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对2.5 Ω,200 ns低阻抗Blumlein型脉冲形成网络进行3维建模,利用有限元仿真软件,分别采用静电场分析方法及高频分析方法对开关端、负载端的电感进行模拟研究,结果表明:随着工作频率增大,引线电感值逐渐减小,工作频率为2.5 MHz时,引线内电感可以忽略不计。此时模拟得到的引线电感要比静态模拟结果小10 nH左右;两个开关并联工作时不仅要考虑引线自身的电感,还要考虑同步导通时互感的影响,且互感达到了自感的1/4。使用Pspice软件对模拟结果进行仿真,采用电磁屏蔽后输出波形前沿相对于屏蔽前输出波形前沿要小2.1 ns。实验研究结果表明,采用电磁屏蔽前后输出波形的前沿分别为68.8,65.2 ns,减小量与模拟结果基本吻合。 相似文献
935.
利用物理掺杂的方法,制备了铜掺杂聚-4-甲基-1-戊烯(PMP)低密度泡沫材料,采用高分辨扫描电子显微镜和透射电子显微镜,分析了泡沫材料的微观结构、成分及微区成分分布。结果表明:与PMP泡沫相比,铜掺杂PMP泡沫的孔洞直径和网络骨架尺寸变大;铜颗粒镶嵌在PMP泡沫的有机骨架上且有团聚现象;泡沫材料中除碳、铜外,还残留有杂质元素氧;铜颗粒被PMP泡沫包裹,与碳网络骨架之间接触紧密。 相似文献
936.
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A general scheme of generating NOON states of virtually-excited 2N atoms is proposed. The two cavities are fibre-connected with N atoms in each cavity. Although we focus on the case of N = 2, the system can be extended to a few atoms with N 〉2. It is found that all 2N atoms can be entangled in the form of NOON states if the atoms in the first cavity are initially in the excited states and atoms in the second cavity are all in the ground states. The feasibility of the scheme is carefully discussed, it shows that the NOON state with a few atoms can be generated with good fidelity and the scheme is feasible in experiment. 相似文献
940.
Research on high-voltage 4H-SiC P-i-N diode with planar edge junction termination techniques
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The planar edge termination techniques of junction termination extension (JTE) and offset field plates and field-limiting rings for the 4H-SiC P-i-N diode were investigated and optimized by using a two-dimensional device simulator ISE-TCAD10.0. By experimental verification, a good consistency between simulation and experiment can be observed. The results show that the reverse breakdown voltage for the 4H-SiC P-i-N diode with optimized JTE edge termination can accomplish near ideal breakdown voltage and much lower leakage current. The breakdown voltage can be near 1650 V, which achieves more than 90 percent of ideal parallel plane junction breakdown voltage and the leakage current density can be near 3 × 10-5 A/cm2. 相似文献