具有还原刺激响应的聚氨酯胶束的制备和表征

以聚ε-己内酯二元醇(PCL)为软段,赖氨酸二异氰酸酯(LDI)和胱胺(cystamine)为硬段,合成了以胱胺封端的线性聚氨酯预聚体,然后利用α-甲氧基-ω-环氧丙基聚乙二醇(EO-MPEG)的环氧基与胱胺的胺基反应,制备了含有二硫键的双亲性聚氨酯.利用GPC测试了聚氨酯的分子量,1H-NMR及FTIR表征了聚氨酯的结构.利用透析法制备了聚氨酯胶束,荧光探针技术测得其临界胶束浓度为5.6×10-3g/L,TEM分析表明胶束形貌为球形,DLS分析表明胶束的平均粒径为82 nm.还原响应实验表明胶束在10 mmol/L的谷胱甘肽的作用下粒径明显增大,表明胶束具有还原刺激响应特性.最后,以抗肿瘤疏水药物氨甲喋呤(MTX)为模型药物,研究了载药胶束在谷胱甘肽作用下的药物释放,结果表明谷胱甘肽的存在可刺激药物的释放,该材料可作为细胞内还原响应的载体材料使用.     

La2/3Ca1/3MnOz薄膜的巨磁电阻效应及其温度关系的研究 *

在室温至液氦温区内,对良好(100)择优取向的La_2/3Ca_1/3MnO_z薄膜的磁电阻作了实验研究.发现零场下未退火样品的电阻约在T_p=72K处出现一峰值,当外加磁场后,其电阻降低,而峰值所对应的温度T_p要往高温方向移动,然而其磁电阻变化值MR=δR/R_H=(R₀-R_H)R_H的极大值却发生在25K附近,而且该值基本上不随外磁场的大小而改变.当样品在700℃t氧气中退火30min后,零场下电阻峰值往高温方向移动到230K附近,表明薄膜的Curie温度升高了.     

孔心平行电极间赝火花放电的有效极距

20年代,胡刚复先生为我国度量衡统一确定一个市制,对米、千克、升的公制有一个3、2、1的简单比例关系。这一制度沿用至今,不仅已被科技界视为当然,且更广泛便利人民生活,定将一直延续下去。反观当时我国各地方、各行业,如营造尺、16两、大斗小称等度量衡各异的混乱;以及今日美、英等国被英尺、磅、加仑的英制零星折算产生的经常困扰;特别是对工程及商务所带来的经济损失,以致积重难返的窘态。可以悟出胡先生这一简明建议的重大功绩,堪与两千年前同文同轨、权衡悉依秦制的炎黄文明相映生辉。在纪念胡先生百周年时,谨撰此文,寓意于简单3、2、1系数的巧合,借以颂扬胡先生的功绩。     

干涉光谱仪动镜倾斜误差容限分析

本文从调制度和相位误差角度,系统分析了双光束干涉光谱仪中,当光束孔径为圆形和矩形时,动镜运动过程中发生倾斜的影响,讨论了动镜倾斜容限以及减小动镜倾斜误差的方法.     

BBH算子对P次有界变差函数的逼近度

本文运用概率工具，得出ＢＢＨ算子对在［０，∞）的任一有限子区间上具有Ｐ≥１次有界交差函数的逼近度估式，并讨论了对导函数为Ｐ≥１次有界变差函数时的逼近问题与渐近公式．     

多元线性回归中度量影响的置信域体积比统计量

本文从多元线性回归模型回归系数的椭球置信域出发,导出度量影响的置信域体积比诊断统计量,并给出了它在协方差矩阵未知时的近似表达式。     

一种制备巴基葱的新方法纳米碳化硅高温真空热分解法

实验发现，通过真空热处理碳化硅纳米粉末可以获得巴基葱.透射电子显微镜和高分辨电子显微镜观测表明，当碳化硅完全分解时，形成空心准球状颗粒和葱状石墨颗粒；当碳化硅分解不完全时，形成碳包裹碳化硅结构，该包裹层由准同心石墨壳层构成.由实验结果知，认为平面结构是石墨的最稳定形式的传统观点是值得讨论的. 关键词：     

仿星器研究的进展

本文综合介绍了仿星器(由外部线圈产生旋转交换的任何稳态环形磁约束装置)进展,包括经典仿星器研究、扭曲器和模块式仿星器、仿星器位形优化及仿星器作为聚变堆的优点,最后对我国在这方面的研究对策提出一些看法。     

光谱估计方法FAT的强度修正及品质因子

对作者早先提出的光谱估算方法ＦＡＴ作进一步探讨，提出利用退卷积技术实现光谱线型优化从而修正估计谱相对强度的方法，同时还提出了反映线型优化度及估计谱可靠性的品质因子的概念。     

Effect of Misfit Dislocation Originated from Strained Layer on Photoluminescence Properties of InxGa1-xN／GaN Multiple Quantum Wells

Inx Ga1-x N/GaN multiple quantum well (MQW) samples with strain-layer thickness larger/less than the critical one are investigated by temperature-dependent photoluminescence and transmission electron microscopy, and double crystal x-ray diffraction. For the sample with the strained-layer thickness greater than the critical thickness, we observe a high density of threading dislocations generated at the MQW layers and extended to the cap layer. These dislocations result from relaxation of the strain layer when its thickness is beyond the critical thickness. For the sample with the strained-layer thickness greater than the critical thickness, temperature-dependent photoluminescence measurements give evidence that dislocations generated from the MQW layers due to strain relaxation are main reason of the poor photoluminescence property, and the dominating status change of the main peak with increasing temperature is attributed to the change of the radiative recombination from the areas including dislocations to the ones excluding dislocations.