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151.
高重复率电光调Q的高光束质量Nd:YVO4板条激光器 总被引:6,自引:0,他引:6
部分端面抽运混合腔板条激光器可以在紧凑的空间内实现大功率高光束质量的激光输出。利用这一技术并结合具有增益高、荧光寿命短等特点的Nd:YVO3晶体.配合新型高重复率的电光Q开关.易于实现高频窄脉冲高光束质量的激光输出。在德国Edge Wave GmbH进行了混合腔电光调Q激光器的合作研究中,实现了高重复率近衍射极限的输出;在以5kHz的高重复率运转时.获得了单脉冲能量7.2mJ,脉宽5.7ns,平均功率约36W的脉冲;当重复率高达50kHz时.输出的激光脉冲的参量是单脉冲能量1.6mJ.脉宽9.5ns,平均功率超过80W。实验所测的光束质量因子M^2小于2。 相似文献
152.
利用包含瞬子效应的QCD求和规则计算了0++胶球的质量上限,结果为1.3GeV.还探讨了变动瞬子参量时对QCD求和规则的影响,发现包含瞬子修正的QCD求和规则在瞬子大小为1/3fm时变得很稳定 相似文献
153.
154.
LED照明的光栅光调制器光学特性分析与实验 总被引:1,自引:1,他引:1
针对一种新型的光凋制器--光栅光调制器,研究用LED作为其照明光源时对光学调制特性的影响.以部分相干光理论为依据,结合MATLAB仿真,推导出用LED照明光栅光调制器时,光源带宽对成像对比度具有较大的影响,通过滤色片将光源带宽减小到13 nm时,像面上的对比度约为150,进一步减小带宽至10 nm,对比度将达到225.光源的尺寸在与光源到光栅光调制器之间的距离相比小于0.03时,对光栅光调制器的光学信息处理不会有影响,并通过实验加以证实,从而说明采用LED作为光栅光调制器照明光源的可行性. 相似文献
155.
We present a simple but effective method for small-angle measurement based on optical feedback interferometry (or laser self-mixing interferometry). The absolute zero angle can be defined at the biggest fringe amplitude point, so this method can also achieve absolute angle measurement. In order to verify the method, we construct an angle measurement system. The Fourier-transform method is used to analysis the interference signal. Rotation angles are experimentally measured with a resolution of 10^-6 rad and a measurement range of approximately from -0.0007 to +0.0007 rad. 相似文献
156.
10 K条件下,采用光致发光(PL)技术研究了不同退火处理后非故意掺杂4H-SiC外延材料的低温PL特性.结果发现,在370—400 nm范围内出现了三个发射峰,能量较高的峰约为3.26 eV,与4H-SiC材料的室温禁带宽度相当.波长约为386 nm和388 nm的两个发射峰分别位于~3.21 eV和~3.19 eV,与材料中的N杂质有关.当退火时间为30 min时,随退火温度的升高,386 nm和388 nm两个发射峰的PL强度先增加后减小,且退火温度为1573 K时,两个发射峰的PL强度均达到最大.
关键词:
光致发光
退火处理
能级
4H-SiC 相似文献
157.
The generation of atomic entanglement is discussed in a system that atoms are trapped in separate cavities which are connected via optical fibres. Two distant atoms can be projected to Bell-state by synchronized turning off of the local laser fields and then performing a single quantum measurement by a distant controller. The distinct advantage of this scheme is that it works in a regime where Δ≈κ〉〉g, which makes the scheme insensitive to cavity strong leakage. Moreover, the fidelity is not affected by atomic spontaneous emission. 相似文献
158.
159.
160.
本文采用离子束溅射Bi/Te和Sb/Te二元复合靶,直接制备n型Bi2Te3热电薄膜和p型Sb2Te3热电薄膜.在退火时间同为1 h的条件下,对所制备的Bi2Te3薄膜和Sb2Te3薄膜进行不同温度的退火处理,并对其热电性能进行表征.结果表明,在退火温度为150 ℃时,制备的n型Bi2Te3关键词:
薄膜温差电池
2Te3薄膜')" href="#">Sb2Te3薄膜
2Te3薄膜')" href="#">Bi2Te3薄膜
离子束溅射 相似文献