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高效液相色谱-串联质谱法测定芽苗类蔬菜及其来源豆类中4种非法添加物的残留量 总被引:2,自引:0,他引:2
建立了芽苗类蔬菜及其来源豆类中对氯苯氧乙酸、6-苄基腺嘌呤、恩诺沙星和诺氟沙星残留量的反相高效液相色谱-串联质谱(LC-MS/MS)检测方法。样品经含0.1%冰醋酸的乙腈提取、浓缩后,以C18为分析色谱柱,甲醇和0.1%甲酸水溶液作为流动相进行梯度洗脱分离。质谱采用电喷雾方式电离,正、负离子分段扫描,测定上述4种非法添加物。选择确定对氯苯氧乙酸、6-苄基腺嘌呤、恩诺沙星和诺氟沙星的母离子依次为m/z 189.9、226.1、359.9和320.1,定量子离子依次为m/z 127.0、91.2、315.9和276.2。4种药物在5~200 μg/L范围内线性关系良好(r2> 0.995)。选取了绿豆芽和绿豆作为代表性基质进行添加回收试验,4种药物的检出限和定量限分别为1 μg/kg和5 μg/kg;在5.0、10.0、20.0 μg/kg 3个添加水平下,4种药物的回收率为70%~91%,相对标准偏差(RSD)小于14%。方法准确、灵敏、简便,适用于芽苗类蔬菜及其来源豆类中4种非法添加物残留的同时测定。 相似文献
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本文以(14)~C标记丁烯-1在Sn-P-Li催化剂上的异构化和氧化脱氢的机理及动力学为例,详细地介绍了扩展示踪动力学方法。 在Sn-P-Li催化剂上丁烯-1的选择氧化速度明显大于丁烯-2,而燃烧反应的速度却远小于丁烯-2。选择氧化反应对丁烯为0.8级,对氧为0.2级。动力学结果还表明在Sn-P-Li催化剂上丁烯异构化反应主要通过烯丙基脱附进行的。若选择氧化反应是通过烯丙基进行的,则第一个氢原子的裂离可能是速度控制步骤。 相似文献
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在团簇近似的基础上,利用分子动力学和密度泛函计算相结合的手段,在Y2O3:Eu3+中研究了随Li+掺杂浓度的变化,缺陷形成情况以及C2位处Y-O键长的变化对电子态密度的影响.结果表明,随着Li+掺杂浓度的增加,与C2格位相关团簇的Y-O键平均键长出现了增加-减小-增加的变化趋势,这可能是引起此类材料发光强度随Li+浓度出现类似变化的原因. 相似文献
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A New Method for Constructing Travelling Wave Solutions to the modified Benjamin--Bona--Mahoney Equation 下载免费PDF全文
We present a new method to find the exact travelling wave solutions of nonlinear evolution equations, with the aid of the symbolic computation. Based on this method, we successfully solve the modified BenjaminBona-Mahoney equation, and obtain some new solutions which can be expressed by trigonometric functions and hyperbolic functions, It is shown that the proposed method is direct, effective and can be used for many other nonlinear evolution equations in mathematical physics. 相似文献
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平面微透镜阵列与匹配的微图案阵列叠合时,会产生叠栅效应,在微透镜阵列立体防伪技术和高精度测量方面具有潜在的应用价值。基于游标叠栅效应原理建立了叠栅图案的放大倍数和方向与微图案阵列层、平面微透镜阵列层矢量之间的关系式,即叠栅图案相对于微图案的放大倍数约等于微透镜阵列周期矢量与平面微透镜阵列、微图案阵列周期矢量差的比值,该公式能够预测微图案映射的位置和大小。采用孔径边长为0.3 mm、周期为0.315 mm的方形孔径平面微透镜阵列与不同周期、角度的微图案贴合进行验证,叠栅图案的位置、大小的实验结果与理论预测一致。 相似文献
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Ge Complementary Tunneling Field-Effect Transistors Featuring Dopant Segregated NiGe Source/Drain 下载免费PDF全文
Ge complementary tunneling field-effect transistors(TFETs) are fabricated with the NiGe metal source/drain(S/D) structure. The dopant segregation method is employed to form the NiGe/Ge tunneling junctions of sufficiently high Schottky barrier heights. As a result, the Ge p-and n-TFETs exhibit decent electrical properties of large ON-state current and steep sub-threshold slope(S factor). Especially, I_d of 0.2 μA/μm is revealed at V_g-V_(th) = V_d = ±0.5 V for Ge pTFETs,with the S factor of 28 mV/dec at 7 K. 相似文献