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硫代巴比妥酸是目前多晶型种类较丰富的一类固体药物。利用太赫兹时域光谱(THz-TDS)技术对硫代巴比妥酸晶型Ⅰ,Ⅱ,Ⅲ,Ⅳ和水合晶型进行表征分析,得到明显不同的太赫兹光谱,表明THz光谱技术可以有效鉴别硫代巴比妥酸不同类多晶型。硫代巴比妥酸晶型Ⅳ为异构多晶型,它在0.65 THz处的宽峰以及1.02,1.41 THz处的吸收峰明显区别于晶型Ⅰ和Ⅱ简单的物理混合。运用密度泛函理论(DFT)对硫代巴比妥酸晶型Ⅳ的两种可能结构进行了分子结构优化和光谱模拟,模拟结果显示其中的结构a在0.41/0.47,0.89和1.35 THz处具有吸收峰,与实验结果较吻合。由此推断晶型Ⅳ由硫代巴比妥酸异构体A的硫酮键中的S7和异构体B酰胺中的H23构成第一处氢键,异构体B硫酮键中的S20和异构体A酰胺中的H13形成第二处氢键。本文还结合理论模拟结果对硫代巴比妥酸晶型Ⅳ的振动模式进行归属。 相似文献
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113.
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应用傅立叶交换红外光谱(FT-IR)技术和自制10cm光程的不锈钢液体池,建立了光纤原料四氯化硅中微量三氯氢硅的定量分析方法。该法具有安全、简便、灵敏和重复性好的特点。 相似文献
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116.
脯氨酸硫酯自然化学连接反应中的轨道相互作用 总被引:1,自引:0,他引:1
采用密度泛函理论(DFT)方法(M06//B3LYP)对脯氨酸硫酯在自然化学连接(NCL)反应中低反应活性的现象进行了详细的理论研究.通过对脯氨酸和丙氨酸硫酯NCL反应的具体反应路径(Path-Pro和Path-Ala)分别进行计算发现,两个分子的反应路径均先后经历外源硫醇-硫酯交换、硫酯-硫酯交换、分子内S→N酰基化重排三个主要步骤.两者的决速步骤均为第一步骤.其中Path-Pro的总能垒较高,即脯氨酸硫酯的反应活性较低,这与实验结果一致.对两路径的决速步骤进一步考察,发现脯氨酸中αN上的羰基对反应中心羰基的n→π*相互作用使得脯氨酸硫酯的LUMO轨道能量升高,相应羰基C与S(芳基硫醇)原子之间的相互作用较小,从而使得反应能垒升高. 相似文献
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雷击近场等强电场环境下的磁场测量是电磁脉冲测量技术中的难点之一,由于输出端结构的径向非对称性,传统的环天线很难避免电场干扰。针对于此,研制了一种基于双环差分结构的脉冲磁场传感器,该传感器由双环天线和光传输系统组成。根据近场电磁场量的分布特性,双环天线选择平行镜像对称放置的方式,从而能够将终端电压区分为磁场响应分量和电场响应分量,再通过末端差分电路即可去除电场响应分量,得到纯净的磁场响应分量。试验表明,在邻近雷击环境模拟装置中,双环传感器相较于单环传感器具备更强的抗电场干扰能力,能够实现磁场的准确测量。 相似文献
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二硒化钨具有优异导电性、高比表面积和大间距层状结构等特点,能作为催化材料有效提升锂硫电池的性能;然而少量的边缘活性位点阻碍了其催化活性的进一步提升.通过引入原子空位制造表面缺陷,可使其暴露更多的表面活性位点,提高催化活性.本文通过第一性原理计算考察了不同Se空位缺陷浓度(3.125%,6.25%,9.375%和12.5%)WSe2表面的多硫化物吸附能力、锂离子迁移能力和多硫化物转化能力,探究了缺陷改性硒化钨在锂硫电池中的应用潜力.结果表明,6.25%中等空位缺陷浓度的WSe2表面具有适中的多硫化物吸附能力、快速的锂离子迁移和对于充电放电过程的同步促进作用,是最优势的表面;3.125%的低空位缺陷WSe2表面对于多硫化物吸附、锂离子迁移和充放电过程均不利;9.375%和12.5%的高空位缺陷WSe2表面虽然有利于锂离子迁移,但是对于短链多硫化物的吸附能力过强,同时不利于放电过程. 相似文献
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对装有水的容器施加垂直振动,水中的气泡可能出现下沉的现象.针对球形气泡构建了基于理想气体方程的气泡运动学模型,该模型考虑了Basset力对气泡运动的影响.观察到气泡的运动呈振荡形式,存在一个临界深度,气泡在临界深度时稳定振荡,在临界深度以上时上升,在临界深度以下时下沉.采用分离气泡运动和引入收敛因子的方法对Basset力进行理论求解,并通过等步长复合梯形公式对Basset力进行数值求解.模型的数值模拟结果表明:附加质量力是气泡下沉的关键因素,而Basset力对气泡下沉的临界深度和气泡下沉的前期轨迹无明显影响,但对气泡下沉的后期轨迹有较大影响.采用去噪、二值化、填充图像等数字图像处理的办法提取气泡的特征尺寸,可提高实验参数测量的准确性,使气泡下沉的临界深度与理论值相匹配. 相似文献