含铀化合物UAl3和USn3电子结构的密度泛函研究

用第一性原理的全势能LMTO密度泛函能带计算方法研究了具有简单立方Cu3Au结构的含U化合物UX3(X=Al,Sn)的电子结构.对于重原子U的相对论效应,除了用标量相对论加以修正外,还加入了自旋-轨道耦合的修正.研究结果定性地说明了由于不同的交换关联电子势场的作用,在这两种结构相同的含U合金中,U的5f电子态具有完全不同的性质,即在UAl3和USn3中U的5f态分别表现为巡游扩展态和局域态行为,通过Stuttgart-fatband分析,定量地对上述结论予以佐证.同时,还解决了现存的有关理论研究之间的分歧,得出了与实验结果更为相符的上述两种含U合金体系电子结构的计算结果.     

用切割分离法加工小型斜方棱镜

本文讨论了切割分离法加工小尺寸斜方棱镜,该工艺操作简便,精度容易得到保证。     

Whc 83的解决

文[1]提出至今未见人解决的W hc83:怎样对一般的复系数二次方程的根的情况进行简易判别和完全的分类?能否有象实系数一元二次方程那样的求根公式?本文研究了这个问题.1复系数一元二次方程根的判别设一般复系数二次方程为(a1 a2i)z2 (b1 b2i)z (c1 c2i)=0,其中,aj,bj,cj∈R,j=1,     

Numerical Study on a Lateral Double-Gate Tunnelling Field Effect Transistor

A novel lateral double-gate tunnelling field effect transistor （DG-TFET） is studied and its performance is presented by a two-dimensional device simulation with code ISE. The result demonstrates that this new tunnelling transistor allows for the steeper sub-threshold swing below 60mV/dec, the super low supply voltage （operable at VDD 〈 0.3 V） and the rail-to-rail logic （significant on-state current at the drain-source voltage VDS = 50mV） for the aggressive technology assumptions of the availability of high-k/metal stack with equivalent gate oxide thickness EOT =0.24 nm and the work function difference 4.5 eV of materials.     

三维显示技术

本文简要叙述了三维显示的基本原理和特性．概述了体视对显示技术、自体视显示技术、空间加载显示技术和全息显示技术的原理和方法．介绍了目前在电影、电视、图象等领域已经实用的三维显示技术．描绘了三维显示技术和计算机技术相结合的发展前景．     

卡宾化学中的新领域——不饱和卡宾

卡宾(或称碳烯)作为一类活性反应中间体,一直是一个活跃的研究领域。它不仅推动了诸如硅烯、锗烯以及卡拜(Carbynes,或称碳炔)等新型活性中间体的研究,同时有关卡宾本     

有机硅活性中间体的研究 Ⅲ.含噻吩环硅烯的产生及其捕获

硅烯(两价的硅)和卡宾(两价的碳)一样,是一类基本的反应活性中间体,但含有杂环的硅烯,目前研究还不多.我们曾报道了含呋喃基苯基硅烯的产生.噻吩环的硫原子虽然和呋喃环的氧同属周期表中的第六族元素,但硫是第三周期,其最外层的3s和3p电子距原子核较远,估计将会有不同于呋喃基苯基硅烯的性质.因此,进行了含噻吩环硅烯的产生及捕获的研究. 产生噻吩基苯基硅烯的前体化合物是2-(α-噻吩基)-2-苯基六甲基三硅烷(1).首先由α-     

用NBSGSC计算机程序和单标样的理论α系数法分析结果

引言过去30年,人们在X射线荧光分析中试用了各种校正元素间影响的计算方法。其中所谓的“经验系数法”需要相当数量的优质标样。而所谓的“基本参数法”原则上仅需纯元素标样或单只多元标样。纯元素标样有时难以得到,而且受到所用物理常数和参数(包括质量吸收系数,荧光产额,吸收边跃迁比,原级光谱和几何因子等)不准确性的严重影响,在多数情况下结果甚差。除非手头没有多元标样,一般在基本参数法中不宜使用。而单只多元标样则可消除或减小理论的不完善性以及基本参数的不准确性,因而在基本参数法中更为可取。