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351.
王斌 《中国无机分析化学》2012,2(1):61-63
提出了偏振能量色散X射线荧光光谱法测定炼钢污泥中化学成分的方法,优化了仪器的工作条件。在最佳分析条件下,测定了炼钢污泥样品中TFe、SiO2、MgO、Al2O3、P和CaO的含量,所测定的6种成分的相对标准偏差均小于3%,并对污泥试样进行了测定,其分析结果与用化学法的测定值相一致。采用偏振能量色散X射线荧光光谱法测定炼钢污泥中TFe等成分周期短、准确度高,方法简便、快速,完全能满足生产需求。 相似文献
352.
在室温至液氦温区内,对良好(100)择优取向的La2/3Ca1/3MnOz薄膜的磁电阻作了实验研究.发现零场下未退火样品的电阻约在Tp=72K处出现一峰值,当外加磁场后,其电阻降低,而峰值所对应的温度Tp要往高温方向移动,然而其磁电阻变化值MR=δR/RH=(R0-RH)R_H的极大值却发生在25K附近,而且该值基本上不随外磁场的大小而改变.当样品在700℃t氧气中退火30min后,零场下电阻峰值往高温方向移动到230K附近,表明薄膜的Curie温度升高了. 相似文献
353.
20年代,胡刚复先生为我国度量衡统一确定一个市制,对米、千克、升的公制有一个3、2、1的简单比例关系。这一制度沿用至今,不仅已被科技界视为当然,且更广泛便利人民生活,定将一直延续下去。反观当时我国各地方、各行业,如营造尺、16两、大斗小称等度量衡各异的混乱;以及今日美、英等国被英尺、磅、加仑的英制零星折算产生的经常困扰;特别是对工程及商务所带来的经济损失,以致积重难返的窘态。可以悟出胡先生这一简明建议的重大功绩,堪与两千年前同文同轨、权衡悉依秦制的炎黄文明相映生辉。在纪念胡先生百周年时,谨撰此文,寓意于简单3、2、1系数的巧合,借以颂扬胡先生的功绩。 相似文献
354.
干涉光谱仪动镜倾斜误差容限分析 总被引:13,自引:8,他引:5
本文从调制度和相位误差角度,系统分析了双光束干涉光谱仪中,当光束孔径为圆形和矩形时,动镜运动过程中发生倾斜的影响,讨论了动镜倾斜容限以及减小动镜倾斜误差的方法. 相似文献
355.
本文运用概率工具,得出BBH算子对在[0,∞)的任一有限子区间上具有P≥1次有界交差函数的逼近度估式,并讨论了对导函数为P≥1次有界变差函数时的逼近问题与渐近公式. 相似文献
356.
多元线性回归中度量影响的置信域体积比统计量 总被引:3,自引:0,他引:3
鲁国斌 《高校应用数学学报(A辑)》1993,(2):149-156
本文从多元线性回归模型回归系数的椭球置信域出发,导出度量影响的置信域体积比诊断统计量,并给出了它在协方差矩阵未知时的近似表达式。 相似文献
357.
358.
张泽湘 《核聚变与等离子体物理》1985,(3)
本文综合介绍了仿星器(由外部线圈产生旋转交换的任何稳态环形磁约束装置)进展,包括经典仿星器研究、扭曲器和模块式仿星器、仿星器位形优化及仿星器作为聚变堆的优点,最后对我国在这方面的研究对策提出一些看法。 相似文献
359.
光谱估计方法FAT的强度修正及品质因子 总被引:4,自引:0,他引:4
对作者早先提出的光谱估算方法FAT作进一步探讨,提出利用退卷积技术实现光谱线型优化从而修正估计谱相对强度的方法,同时还提出了反映线型优化度及估计谱可靠性的品质因子的概念。 相似文献
360.
Effect of Misfit Dislocation Originated from Strained Layer on Photoluminescence Properties of InxGa1-xN/GaN Multiple Quantum Wells 下载免费PDF全文
Inx Ga1-x N/GaN multiple quantum well (MQW) samples with strain-layer thickness larger/less than the critical one are investigated by temperature-dependent photoluminescence and transmission electron microscopy, and double crystal x-ray diffraction. For the sample with the strained-layer thickness greater than the critical thickness, we observe a high density of threading dislocations generated at the MQW layers and extended to the cap layer. These dislocations result from relaxation of the strain layer when its thickness is beyond the critical thickness. For the sample with the strained-layer thickness greater than the critical thickness, temperature-dependent photoluminescence measurements give evidence that dislocations generated from the MQW layers due to strain relaxation are main reason of the poor photoluminescence property, and the dominating status change of the main peak with increasing temperature is attributed to the change of the radiative recombination from the areas including dislocations to the ones excluding dislocations. 相似文献