约为2meV/atom,与正入射X光驻波实验结合蒙特卡罗方法得到结果(<10meV/atom)基本一致。在1/4ML、1/3ML和1/2ML覆盖度下,吸附后Cu(111)表面的功函数依次为5.263eV、5.275eV和5.851eV。吸附原子和衬底价轨道杂化形成的局域表面电子态位于费米能级以下约1.2eV、3.6eV和4.5eV等处。吸附能和电子结构的计算结果表明,氯原子间的直接作用和表面铜原子紧邻氯原子数目是决定表面结构的两个重要因素。 相似文献
95.
用5ns,1064nm的脉冲Nd:YAG激光,研究了乙醚团簇与纳秒激光的相互作用.在1011 W/cm2量级光强下,观察到价电子完全剥离的O6+,C4+,且这些高价离子的强度比值基本不随激光能量而变化.用阻滞电压方法测量了电离过程中溢出电子能量分布,在最大激光能量4.0×1011 W/cm2,溢出电子的平均能量为56eV,最大能量为102eV.实验结果支持了高价离子产生的“多
关键词:
高价离子
电子能量
纳秒激光
乙醚团簇 相似文献
96.
97.
98.
激光束通过加c向直流电压的α-LiIO3单晶时,发生三种准弹性散射:散射光电位移矢量有特定取向且与入射光电位移矢量方向不一致者,散射光电位移矢量与入射光电位移矢量方向相同而散射带垂直c轴者以及散射光电位移矢量与入射光电位移矢量方向相同而散射带对c轴倾斜者,本文详细研究了这三种散射的空间频谱、精细结构、结构敏感性、弛豫规律以及光散射和晶体内电流密度与局部电场的关系,发现光散射发生于晶体内电流密度较大的区域,本文对三种散射的起因给予了说明:离子导体在直流电压作用下空间电荷的分布和运动引起
关键词: 相似文献
99.
100.
在磁性材料的研究中,磁畴的电镜观测是人们很感兴趣的问题[1]. 利用扫描电镜可以观测到磁性材料的两种磁衬度(图1).第一种磁衬度首先由Joy和Jakubovics利用二次电子信号观测到[3].引起这种磁树度的原因是磁性材料存在着漏磁场.漏磁场引起试样表面发射的二次电子轨道的改变,由于从磁性相反的磁畴中探测到二次电子的效率不同,从而引起磁衬度.由单轴各向异性的磁性材料(如钻和磁泡材料)可得到这种磁衬度[见图1(a)]. 第二种磁衬度首先由Philibert和Tixier[3]利用试样电流得到.以后,更多的研究工作者用背散射电子观测到这种磁树度.这种磁衬度产… 相似文献